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STL105N8F7AG

Name: STMicroelectronics STL105N8F7AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STL105N8F7AG
Price: 10.08 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

511-STL105N8F7AG

Fabricante N.º:

STL105N8F7AG

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 80 V, 5.6 mOhm typ., 95 A, STripFET F7 Power MOSFET in a Po

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+S/23.00)

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	S/10.08	S/10.08
	S/6.50	S/65.00
	S/4.48	S/448.00
	S/3.57	S/1,785.00
	S/3.38	S/3,380.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	S/2.93	S/8,790.00
	S/2.91	S/17,460.00

† S/23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PowerFLAT-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	80 V
Id - Corriente de drenaje continua:	95 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	6.5 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.5 V
Qg - Carga de puerta:	46 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	127 W
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	13 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	22 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	32 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	90 ns
Peso de la unidad:	76 mg

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

STL105N8F7AG Automotive Power MOSFET

STMicroelectronics STL105N8F7AG Automotive N-Ch Power MOSFET utilizes STripFET F7 technology with an enhanced trench gate structure. The AEC-Q101 qualified STL105N8F7AG MOSFET features very low on-state resistance while also reducing internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.