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STMicroelectronics Transistores

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N.° de pieza

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed

STGWA80H65FB
STMicroelectronics
1: S/23.82
531En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGWA80H65FB

N.º de artículo de Mouser
511-STGWA80H65FB

STMicroelectronics

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed

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531En existencias

S/23.82

S/16.62

S/13.47

S/10.67

S/10.59

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package

STW36N60M6
STMicroelectronics
1: S/27.25
2,974En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW36N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STW36N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package

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2,974En existencias

S/27.25

S/15.69

S/13.12

S/12.81

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1700 V, 2.3 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package

STW12N170K5
STMicroelectronics
1: S/41.34
1,083En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW12N170K5

N.º de artículo de Mouser
511-STW12N170K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1700 V, 2.3 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package

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Hoja de datos

1,083En existencias

S/41.34

S/28.84

S/22.42

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long

STGWA50HP65FB2
STMicroelectronics
1: S/14.09
662En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGWA50HP65FB2

N.º de artículo de Mouser
511-STGWA50HP65FB2

STMicroelectronics

IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long

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Hoja de datos

662En existencias

S/14.09

S/7.71

S/6.31

S/5.53

S/5.29

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package

STW33N60M6
STMicroelectronics
1: S/21.99
427En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW33N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STW33N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package

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Hoja de datos

427En existencias

S/21.99

S/15.84

S/11.44

S/10.59

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 68 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea

STWA70N65DM6
STMicroelectronics
1: S/57.61
596En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STWA70N65DM6

N.º de artículo de Mouser
511-STWA70N65DM6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 68 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea

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Hoja de datos

596En existencias

S/57.61

S/43.01

S/37.21

S/32.89

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 80 A high speed HB series IGBT

STGWA80H65DFBAG
STMicroelectronics
1: S/24.91
293En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGWA80H65DFBAG

N.º de artículo de Mouser
511-STGWA80H65DFBAG

STMicroelectronics

IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 80 A high speed HB series IGBT

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293En existencias

S/24.91

S/14.71

S/12.22

S/11.83

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors

Through Hole

TO-247-3

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed

STGW25H120DF2
STMicroelectronics
1: S/18.53
1,693En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGW25H120DF2

N.º de artículo de Mouser
511-STGW25H120DF2

STMicroelectronics

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed

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1,693En existencias

S/18.53

S/10.35

S/8.52

S/7.63

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors

Through Hole

TO-247-3

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed

STGW25H120F2
STMicroelectronics
1: S/23.90
637En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGW25H120F2

N.º de artículo de Mouser
511-STGW25H120F2

STMicroelectronics

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed

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637En existencias

S/23.90

S/14.44

S/12.07

S/11.60

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors

Through Hole

TO-247-3

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed

STGW40H120DF2
STMicroelectronics
1: S/29.78
1,828En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGW40H120DF2

N.º de artículo de Mouser
511-STGW40H120DF2

STMicroelectronics

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed

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1,828En existencias

S/29.78

S/17.24

S/14.48

S/14.40

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors

Through Hole

TO-247-3

IGBTs 600V 60A trench gate field-stop IGBT

STGW60H65DFB
STMicroelectronics
1: S/19.62
1,186En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGW60H65DFB

N.º de artículo de Mouser
511-STGW60H65DFB

STMicroelectronics

IGBTs 600V 60A trench gate field-stop IGBT

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Hoja de datos

1,186En existencias

S/19.62

S/11.13

S/9.23

S/8.37

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors

Through Hole

TO-247-3

IGBTs Trench gte FieldStop IGBT 650V 80A

STGW80H65DFB
STMicroelectronics
1: S/23.51
4,455En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGW80H65DFB

N.º de artículo de Mouser
511-STGW80H65DFB

STMicroelectronics

IGBTs Trench gte FieldStop IGBT 650V 80A

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4,455En existencias

S/23.51

S/13.35

S/11.13

S/10.51

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors

Through Hole

TO-247-3

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 25 A low loss

STGWA25M120DF3
STMicroelectronics
1: S/20.40
968En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGWA25M120DF3

N.º de artículo de Mouser
511-STGWA25M120DF3

STMicroelectronics

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 25 A low loss

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968En existencias

S/20.40

S/11.48

S/9.50

S/8.68

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 162 mOhm typ., 17 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package

STW24N60M6
STMicroelectronics
1: S/15.76
1,049En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW24N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STW24N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 162 mOhm typ., 17 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package

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1,049En existencias

S/15.76

S/10.39

S/7.32

S/6.15

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 42 mOhm typ., 60 A MDmesh DM2 Power MOSFET in

STWA65N65DM2AG
STMicroelectronics
1: S/39.12
447En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STWA65N65DM2AG

N.º de artículo de Mouser
511-STWA65N65DM2AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 42 mOhm typ., 60 A MDmesh DM2 Power MOSFET in

Hoja de datos

447En existencias

S/39.12

S/26.94

S/20.63

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed

STGW15H120DF2
STMicroelectronics
1: S/14.91
183En existencias
600Se espera el 22/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
STGW15H120DF2

N.º de artículo de Mouser
511-STGW15H120DF2

STMicroelectronics

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed

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183En existencias

600Se espera el 22/06/2026

S/14.91

S/8.21

S/6.70

S/5.72

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors

Through Hole

TO-247-3

IGBTs 1250V 25A trench gate field-stop IGBT

STGW28IH125DF
STMicroelectronics
1: S/16.35
560En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGW28IH125DF

N.º de artículo de Mouser
511-STGW28IH125DF

STMicroelectronics

IGBTs 1250V 25A trench gate field-stop IGBT

Hoja de datos

560En existencias

S/16.35

S/10.74

S/8.06

S/7.16

S/6.34

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors

Through Hole

TO-247-3

IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB series IGBT

STGW30H65FB
STMicroelectronics
1: S/15.80
90En existencias
600Se espera el 24/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
STGW30H65FB

N.º de artículo de Mouser
511-STGW30H65FB

STMicroelectronics

IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB series IGBT

Hoja de datos

90En existencias

600Se espera el 24/08/2026

S/15.80

S/9.03

S/7.43

S/6.23

S/5.84

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors

Through Hole

TO-247-3

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed

STGW40H120F2
STMicroelectronics
1: S/25.57
452En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGW40H120F2

N.º de artículo de Mouser
511-STGW40H120F2

STMicroelectronics

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed

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Hoja de datos

452En existencias

S/25.57

S/15.06

S/12.61

S/12.18

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors

Through Hole

TO-247-3

IGBTs 600V 40A trench gate field-stop IGBT

STGW40H60DLFB
STMicroelectronics
1: S/20.51
115En existencias
600Se espera el 15/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
STGW40H60DLFB

N.º de artículo de Mouser
511-STGW40H60DLFB

STMicroelectronics

IGBTs 600V 40A trench gate field-stop IGBT

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115En existencias

600Se espera el 15/06/2026

S/20.51

S/11.52

S/9.54

S/8.76

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors

Through Hole

TO-247-3

IGBTs 600V 40A trench gate field-stop IGBT

STGW40H65DFB
STMicroelectronics
1: S/12.88
1,138En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGW40H65DFB

N.º de artículo de Mouser
511-STGW40H65DFB

STMicroelectronics

IGBTs 600V 40A trench gate field-stop IGBT

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Hoja de datos

1,138En existencias

S/12.88

S/7.24

S/6.70

S/5.61

S/4.87

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors

Through Hole

TO-247-3

IGBTs 600V 60A Trench Gate 1.8V Vce IGBT

STGW60V60F
STMicroelectronics
1: S/18.72
258En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGW60V60F

N.º de artículo de Mouser
511-STGW60V60F

STMicroelectronics

IGBTs 600V 60A Trench Gate 1.8V Vce IGBT

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258En existencias

S/18.72

S/10.47

S/8.64

S/7.75

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors

Through Hole

TO-247-3

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 15 A low loss

STGWA15M120DF3
STMicroelectronics
1: S/20.05
467En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGWA15M120DF3

N.º de artículo de Mouser
511-STGWA15M120DF3

STMicroelectronics

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 15 A low loss

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Comentarios de Producto

467En existencias

S/20.05

S/13.31

S/10.59

S/8.33

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors

Through Hole

TO-247-3

IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 30 A, high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long

STGWA30HP65FB2
STMicroelectronics
1: S/11.95
406En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGWA30HP65FB2

N.º de artículo de Mouser
511-STGWA30HP65FB2

STMicroelectronics

IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 30 A, high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long

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406En existencias

S/11.95

S/6.46

S/5.25

S/4.36

S/4.20

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors

Through Hole

TO-247-3

IGBTs 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop

STGW20V60F
STMicroelectronics
1: S/15.65
284En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGW20V60F

N.º de artículo de Mouser
511-STGW20V60F

STMicroelectronics

IGBTs 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop

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284En existencias

S/15.65

S/9.54

S/8.76

S/6.38

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IGBT Transistors

Through Hole

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