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SH68N65DM6AG

Name: STMicroelectronics SH68N65DM6AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SH68N65DM6AG
Price: 74.19 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

511-SH68N65DM6AG

Fabricante N.º:

SH68N65DM6AG

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive grade N-channel 650V 35 mOhm 64A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET

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SH68N65DM6AG Hoja de datos (PDF)

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 200)

Cinta cortada

MouseReel™ (+S/23.00)

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	S/74.19	S/74.19
	S/53.02	S/530.20
	S/47.29	S/4,729.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 200)
	S/47.29	S/9,458.00

† S/23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Polaridad del transistor:	N-Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	64 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	35 mOhms
Calificación:	AQG 324
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	STMicroelectronics
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Sensibles a la humedad:	Yes
Tipo de producto:	MOSFETs
Cantidad de empaque de fábrica:	200
Subcategoría:	Transistors
Peso de la unidad:	8.200 g

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MDmesh DM6 N-channel Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh DM6 N-channel Power MOSFETs are part of the MDmesh™ DM6 fast-recovery diodes. These automotive-grade N-channel power MOSFETs offer very low recovery charge (Q_rr) and recovery time (t_rr), combined with low R_DS(on). The DM6 power MOSFETs feature low gate charge, low input capacitance, low on-resistance, high dv/dt ruggedness, and Zener-protection. These power MOSFETs are suitable for the most demanding high-efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.