Módulos MOSFET 1700V Vdss; 250A Id SiC Pwr Module
BSM250D17P2E004
ROHM Semiconductor
1:
S/4,377.43
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755-BSM250D17P2E004
ROHM Semiconductor
Módulos MOSFET 1700V Vdss; 250A Id SiC Pwr Module
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.8A VDSS=20V
SSM6L14FE(TE85L,F)
Toshiba
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757-SSM6L14FETE85LF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.8A VDSS=20V
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PMD2001D/SOT457/SC-74
PMD2001D,115
Nexperia
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771-PMD2001D115
Nexperia
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PMD2001D/SOT457/SC-74
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PMP4201Y/SOT363/SC-88
PMP4201Y,135
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PMP4201Y/SOT363/SC-88
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs Thin PowerPAK SC-70
SIA907EDJT-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs Thin PowerPAK SC-70
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
SQ1922EEH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
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S/0.677
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual Nch 40V Vds PowerPAK SO-8L
SQJ208EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual Nch 40V Vds PowerPAK SO-8L
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S/2.96
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 75V AEC-Q101 Qualified
SQJ980AEP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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78-SQJ980AEP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 75V AEC-Q101 Qualified
28,794 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Asymmetric Dual N-Channel Pwr Trench
FDMS3669S
onsemi
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512-FDMS3669S
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Asymmetric Dual N-Channel Pwr Trench
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S/10.78
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S/3.33
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Diodos de Conmutación de Señal Baja 85V 150mW
BAV199T-7-F
Diodes Incorporated
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621-BAV199T-F
Diodes Incorporated
Diodos de Conmutación de Señal Baja 85V 150mW
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S/1.40
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S/0.28
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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SQ1539EH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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78-SQ1539EH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
140,025 En existencias
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S/3.39
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S/0.701
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S/0.677
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified
SQ3985EV-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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110,353 En existencias
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78-SQ3985EV-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified
110,353 En existencias
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S/4.67
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S/2.17
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S/1.93
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S/1.49
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S/1.17
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S/1.46
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S/1.15
9,000
S/1.09
24,000
S/1.07
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Chnl 30-V D-S AEC-Q101 Qualified
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SQ4949EY-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1:
S/9.73
31,284 En existencias
N.º de artículo de Mouser
78-SQ4949EY-T1_GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Chnl 30-V D-S AEC-Q101 Qualified
31,284 En existencias
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1
S/9.73
10
S/4.75
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S/3.40
1,000
S/3.30
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S/2.93
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 8A 34W AEC-Q101 Qualified
SQJ960EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1:
S/12.11
77,316 En existencias
N.º de artículo de Mouser
78-SQJ960EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 8A 34W AEC-Q101 Qualified
77,316 En existencias
1
S/12.11
10
S/5.99
100
S/5.41
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S/4.40
1,000
S/4.28
3,000
S/3.97
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH
BSL308CH6327XTSA1
Infineon Technologies
1:
S/4.05
67,632 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSL308CH6327XTSA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH
67,632 En existencias
1
S/4.05
10
S/1.92
100
S/1.58
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S/1.27
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S/0.919
6,000
Ver
1,000
S/1.17
6,000
S/0.903
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 80V, 15mOhms, SOT-1205-8 Standard Level MOSFET
BUK7K15-80EX
Nexperia
1:
S/8.99
29,842 En existencias
N.º de artículo de Mouser
771-BUK7K15-80EX
Nexperia
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 80V, 15mOhms, SOT-1205-8 Standard Level MOSFET
29,842 En existencias
1
S/8.99
10
S/5.80
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S/3.93
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S/3.12
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S/2.67
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S/3.06
3,000
S/2.32
9,000
S/2.27
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1,500
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Transistores digitales PIMC31/SOT457/SC-74
PIMC31,115
Nexperia
1:
S/2.02
213,610 En existencias
N.º de artículo de Mouser
771-PIMC31115
Nexperia
Transistores digitales PIMC31/SOT457/SC-74
213,610 En existencias
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1
S/2.02
10
S/1.23
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S/0.814
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S/0.599
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6,000
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6,000
S/0.459
9,000
S/0.405
24,000
S/0.35
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified
+2 imágenes
SQ1912AEEH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
S/3.39
130,679 En existencias
N.º de artículo de Mouser
78-SQ1912AEEH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified
130,679 En existencias
1
S/3.39
10
S/1.54
100
S/1.36
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S/1.04
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S/0.802
9,000
Ver
9,000
S/0.701
24,000
S/0.677
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3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 0.8A Id AEC-Q101 Qualified
SQ1912EH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
S/3.04
181,173 En existencias
N.º de artículo de Mouser
78-SQ1912EH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 0.8A Id AEC-Q101 Qualified
181,173 En existencias
1
S/3.04
10
S/1.38
100
S/1.22
500
S/0.926
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S/0.712
6,000
Ver
1,000
S/0.899
6,000
S/0.701
9,000
S/0.638
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3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual Nch 20V Vds SOT-363
SQ1922AEEH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
S/3.04
127,420 En existencias
N.º de artículo de Mouser
78-SQ1922AEEH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual Nch 20V Vds SOT-363
127,420 En existencias
1
S/3.04
10
S/1.38
100
S/1.21
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1,000
S/0.911
6,000
S/0.697
9,000
S/0.619
24,000
S/0.584
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 30V TSOP-6
SQ3989EV-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1:
S/3.97
170,532 En existencias
N.º de artículo de Mouser
78-SQ3989EV-T1_GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 30V TSOP-6
170,532 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/3.97
10
S/1.82
100
S/1.61
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S/1.24
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S/0.961
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Ver
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S/0.849
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S/0.833
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Mult.: 1
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3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 80V Vds AEC-Q101 Qualified
SQJB90EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1:
S/8.14
26,289 En existencias
N.º de artículo de Mouser
78-SQJB90EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 80V Vds AEC-Q101 Qualified
26,289 En existencias
1
S/8.14
10
S/3.93
100
S/3.50
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S/2.78
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S/2.38
6,000
Ver
1,000
S/2.63
6,000
S/2.30
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Rectificadores 200 Volt 6.0 Amp
VS-MURD620CTTR-M3
Vishay Semiconductors
1:
S/6.38
37,712 En existencias
N.º de artículo de Mouser
844-MURD620CTTR-M3
Vishay Semiconductors
Rectificadores 200 Volt 6.0 Amp
37,712 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/6.38
10
S/3.01
100
S/2.68
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S/2.11
2,000
S/1.60
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Mult.: 1
Carrete :
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWR MOSFET FOR LITH BATT PRT DUAL N-CHAN
EFC3J018NUZTDG
onsemi
1:
S/6.85
98,732 En existencias
N.º de artículo de Mouser
863-EFC3J018NUZTDG
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWR MOSFET FOR LITH BATT PRT DUAL N-CHAN
98,732 En existencias
1
S/6.85
10
S/3.25
100
S/2.90
500
S/2.28
1,000
Ver
5,000
S/1.78
1,000
S/2.19
2,500
S/2.09
5,000
S/1.78
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Mult.: 1
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5,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET 30V 250MA 1.5OH
NVTJD4001NT1G
onsemi
1:
S/2.02
926,609 En existencias
N.º de artículo de Mouser
863-NVTJD4001NT1G
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET 30V 250MA 1.5OH
926,609 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/2.02
10
S/0.903
100
S/0.79
500
S/0.596
3,000
S/0.444
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Mult.: 1
Máx.: 3,000
Carrete :
3,000
Detalles