STMicroelectronics IGBTs

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Paquete / Cubierta
Estilo de montaje
Configuración
Máx. voltaje VCEO colector-emisor
Voltaje de saturación colector-emisor
Máximo voltaje puerta-emisor
Colector de Corriente Continua a 25 C
Dp - Disipación de potencia
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Serie
Empaquetado
STMicroelectronics IGBTs 30A 600V Fast IGBT 5kHz 1.9 VCE
Hoja de datos
492En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-3PF Through Hole Single 600 V 1.5 V - 20 V, 20 V 35 A 79 W - 55 C + 150 C STGWF30NC60S Tube
STMicroelectronics IGBTs 650V 60A HSpd trench gate field-stop IGBT
Hoja de datos
317En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-3P Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 55 C + 175 C STGWT60H65DFB Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate H series 650V 80A HiSpd
Hoja de datos
74En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-3P Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 120 A 469 W - 55 C + 175 C STGWT80H65DFB Tube
STMicroelectronics IGBTs 650V 60A HSpd trench gate field-stop IGB
Hoja de datos
209En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-3P Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 40 C + 175 C STGWT60H65FB Tube
STMicroelectronics IGBTs 650V 40A HSpd trench gate field-stop IGB
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 600
Mult.: 300

Si TO-3P Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 283 W - 55 C + 175 C STGWT40H65DFB Tube