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STGYA50M120DF3

Name: STMicroelectronics STGYA50M120DF3
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGYA50M120DF3
Price: 22.54 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

511-STGYA50M120DF3

Fabricante N.º:

STGYA50M120DF3

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

IGBTs Trench gate field-stop, 1200 V, 50 A, low-loss M series IGBT

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Hoja de datos:

STGYA50M120DF3 Hoja de datos (PDF)

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	S/22.54	S/22.54
	S/16.27	S/162.70
	S/14.75	S/1,770.00
	S/14.21	S/7,247.10
5,010	Presupuesto

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	IGBTs
RoHS:
Tecnología:	Si
Paquete / Cubierta:	Max247-3
Estilo de montaje:	Through Hole
Configuración:	Single
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	1.2 kV
Voltaje de saturación colector-emisor:	2.1 V
Máximo voltaje puerta-emisor:	- 20 V, 20 V
Colector de Corriente Continua a 25 C:	100 A
Dp - Disipación de potencia :	535 W
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Serie:	M
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
Corriente de fuga puerta-emisor:	250 nA
Tipo de producto:	IGBT Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	IGBTs
Peso de la unidad:	4.430 g

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

M Series 1200V Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics M Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. These devices represent an optimum compromise in performance to maximize the efficiency of inverter systems where low-loss and short circuit capability are essential. A positive V_CE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution also result in safer paralleling operation. Typical applications for these devices include industrial drives, UPS, solar, and welding.