152 mm Módulos MOSFET

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Serie
Empaquetado
ROHM Semiconductor Módulos MOSFET 1700V Vdss; 250A Id SiC Pwr Module
Hoja de datos
44En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 4

SiC Screw Mount Module N-Channel 2 Channel 1.7 kV 250 A - 6 V, + 22 V 4 V - 40 C + 150 C 1.8 kW BSMx Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Módulos MOSFET 300A SiC Power Module
Hoja de datos
4En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount Module N-Channel 2 Channel 1.2 kV 300 A - 6 V, + 22 V 2.7 V - 40 C + 150 C 1.875 kW BSMx Bulk
ROHM Semiconductor Módulos MOSFET 576A 1200V HALF BRIDGE SIC
Hoja de datos
4En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount Module N-Channel 2 Channel 1.2 kV 600 A - 4 V, + 22 V 5.6 V - 40 C + 150 C 2.45 kW Bulk
ROHM Semiconductor Módulos MOSFET 1200V, 300A, Boost Chopper, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET
Hoja de datos
4En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount Module N-Channel 1 Channel 1.2 kV 300 A - 6 V, + 22 V 5.6 V - 40 C + 150 C 1.36 kW Bulk
ROHM Semiconductor Módulos MOSFET 1200V Vdss; 204A ID SiC Mod; SICSTD02
Hoja de datos
4En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount Module N-Channel 1 Channel 1.2 kV 204 A - 6 V, + 22 V 1.6 V - 40 C + 150 C 1.36 kW BSMx Tray
ROHM Semiconductor Módulos MOSFET SIC Pwr Module Half Bridge
Hoja de datos
4En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount Module N-Channel 2 Channel 1.2 kV 300 A - 4 V, + 22 V 5.6 V - 40 C + 150 C 1.26 kW Bulk
ROHM Semiconductor Módulos MOSFET 358A 1200V HALF BRIDGE SIC
Hoja de datos
2En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount Module N-Channel 2 Channel 1.2 kV 400 A - 4 V, + 22 V 5.6 V - 40 C + 150 C 1.57 kW Bulk
Infineon Technologies Módulos MOSFET EconoDUAL 3 CoolSiC MOSFET 1200 V module
Hoja de datos
5En existencias
20Se espera el 29/04/2027
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit 2 Channel 1.2 kV 420 A 1.91 mOhms - 10 V, + 23 V 5.15 V - 40 C + 175 C 20 mW EconoDUAL 3 Tray
ROHM Semiconductor Módulos MOSFET 1200V, 567A, Half bridge, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET
Hoja de datos
4En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount Module N-Channel 2 Channel 1.2 kV 567 A - 4 V, + 21 V 4.8 V - 40 C + 150 C 1.78 kW Bulk
ROHM Semiconductor Módulos MOSFET 1200V, 291A, Half bridge, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET
Hoja de datos
1En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount Module N-Channel 2 Channel 1.2 kV 291 A - 4 V, + 21 V 4.8 V - 40 C + 150 C 925 W Bulk
ROHM Semiconductor Módulos MOSFET 1200V, 204A, Half bridge, Silicon-carbide (SiC) Power Module
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount Module N-Channel 2 Channel 1.2 kV 204 A - 6 V, + 22 V 4 V - 40 C + 150 C 1.36 kW Bulk
ROHM Semiconductor Módulos MOSFET SIC Pwr Module Half Bridge
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 4
Mult.: 4

SiC Screw Mount Module N-Channel 2 Channel 1.2 kV 400 A - 6 V, + 22 V 4 V - 40 C + 150 C 2.45 kW Bulk
ROHM Semiconductor Módulos MOSFET 1200V, 447A, Half bridge, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount Module N-Channel 2 Channel 1.2 kV 447 A - 4 V, + 21 V 4.8 V - 40 C + 150 C 1.45 kW Bulk