JDV2S41AFS,L3M
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757-JDV2S41AFSL3M
JDV2S41AFS,L3M
Fabricante:
Descripción:
Diodos de varactor Variable capacitance diode for electronic tuning applications
Diodos de varactor Variable capacitance diode for electronic tuning applications
Ciclo de vida:
Nuevo en Mouser
Hoja de datos:
Disponibilidad
-
Existencias:
-
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-
En pedido:
-
3,236Se espera el 22/09/202610,000Se espera el 20/11/2026
-
Plazo de entrega de fábrica:
-
18Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Precio (PEN)
| Cantidad | Precio unitario |
Precio ext.
|
|---|---|---|
| S/6.81 | S/6.81 | |
| S/4.20 | S/42.00 | |
| S/2.78 | S/278.00 | |
| S/2.19 | S/1,095.00 | |
| S/1.87 | S/1,870.00 | |
| S/1.69 | S/4,225.00 | |
| S/1.50 | S/7,500.00 | |
| S/1.45 | S/14,500.00 | |
| S/1.42 | S/35,500.00 |
Hoja de datos
Application Notes
- Basics of Diodes (Absolute Maximum Ratings and Electrical Characteristics)
- Basics of Diodes (Power Losses and Thermal Design)
- Basics of Diodes (Types and Overview of Diodes)
- Impacts of the dv/dt Rate on MOSFETs
- MOSFET Avalanche Ruggedness
- MOSFET Gate Driver Circuit
- MOSFET Parallening (Parasitic Oscillation Between Parallel Power MOSFETs)
- Parasitic Oscillation and Ringing of Power MOSFETs
- Power MOSFET Electrical Characteristics
- Power MOSFET Maximum Ratings
- Power MOSFET Selecting MOSFETs and Consideration for Circuit Design
- Power MOSFET Structure and Characteristics
- Power MOSFET Thermal Design and Attachment of a Thermal Fin
- Precautions for using Radio-frequency semiconductor devices
Product Catalogs
Códigos de cumplimiento
- CNHTS:
- 8541590000
- CAHTS:
- 8541100090
- USHTS:
- 8541100080
- TARIC:
- 8541100000
- ECCN:
- EAR99
Clasificaciones de origen
- País de origen:
- Tailandia
- País de origen del ensamblaje:
- No disponible
- País de difusión:
- No disponible
