Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Nch+Nch Power MOSFET
SH8KA2TB1
ROHM Semiconductor
1:
S/5.02
2,586 En existencias
N.º de artículo de Mouser 755-SH8KA2TB1
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Nch+Nch Power MOSFET
2,586 En existencias
1
S/5.02
10
S/3.29
100
S/2.73
500
S/2.62
2,500
S/2.42
5,000
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S/2.59
5,000
S/2.29
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S/2.09
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ
SP8K32HZGTB
ROHM Semiconductor
1:
S/9.38
2,185 En existencias
N.º de artículo de Mouser 755-SP8K32HZGTB
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ
2,185 En existencias
1
S/9.38
10
S/4.59
100
S/4.09
500
S/3.26
2,500
S/2.72
5,000
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S/3.04
5,000
S/2.46
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ
SP8M3HZGTB
ROHM Semiconductor
1:
S/8.76
2,330 En existencias
N.º de artículo de Mouser 755-SP8M3HZGTB
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ
2,330 En existencias
1
S/8.76
10
S/4.24
100
S/3.67
500
S/3.02
1,000
S/2.82
2,500
S/2.54
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ
SP8M4HZGTB
ROHM Semiconductor
1:
S/11.21
2,623 En existencias
N.º de artículo de Mouser 755-SP8M4HZGTB
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ
2,623 En existencias
1
S/11.21
10
S/6.58
100
S/5.64
500
S/4.83
1,000
S/4.71
2,500
S/4.44
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Diodos de Conmutación de Señal Baja High-speed switching USM IO-0.1A, VR-80V
1SS302A,LF
Toshiba
1:
S/0.856
583,338 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-1SS302ALF
Toshiba
Diodos de Conmutación de Señal Baja High-speed switching USM IO-0.1A, VR-80V
583,338 En existencias
1
S/0.856
10
S/0.37
100
S/0.323
500
S/0.237
3,000
S/0.144
6,000
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6,000
S/0.14
9,000
S/0.125
24,000
S/0.101
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Diodos de Conmutación de Señal Baja 0.1A 80V Switching High-Speed Diode
1SS362TE85LF
Toshiba
1:
S/1.17
41,042 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-1SS362TE85LF
Toshiba
Diodos de Conmutación de Señal Baja 0.1A 80V Switching High-Speed Diode
41,042 En existencias
1
S/1.17
10
S/0.518
100
S/0.452
500
S/0.335
3,000
S/0.23
6,000
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6,000
S/0.21
9,000
S/0.183
24,000
S/0.163
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PBSS4140DPN/SOT457/SC-74
PBSS4140DPNF
Nexperia
1:
S/2.22
34,856 En existencias
N.º de artículo de Mouser 771-PBSS4140DPNF
Nexperia
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PBSS4140DPN/SOT457/SC-74
34,856 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/2.22
10
S/1.37
100
S/0.876
500
S/0.658
1,000
Ver
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S/0.389
1,000
S/0.529
5,000
S/0.467
10,000
S/0.389
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PMBT2907AYS/SOT363/SC-88
PMBT2907AYSX
Nexperia
1:
S/1.13
39,204 En existencias
N.º de artículo de Mouser 771-PMBT2907AYSX
Nexperia
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PMBT2907AYS/SOT363/SC-88
39,204 En existencias
1
S/1.13
10
S/0.685
100
S/0.428
500
S/0.315
3,000
S/0.199
6,000
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S/0.28
6,000
S/0.179
24,000
S/0.16
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Diodos de Conmutación de Señal Baja 100 Volt 200mA 4ns 500mA IFSM
MMBD7000-E3-18
Vishay Semiconductors
1:
S/0.973
88,404 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-MMBD7000-E3-18
Vishay Semiconductors
Diodos de Conmutación de Señal Baja 100 Volt 200mA 4ns 500mA IFSM
88,404 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/0.973
10
S/0.549
100
S/0.335
500
S/0.241
10,000
S/0.136
20,000
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S/0.21
2,500
S/0.187
5,000
S/0.156
20,000
S/0.105
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20/-16V Vgs PowerPAIR 3x3S
SIZ200DT-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1:
S/7.55
13,046 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SIZ200DT-T1-GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20/-16V Vgs PowerPAIR 3x3S
13,046 En existencias
1
S/7.55
10
S/4.20
100
S/3.04
500
S/2.53
1,000
S/2.31
3,000
S/1.98
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5
SIZ980DT-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1:
S/9.07
2,966 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SIZ980DT-T1-GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5
2,966 En existencias
1
S/9.07
10
S/4.40
100
S/3.97
500
S/3.15
1,000
S/3.04
3,000
S/2.63
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds -/+20V Vgs PowerPAK SO-8L
SQJ244EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1:
S/8.45
5,708 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SQJ244EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds -/+20V Vgs PowerPAK SO-8L
5,708 En existencias
1
S/8.45
10
S/4.09
100
S/3.65
500
S/2.90
1,000
S/2.78
3,000
S/2.39
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Carrete :3,000
Detalles
Rectificadores 200V 10A TO-263 Fred Pt
+1 imagen
VS-MURB1020CT-M3
Vishay Semiconductors
1:
S/8.56
7,736 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-VS-MURB1020CT-M3
Vishay Semiconductors
Rectificadores 200V 10A TO-263 Fred Pt
7,736 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/8.56
10
S/4.16
100
S/3.70
500
S/2.94
1,000
Ver
1,000
S/2.71
2,500
S/2.53
5,000
S/2.44
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
SIA533EDJ-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1:
S/3.70
72,586 En existencias
N.º de artículo de Mouser 781-SIA533EDJ-T1-GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
72,586 En existencias
1
S/3.70
10
S/1.69
100
S/1.49
500
S/1.14
3,000
S/0.821
6,000
Ver
1,000
S/1.12
6,000
S/0.782
9,000
S/0.763
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES
ECH8695R-TL-W
onsemi
1:
S/5.02
12,178 En existencias
N.º de artículo de Mouser 863-ECH8695R-TL-W
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES
12,178 En existencias
1
S/5.02
10
S/2.32
100
S/1.81
500
S/1.50
3,000
S/1.23
6,000
Ver
1,000
S/1.40
6,000
S/1.13
9,000
S/1.11
24,000
S/1.05
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Transistor de unión de efecto de campo (JFET) NCH+NCH J-FET
NSVJ5908DSG5T1G
onsemi
1:
S/5.41
15,045 En existencias
N.º de artículo de Mouser 863-NSVJ5908DSG5T1G
onsemi
Transistor de unión de efecto de campo (JFET) NCH+NCH J-FET
15,045 En existencias
1
S/5.41
10
S/2.52
100
S/2.12
3,000
S/2.12
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Min.: 1 Mult.: 1
Máx.: 220
Carrete :3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SC88 20V 630MA 375MO
NVJD4401NT1G
onsemi
1:
S/3.66
9,854 En existencias
N.º de artículo de Mouser 863-NVJD4401NT1G
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SC88 20V 630MA 375MO
9,854 En existencias
1
S/3.66
10
S/1.68
100
S/1.48
500
S/1.14
3,000
S/0.88
6,000
Ver
6,000
S/0.81
24,000
S/0.747
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 11.7 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
NVMFD5C470NT1G
onsemi
1:
S/11.68
2,864 En existencias
N.º de artículo de Mouser 863-NVMFD5C470NT1G
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 11.7 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
2,864 En existencias
1
S/11.68
10
S/5.80
100
S/5.22
500
S/4.20
1,000
S/3.76
1,500
S/3.76
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :1,500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS
NVMFD5C672NLWFT1G
onsemi
1:
S/13.16
4,164 En existencias
N.º de artículo de Mouser 863-NVMFD5C672NLWFT
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS
4,164 En existencias
1
S/13.16
10
S/6.66
100
S/5.99
500
S/4.87
1,000
S/4.48
1,500
S/4.48
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :1,500
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) SS GP XSTR DUAL 45V
+2 imágenes
SBC847BPDW1T1G
onsemi
1:
S/1.28
87,973 En existencias
N.º de artículo de Mouser 863-SBC847BPDW1T1G
onsemi
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) SS GP XSTR DUAL 45V
87,973 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/1.28
10
S/0.887
100
S/0.561
500
S/0.354
1,000
S/0.311
3,000
S/0.272
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Min.: 1 Mult.: 1
Máx.: 3,000
Carrete :3,000
Detalles
Rectificadores 200V, Dual, 10A Ultra-Low Qrr IC
LQA20N200C
Power Integrations
1:
S/6.03
2,327 En existencias
N.º de artículo de Mouser 903-LQA20N200C
Power Integrations
Rectificadores 200V, Dual, 10A Ultra-Low Qrr IC
2,327 En existencias
1
S/6.03
10
S/5.18
25
S/4.83
100
S/4.24
2,500
S/3.54
5,000
Ver
250
S/4.05
500
S/3.88
1,000
S/3.85
5,000
S/3.53
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRNSISTR 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET
SH8K12TB1
ROHM Semiconductor
1:
S/7.75
2,251 En existencias
N.º de artículo de Mouser 755-SH8K12TB1
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRNSISTR 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET
2,251 En existencias
1
S/7.75
10
S/4.79
100
S/3.15
500
S/2.48
2,500
S/1.71
5,000
Ver
1,000
S/2.12
5,000
S/1.68
10,000
S/1.64
25,000
S/1.55
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -100V 4.5A, Dual Pch+Pch, SOP8, Power MOSFET
SH8JE5TB1
ROHM Semiconductor
1:
S/12.46
1,337 En existencias
N.º de artículo de Mouser 755-SH8JE5TB1
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -100V 4.5A, Dual Pch+Pch, SOP8, Power MOSFET
1,337 En existencias
1
S/12.46
10
S/6.23
100
S/5.41
500
S/4.55
1,000
S/4.40
2,500
S/4.13
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 3.5A/2.5A Dual Nch+Pch, DFN2020-8D, Power MOSFET
UT6MC5TCR
ROHM Semiconductor
1:
S/4.94
2,870 En existencias
N.º de artículo de Mouser 755-UT6MC5TCR
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 3.5A/2.5A Dual Nch+Pch, DFN2020-8D, Power MOSFET
2,870 En existencias
1
S/4.94
10
S/2.29
100
S/1.97
500
S/1.58
3,000
S/1.24
6,000
Ver
1,000
S/1.43
6,000
S/1.21
9,000
S/1.14
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual Com Drain -20V P-Channel Pwr Trench
FDMB2308PZ
onsemi
1:
S/11.79
4,125 En existencias
N.º de artículo de Mouser 512-FDMB2308PZ
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual Com Drain -20V P-Channel Pwr Trench
4,125 En existencias
1
S/11.79
10
S/7.63
100
S/5.25
500
S/4.16
3,000
S/3.87
6,000
Ver
1,000
S/3.97
6,000
S/3.82
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Perú
