Rectificadores 200 Volt 6.0 Amp
VS-MURD620CTTR-M3
Vishay Semiconductors
1:
S/6.38
37,612 En existencias
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844-MURD620CTTR-M3
Vishay Semiconductors
Rectificadores 200 Volt 6.0 Amp
37,612 En existencias
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1
S/6.38
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWR MOSFET FOR LITH BATT PRT DUAL N-CHAN
EFC3J018NUZTDG
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1:
S/6.85
98,757 En existencias
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863-EFC3J018NUZTDG
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWR MOSFET FOR LITH BATT PRT DUAL N-CHAN
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S/6.85
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S/3.25
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET 30V 250MA 1.5OH
NVTJD4001NT1G
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928,239 En existencias
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863-NVTJD4001NT1G
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET 30V 250MA 1.5OH
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10
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Módulos IGBT IGBT MODULE T-SERIES STANDARD TYPE DUAL
CM300DY-13T
Mitsubishi Electric
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917-CM300DY-13T
Mitsubishi Electric
Módulos IGBT IGBT MODULE T-SERIES STANDARD TYPE DUAL
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Módulos IGBT IGBT MODULE T-SERIES NX TYPE DUAL
CM450DX-24T#110G
Mitsubishi Electric
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Módulos IGBT IGBT MODULE T-SERIES NX TYPE DUAL
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Módulos IGBT IGBT Module 200A 1700V
FF200R17KE4
Infineon Technologies
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641-FF200R17KE4
Infineon Technologies
Módulos IGBT IGBT Module 200A 1700V
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Módulos IGBT IGBT MODULE T-SERIES STANDARD TYPE DUAL
CM200DY-24T
Mitsubishi Electric
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917-CM200DY-24T
Mitsubishi Electric
Módulos IGBT IGBT MODULE T-SERIES STANDARD TYPE DUAL
127 En existencias
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S/529.54
10
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Módulos IGBT IPM MODULE V1-SERIES
PM400DV1A060
Mitsubishi Electric
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917-PM400DV1A060
Mitsubishi Electric
Módulos IGBT IPM MODULE V1-SERIES
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Diodos de Conmutación de Señal Baja 200V 6A ULTRAFAST DUAL DIODES
+1 imagen
RURD620CCS9A-F085
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512-RURD620CCS9AF085
onsemi
Diodos de Conmutación de Señal Baja 200V 6A ULTRAFAST DUAL DIODES
4,460 En existencias
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S/5.37
10
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S/2.78
2,500
S/2.78
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Dual N/P FET Enhancement Mode
+2 imágenes
SI4532DY
onsemi
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4,597 En existencias
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512-SI4532DY
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Dual N/P FET Enhancement Mode
4,597 En existencias
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S/6.42
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S/3.03
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S/2.70
2,500
S/2.70
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V PCH NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD7520 A 595-CSD75208W1015
CSD75208W1015T
Texas Instruments
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8,784 En existencias
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595-CSD75208W1015T
Texas Instruments
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V PCH NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD7520 A 595-CSD75208W1015
8,784 En existencias
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S/7.05
10
S/3.35
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S/2.55
250
S/2.55
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S/2.16
1,000
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S/2.03
2,500
S/1.94
5,000
S/1.78
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S/1.73
25,000
S/1.68
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
SI7216DN-T1-E3
Vishay Semiconductors
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S/9.19
9,086 En existencias
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781-SI7216DN-T1-E3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
9,086 En existencias
1
S/9.19
10
S/5.88
100
S/4.01
500
S/3.18
1,000
S/2.93
3,000
S/2.71
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Módulos IGBT 1200 V, 600 A common emitter IGBT module
FF600R12KE7EHPSA1
Infineon Technologies
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26 En existencias
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726-FF600R12KE7EHPSA
Infineon Technologies
Módulos IGBT 1200 V, 600 A common emitter IGBT module
26 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
SI7922DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1:
S/10.39
7,272 En existencias
N.º de artículo de Mouser
781-SI7922DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
7,272 En existencias
1
S/10.39
10
S/6.70
100
S/4.59
500
S/3.67
1,000
S/3.40
3,000
S/3.22
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3,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel sync hronous buck NexFET A 595-CSD87335Q3D
CSD87335Q3DT
Texas Instruments
1:
S/7.51
8,140 En existencias
N.º de artículo de Mouser
595-CSD87335Q3DT
Texas Instruments
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel sync hronous buck NexFET A 595-CSD87335Q3D
8,140 En existencias
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S/7.51
10
S/5.06
100
S/4.24
250
S/4.24
500
S/3.93
1,000
Ver
1,000
S/3.70
2,500
S/3.63
5,000
S/3.56
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250
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N & P Channel Enhanc ement Dual MOSFET
TC6215TG-G
Microchip Technology
1:
S/7.20
2,112 En existencias
N.º de artículo de Mouser
689-TC6215TG-G
Microchip Technology
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N & P Channel Enhanc ement Dual MOSFET
2,112 En existencias
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3,300
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8W
SQS944ENW-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
S/7.01
8,640 En existencias
N.º de artículo de Mouser
78-SQS944ENW-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8W
8,640 En existencias
1
S/7.01
10
S/3.34
100
S/2.98
500
S/2.35
3,000
S/1.88
9,000
Ver
1,000
S/2.25
9,000
S/1.87
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3,000
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Rectificadores Output & SW Modules - SOT-227 FRED
VS-UFB211FA40
Vishay Semiconductors
1:
S/129.81
170 En existencias
N.º de artículo de Mouser
78-VS-UFB211FA40
Vishay Semiconductors
Rectificadores Output & SW Modules - SOT-227 FRED
170 En existencias
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Rectificadores y diodos Schottky RECT 45V 10A SM SCHOTTKY
V10KM45CHM3/H
Vishay Semiconductors
1:
S/7.90
2,424 En existencias
N.º de artículo de Mouser
78-V10KM45CHM3/H
Vishay Semiconductors
Rectificadores y diodos Schottky RECT 45V 10A SM SCHOTTKY
2,424 En existencias
1
S/7.90
10
S/4.48
100
S/3.34
500
S/3.03
1,500
S/1.93
3,000
Ver
3,000
S/1.87
9,000
S/1.78
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Min.: 1
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Carrete :
1,500
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 7.7A DSO-8 OptiMOS 3M
+2 imágenes
BSO220N03MDGXUMA1
Infineon Technologies
1:
S/4.87
54,985 En existencias
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser
726-BSO220N03MDGXUMA
Fin de vida útil
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 7.7A DSO-8 OptiMOS 3M
54,985 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/4.87
10
S/2.24
100
S/1.76
500
S/1.46
2,500
S/1.14
5,000
Ver
1,000
S/1.39
5,000
S/1.09
10,000
S/1.04
25,000
S/1.01
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Mult.: 1
Carrete :
2,500
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
SQJQ906E-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
S/14.52
11,665 En existencias
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser
78-SQJQ906E-T1_GE3
Fin de vida útil
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
11,665 En existencias
1
S/14.52
10
S/9.46
100
S/6.66
500
S/5.57
1,000
S/5.33
2,000
S/4.90
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 45A Sync Buck NexFET Power Block A 595-C A 595-CSD87355Q5DT
CSD87355Q5D
Texas Instruments
1:
S/13.27
1,882 En existencias
N.º de artículo de Mouser
595-CSD87355Q5D
Texas Instruments
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 45A Sync Buck NexFET Power Block A 595-C A 595-CSD87355Q5DT
1,882 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/13.27
10
S/7.16
100
S/5.96
500
S/4.98
1,000
S/4.59
2,500
S/4.28
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Min.: 1
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Carrete :
2,500
Detalles
Módulos IGBT 1200 V, 600 A dual IGBT module
FF600R12KE4PBOSA1
Infineon Technologies
1:
S/802.52
61 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-FF600R12KE4PBOSA
Infineon Technologies
Módulos IGBT 1200 V, 600 A dual IGBT module
61 En existencias
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Rectificadores Super Fast Recovery Diode
RFN16T2DNZC9
ROHM Semiconductor
1:
S/10.12
1,710 En existencias
N.º de artículo de Mouser
755-RFN16T2DNZC9
ROHM Semiconductor
Rectificadores Super Fast Recovery Diode
1,710 En existencias
1
S/10.12
10
S/4.98
100
S/4.48
500
S/3.61
1,000
Ver
1,000
S/3.58
2,000
S/3.46
5,000
S/3.04
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
SIRB40DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1:
S/9.81
9,722 En existencias
N.º de artículo de Mouser
78-SIRB40DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
9,722 En existencias
1
S/9.81
10
S/4.79
100
S/4.32
500
S/3.44
1,000
S/3.26
3,000
S/2.97
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles