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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 494

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Marca = YAGEO XSemi

Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 80V 300A TOLL XP8NA1R2TL YAGEO XSemi 1: S/19.62 1,931En existencias	N.º de artículo del Fabricante XP8NA1R2TL N.º de artículo de Mouser 603-XP8NA1R2TL	YAGEO XSemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 80V 300A TOLL Obtenga más información sobre YAGEO XSemi xsemi power mosfets	Hoja de datos	1,931En existencias	Cinta cortada S/19.62 S/12.85 S/9.58 S/8.06 S/7.47 Envase tipo carrete S/6.97 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	80 V	400 A	1.2 mOhms	20 V	5 V	265 nC	- 55 C	+ 175 C	3.75 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 44.6 A PMPAK-5x6X XP6NA1R4CXT YAGEO XSemi 1: S/12.14 2,830En existencias	N.º de artículo del Fabricante XP6NA1R4CXT N.º de artículo de Mouser 603-XP6NA1R4CXT	YAGEO XSemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 44.6 A PMPAK-5x6X Obtenga más información sobre YAGEO XSemi xsemi power mosfets	Hoja de datos	2,830En existencias	Cinta cortada S/12.14 S/6.03 S/5.45 S/4.40 S/4.20 Envase tipo carrete S/3.97 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	PMPAK-8	N-Channel	1 Channel	60 V	210 A	1.45 mOhms	20 V	4 V	122 nC	- 55 C	+ 150 C	5 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 75A TO-252 XP6NA3R0H YAGEO XSemi 1: S/7.47 2,960En existencias	N.º de artículo del Fabricante XP6NA3R0H N.º de artículo de Mouser 603-XP6NA3R0H	YAGEO XSemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 75A TO-252 Obtenga más información sobre YAGEO XSemi xsemi power mosfets	Hoja de datos	2,960En existencias	Cinta cortada S/7.47 S/3.58 S/3.20 S/2.53 S/2.38 Envase tipo carrete S/2.04 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	TO-252-3/2	N-Channel	1 Channel	60 V	126 A	3 mOhms	20 V	4 V	70 nC	- 55 C	+ 150 C	2 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 80V 35A PMPAK-5x6X XP8NA2R2CXT YAGEO XSemi 1: S/10.67 2,999En existencias	N.º de artículo del Fabricante XP8NA2R2CXT N.º de artículo de Mouser 603-XP8NA2R2CXT	YAGEO XSemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 80V 35A PMPAK-5x6X Obtenga más información sobre YAGEO XSemi xsemi power mosfets	Hoja de datos	2,999En existencias	Cinta cortada S/10.67 S/5.25 S/4.71 S/3.78 S/3.65 Envase tipo carrete S/3.32 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	PMPAK-8	N-Channel	1 Channel	80 V	168 A	2.2 mOhms	20 V	4 V	112 nC	- 55 C	+ 150 C	5 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 41.6 A PMPAK-5x6 XP6NA1R7CMT YAGEO XSemi 1: S/10.20 2,995En existencias	N.º de artículo del Fabricante XP6NA1R7CMT N.º de artículo de Mouser 603-XP6NA1R7CMT	YAGEO XSemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 41.6 A PMPAK-5x6 Obtenga más información sobre YAGEO XSemi xsemi power mosfets	Hoja de datos	2,995En existencias	Cinta cortada S/10.20 S/4.98 S/4.48 S/3.59 S/3.44 Envase tipo carrete S/3.13 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	PMPAK-8	N-Channel	1 Channel	60 V	190 A	1.7 mOhms	20 V	4 V	100 nC	- 55 C	+ 150 C	5 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Asymmetric N ch 30V/30V 55A/85A P XP3832CMT YAGEO XSemi 1: S/7.75 2,997En existencias	N.º de artículo del Fabricante XP3832CMT N.º de artículo de Mouser 603-XP3832CMT	YAGEO XSemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Asymmetric N ch 30V/30V 55A/85A P Obtenga más información sobre YAGEO XSemi xsemi power mosfets	Hoja de datos	2,997En existencias	Cinta cortada S/7.75 S/3.72 S/3.32 S/2.63 S/2.50 Envase tipo carrete S/2.14 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	PMPAK-8	N-Channel	2 Channel	30 V	27 A	5 mOhms	20 V	2.2 V	19 nC	- 55 C	+ 150 C	2.27 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 700V 3.2 A TO-252 XP70SL1K4AH YAGEO XSemi 1: S/5.02 2,971En existencias	N.º de artículo del Fabricante XP70SL1K4AH N.º de artículo de Mouser 603-XP70SL1K4AH	YAGEO XSemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 700V 3.2 A TO-252 Obtenga más información sobre YAGEO XSemi xsemi power mosfets	Hoja de datos	2,971En existencias	Cinta cortada S/5.02 S/2.34 S/2.08 S/1.62 Envase tipo carrete S/1.27 Ver S/1.55 S/1.24 S/1.18 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	TO-252-3/2	N-Channel	1 Channel	700 V	3.2 A	1.4 Ohms	20 V	5 V	10.5 nC	- 55 C	+ 150 C	2 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 28A TO-262 XP60SL115DR YAGEO XSemi 1: S/18.57 999En existencias	N.º de artículo del Fabricante XP60SL115DR N.º de artículo de Mouser 603-XP60SL115DR	YAGEO XSemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 28A TO-262 Obtenga más información sobre YAGEO XSemi xsemi power mosfets	Hoja de datos	999En existencias	S/18.57 S/9.58 S/8.68 S/7.12 S/7.08	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-262-3	N-Channel	1 Channel	600 V	28 A	115 mOhms	20 V	5 V	91 nC	- 55 C	+ 150 C	2 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 130 A TO-220 XP10N3R8P YAGEO XSemi 1: S/9.93 1,680En existencias	N.º de artículo del Fabricante XP10N3R8P N.º de artículo de Mouser 603-XP10N3R8P	YAGEO XSemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 130 A TO-220 Obtenga más información sobre YAGEO XSemi xsemi power mosfets	Hoja de datos	1,680En existencias	S/9.93 S/4.87 S/4.32 S/3.49 Ver S/3.32 S/3.14 S/3.02	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	100 V	132 A	3.88 mOhms	20 V	4 V	85 nC	- 55 C	+ 150 C	2 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 48. 5A TO-252 XP10NA011H YAGEO XSemi 1: S/5.06 2,677En existencias	N.º de artículo del Fabricante XP10NA011H N.º de artículo de Mouser 603-XP10NA011H	YAGEO XSemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 48. 5A TO-252 Obtenga más información sobre YAGEO XSemi xsemi power mosfets	Hoja de datos	2,677En existencias	Cinta cortada S/5.06 S/2.37 S/2.10 S/1.63 Envase tipo carrete S/1.28 Ver S/1.56 S/1.25 S/1.19 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	TO-252-3/2	N-Channel	1 Channel	100 V	48.5 A	11 mOhms	20 V	4 V	35 nC	- 55 C	+ 150 C	2 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 45V 58A PMPAK-5x6 XP4NAR95CMT-A YAGEO XSemi 1: S/9.30 2,989En existencias	N.º de artículo del Fabricante XP4NAR95CMT-A N.º de artículo de Mouser 603-XP4NAR95CMT-A	YAGEO XSemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 45V 58A PMPAK-5x6 Obtenga más información sobre YAGEO XSemi xsemi power mosfets	Hoja de datos	2,989En existencias	Cinta cortada S/9.30 S/4.52 S/4.09 S/3.23 S/3.07 Envase tipo carrete S/2.76 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	PMPAK-8	N-Channel	1 Channel	45 V	264 A	950 uOhms	20 V	2.5 V	56 nC	- 55 C	+ 150 C	5 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 650V 10A TO-252 XP65SL380DH YAGEO XSemi 1: S/9.30 2,999En existencias	N.º de artículo del Fabricante XP65SL380DH N.º de artículo de Mouser 603-XP65SL380DH	YAGEO XSemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 650V 10A TO-252 Obtenga más información sobre YAGEO XSemi xsemi power mosfets	Hoja de datos	2,999En existencias	Cinta cortada S/9.30 S/4.55 S/4.09 S/3.23 S/3.07 Envase tipo carrete S/2.76 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	TO-252-3/2	N-Channel	1 Channel	650 V	10 A	380 mOhms	20 V	5 V	33 nC	- 55 C	+ 150 C	2 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 28. 5A PMPAK-5x6X XP10N3R5XT YAGEO XSemi 1: S/8.60 2,985En existencias	N.º de artículo del Fabricante XP10N3R5XT N.º de artículo de Mouser 603-XP10N3R5XT	YAGEO XSemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 28. 5A PMPAK-5x6X Obtenga más información sobre YAGEO XSemi xsemi power mosfets	Hoja de datos	2,985En existencias	Cinta cortada S/8.60 S/5.45 S/3.69 S/2.99 Envase tipo carrete S/2.50 Ver S/2.68 S/2.38 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	PMPAK-8	N-Channel	1 Channel	100 V	142 A	3.5 mOhms	20 V	4 V	84 nC	- 55 C	+ 150 C	5 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 300 A TOLL XP10NA1R5TL YAGEO XSemi 1: S/21.02 1,858En existencias	N.º de artículo del Fabricante XP10NA1R5TL N.º de artículo de Mouser 603-XP10NA1R5TL	YAGEO XSemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 300 A TOLL Obtenga más información sobre YAGEO XSemi xsemi power mosfets	Hoja de datos	1,858En existencias	Cinta cortada S/21.02 S/10.94 S/9.96 S/8.84 Envase tipo carrete S/8.33 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	100 V	347 A	1.5 mOhms	20 V	4 V	190 nC	- 55 C	+ 175 C	3.75 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 54.2 A PMPAK-5x6 XP3N1R0MT YAGEO XSemi 1: S/7.63 2,960En existencias	N.º de artículo del Fabricante XP3N1R0MT N.º de artículo de Mouser 603-XP3N1R0MT	YAGEO XSemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 54.2 A PMPAK-5x6 Obtenga más información sobre YAGEO XSemi xsemi power mosfets	Hoja de datos	2,960En existencias	Cinta cortada S/7.63 S/3.66 S/3.27 S/2.59 Envase tipo carrete S/2.22 Ver S/2.45 S/2.15 S/2.10 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	PMPAK-8	N-Channel	1 Channel	30 V	245 A	1.05 mOhms	20 V	900 mV	75 nC	- 55 C	+ 150 C	104 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 45V 49A PMPAK-5x6 XP4NA1R4CMT-A YAGEO XSemi 1: S/7.43 2,999En existencias	N.º de artículo del Fabricante XP4NA1R4CMT-A N.º de artículo de Mouser 603-XP4NA1R4CMT-A	YAGEO XSemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 45V 49A PMPAK-5x6 Obtenga más información sobre YAGEO XSemi xsemi power mosfets	Hoja de datos	2,999En existencias	Cinta cortada S/7.43 S/3.54 S/3.16 S/2.50 S/2.35 Envase tipo carrete S/2.02 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	PMPAK-8	N-Channel	1 Channel	45 V	223 A	1.4 mOhms	20 V	3 V	47 nC	- 55 C	+ 150 C	5 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 13. 3A TO-252 XP60SA290DH YAGEO XSemi 1: S/9.26 2,835En existencias	N.º de artículo del Fabricante XP60SA290DH N.º de artículo de Mouser 603-XP60SA290DH	YAGEO XSemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 13. 3A TO-252 Obtenga más información sobre YAGEO XSemi xsemi power mosfets	Hoja de datos	2,835En existencias	Cinta cortada S/9.26 S/4.52 S/4.05 S/3.22 S/3.05 Envase tipo carrete S/2.74 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	TO-252-3/2	N-Channel	1 Channel	600 V	13.3 A	290 mOhms	20 V	5 V	30 nC	- 55 C	+ 150 C	2 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 650V 20A TO-220CFM XP65SL190DI YAGEO XSemi 1: S/14.05 772En existencias	N.º de artículo del Fabricante XP65SL190DI N.º de artículo de Mouser 603-XP65SL190DI	YAGEO XSemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 650V 20A TO-220CFM Obtenga más información sobre YAGEO XSemi xsemi power mosfets	Hoja de datos	772En existencias	S/14.05 S/7.08 S/6.34 S/5.18 Ver S/5.06 S/4.83	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220CFM-3	N-Channel	1 Channel	650 V	20 A	190 mOhms	20 V	5 V	58 nC	- 55 C	+ 150 C	1.92 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 67. 7A TO-220CFM-T XP10N3R8IT YAGEO XSemi 1: S/10.28 1,000En existencias	N.º de artículo del Fabricante XP10N3R8IT N.º de artículo de Mouser 603-XP10N3R8IT	YAGEO XSemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 67. 7A TO-220CFM-T Obtenga más información sobre YAGEO XSemi xsemi power mosfets	Hoja de datos	1,000En existencias	S/10.28 S/5.06 S/4.52 S/3.62 Ver S/3.47 S/3.29 S/3.16	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220CFM-3	N-Channel	1 Channel	100 V	67.7 A	3.88 mOhms	20 V	4 V	82 nC	- 55 C	+ 150 C	1.92 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 40V 33.8 A PMPAK-5x6 XP4N2R5MT YAGEO XSemi 1: S/5.06 3,000En existencias	N.º de artículo del Fabricante XP4N2R5MT N.º de artículo de Mouser 603-XP4N2R5MT	YAGEO XSemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 40V 33.8 A PMPAK-5x6 Obtenga más información sobre YAGEO XSemi xsemi power mosfets	Hoja de datos	3,000En existencias	Cinta cortada S/5.06 S/2.35 S/2.09 S/1.62 Envase tipo carrete S/1.32 Ver S/1.55 S/1.25 S/1.18 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	PMPAK-8	N-Channel	1 Channel	40 V	125 A	2.55 mOhms	20 V	4 V	70 nC	- 55 C	+ 150 C	5 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 93A TO-220CFM-T XP6NA2R4IT YAGEO XSemi 1: S/10.90 986En existencias	N.º de artículo del Fabricante XP6NA2R4IT N.º de artículo de Mouser 603-XP6NA2R4IT	YAGEO XSemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 93A TO-220CFM-T Obtenga más información sobre YAGEO XSemi xsemi power mosfets	Hoja de datos	986En existencias	S/10.90 S/5.37 S/4.79 S/3.88 Ver S/3.63 S/3.51 S/3.44	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220CFM-3	N-Channel	1 Channel	60 V	93 A	2.4 mOhms	20 V	4 V	120 nC	- 55 C	+ 150 C	1.92 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 40V 37.5 A PMPAK-5x6 XP4N2R1MT YAGEO XSemi 1: S/6.31 2,980En existencias	N.º de artículo del Fabricante XP4N2R1MT N.º de artículo de Mouser 603-XP4N2R1MT	YAGEO XSemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 40V 37.5 A PMPAK-5x6 Obtenga más información sobre YAGEO XSemi xsemi power mosfets	Hoja de datos	2,980En existencias	Cinta cortada S/6.31 S/2.98 S/2.65 S/2.08 Envase tipo carrete S/1.66 S/1.61 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	PMPAK-8	N-Channel	1 Channel	40 V	170 A	2.1 mOhms	20 V	5 V	96 nC	- 55 C	+ 150 C	5 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Complementary N ch + P ch 100V/-1 XP10C150M YAGEO XSemi 1: S/3.43 2,948En existencias	N.º de artículo del Fabricante XP10C150M N.º de artículo de Mouser 603-XP10C150M	YAGEO XSemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Complementary N ch + P ch 100V/-1 Obtenga más información sobre YAGEO XSemi xsemi power mosfets	Hoja de datos	2,948En existencias	Cinta cortada S/3.43 S/1.56 S/1.37 S/1.05 Envase tipo carrete S/0.81 Ver S/0.79 S/0.708 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	SO-8	N-Channel, P-Channel	1 Channel	100 V	2.5 A	150 mOhms, 160 mOhms	20 V	3 V	11 nC, 32 nC	- 55 C	+ 150 C	2 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 44A TO-220CFM-T XP10NA8R4IT YAGEO XSemi 1: S/6.66 946En existencias	N.º de artículo del Fabricante XP10NA8R4IT N.º de artículo de Mouser 603-XP10NA8R4IT	YAGEO XSemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 44A TO-220CFM-T Obtenga más información sobre YAGEO XSemi xsemi power mosfets	Hoja de datos	946En existencias	S/6.66 S/3.09 S/2.45 S/2.06 Ver S/1.86 S/1.83 S/1.79	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220CFM-3	N-Channel	1 Channel	100 V	44 A	8.4 mOhms	20 V	4 V	42 nC	- 55 C	+ 150 C	1.92 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 7.5 A PMPAK-3x3 XP10TN028YT YAGEO XSemi 1: S/3.81 2,615En existencias	N.º de artículo del Fabricante XP10TN028YT N.º de artículo de Mouser 603-XP10TN028YT	YAGEO XSemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 7.5 A PMPAK-3x3 Obtenga más información sobre YAGEO XSemi xsemi power mosfets	Hoja de datos	2,615En existencias	Cinta cortada S/3.81 S/1.76 S/1.55 S/1.35 Envase tipo carrete S/0.926 Ver S/1.24 S/0.903 S/0.814 S/0.802 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	PMPAK-8	N-Channel	1 Channel	100 V	7.5 A	28 mOhms	20 V	3 V	14 nC	- 55 C	+ 150 C	3.125 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel