Toshiba Transistores de radiofrecuencia

Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tipo de producto	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Tipo de transistor	Tecnología	Frecuencia de trabajo	Potencia de salida	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Ganancia	Empaquetado
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) Radio-frequency Bipolar Transistor 2SC5108-Y,LF Toshiba 1: S/3.39 2,744En existencias	N.º de artículo del Fabricante 2SC5108-Y,LF N.º de artículo de Mouser 757-2SC5108-YLF	Toshiba	Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) Radio-frequency Bipolar Transistor Obtenga más información sobre Toshiba rf bipolar transistors	Hoja de datos	2,744En existencias	Cinta cortada S/3.39 S/2.34 S/1.48 S/0.915 Envase tipo carrete S/0.603 Ver S/0.708 S/0.522 S/0.455 S/0.37 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	RF Bipolar Transistors				Si						Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) RF Device VHF/UHF 12V 150mW 13.5dB 2SC5087R(TE85L,F) Toshiba 1: S/3.74 545En existencias	N.º de artículo del Fabricante 2SC5087R(TE85L,F) N.º de artículo de Mouser 757-2SC5087RTE85LF	Toshiba	Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) RF Device VHF/UHF 12V 150mW 13.5dB Obtenga más información sobre Toshiba rf bipolar transistors	Hoja de datos	545En existencias	Cinta cortada S/3.74 S/2.58 S/1.64 S/1.01 Envase tipo carrete S/0.646 Ver S/0.763 S/0.572 S/0.498 S/0.409 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	RF Bipolar Transistors	SMD/SMT	SMQ-4	Bipolar	Si	8 GHz		- 55 C	+ 125 C		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch Radio Freq 3A 20W 12V VDSS 2SK4037(TE12L,Q) Toshiba 1: S/24.95 420En existencias	N.º de artículo del Fabricante 2SK4037(TE12L,Q) N.º de artículo de Mouser 757-2SK4037TE12LQ	Toshiba	Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch Radio Freq 3A 20W 12V VDSS	Hoja de datos	420En existencias	Cinta cortada S/24.95 S/16.35 S/12.07 S/10.70 Envase tipo carrete S/9.58 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	RF MOSFETs	SMD/SMT	PW-X-4		Si	470 MHz	36.5 dBm		+ 150 C	11.5 dB	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 0.1A 0.25W 20V RFM00U7U(TE85L,F) Toshiba 3,000: S/2.19 No en existencias	N.º de artículo del Fabricante RFM00U7U(TE85L,F) N.º de artículo de Mouser 757-RFM00U7UTE85LF	Toshiba	Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 0.1A 0.25W 20V	Hoja de datos	No en existencias	Envase tipo carrete S/2.19 S/2.13	Min.: 3,000 Mult.: 3,000 : 3,000	RF MOSFETs	SMD/SMT	SOT-343-4		Si	520 MHz	200 mW			13 dB	Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 4A 20W 20V RFM12U7X(TE12L,Q) Toshiba 1,000: S/20.44 No en existencias	N.º de artículo del Fabricante RFM12U7X(TE12L,Q) N.º de artículo de Mouser 757-RFM12U7XTE12LQ	Toshiba	Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 4A 20W 20V	Hoja de datos	No en existencias	Envase tipo carrete S/20.44	Min.: 1,000 Mult.: 1,000 : 1,000	RF MOSFETs	SMD/SMT	PW-X-4		Si	520 MHz	12 W			10.8 dB	Reel