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STMicroelectronics Transistores de radiofrecuencia

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Tipos de Transistores de radiofrecuencia

Lista Imágenes

Resultados: 92

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Fabricante = STMicroelectronics

Tipo de producto

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Frecuencia de trabajo

Potencia de salida

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Temperatura de trabajo máxima

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch

PD55025-E
STMicroelectronics
1: S/123.28
45En existencias
400Se espera el 21/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
PD55025-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD55025-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch

Hoja de datos

45En existencias

400Se espera el 21/08/2026

S/123.28

S/90.34

S/84.35

S/81.90

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

1 GHz

25 W

- 65 C

+ 150 C

14.5 dB

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HF/VHF/UHF RF N-Ch 300W 15dB 175MHz

SD2932BW
STMicroelectronics
1: S/849.77
35En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SD2932BW

N.º de artículo de Mouser
511-SD2932BW

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HF/VHF/UHF RF N-Ch 300W 15dB 175MHz

35En existencias

S/849.77

S/736.81

Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors

Screw Mount

250 MHz

300 W

+ 200 C

15 dB

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 175W 15dB 175MHz

SD2941-10W
STMicroelectronics
1: S/347.44
19En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SD2941-10W

N.º de artículo de Mouser
511-SD2941-10W

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 175W 15dB 175MHz

Hoja de datos

19En existencias

S/347.44

S/282.05

Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors

Screw Mount

175 MHz

175 W

+ 200 C

15 dB

Bulk

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 300W - 50V Moisture Resistnt HF/VHF DMOS

SD4933MR
STMicroelectronics
1: S/644.83
142Se espera el 21/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
SD4933MR

N.º de artículo de Mouser
511-SD4933MR

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 300W - 50V Moisture Resistnt HF/VHF DMOS

Obtenga más información

Hoja de datos

142Se espera el 21/07/2026

S/644.83

S/495.90

Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors

SMD/SMT

M177MR-5

100 MHz

300 W

- 65 C

+ 150 C

24 dB

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch 65 Volt 5 Amp

SD57045
STMicroelectronics
1: S/400.97
3En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SD57045

N.º de artículo de Mouser
511-SD57045

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch 65 Volt 5 Amp

Hoja de datos

3En existencias

S/400.97

S/333.16

S/301.79

Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors

SMD/SMT

M243

1 GHz

45 W

- 65 C

+ 150 C

13 dB

Bulk

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 300W 20dB 30MHz

SD2933W
STMicroelectronics
1: S/493.18
1,025En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SD2933W

N.º de artículo de Mouser
511-SD2933W

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 300W 20dB 30MHz

Hoja de datos

1,025En pedido

S/493.18

S/423.08

Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors

Bulk

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS transistor HF up to 1.5 GHz

ST9045C
STMicroelectronics
1: S/345.42
45Se espera el 23/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
ST9045C

N.º de artículo de Mouser
511-ST9045C

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS transistor HF up to 1.5 GHz

Obtenga más información

Hoja de datos

45Se espera el 23/07/2026

S/345.42

S/285.44

S/277.11

Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors

SMD/SMT

M243-3

1.5 GHz

+ 200 C

Bulk

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch, 25V 5A 3Pin Transistor, LDMOST

PD54008TR-E
STMicroelectronics
600: S/39.12
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PD54008TR-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD54008TR-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch, 25V 5A 3Pin Transistor, LDMOST

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

Envase tipo carrete

S/39.12

S/36.12

Ver

Min.: 600
Mult.: 600

: 600

RF MOSFET Transistors

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

1 GHz

8 W

- 65 C

+ 150 C

11.5 dB

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.

PD55003S-E
STMicroelectronics
1: S/53.37
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PD55003S-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD55003S-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

S/53.37

S/39.78

S/33.13

S/29.54

S/27.60

Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Straight-4

1 GHz

3 W

- 65 C

+ 150 C

17 dB

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.

PD55015STR-E
STMicroelectronics
600: S/40.75
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PD55015STR-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD55015STR-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

Envase tipo carrete

S/40.75

Presupuesto

Min.: 600
Mult.: 600

: 600

RF MOSFET Transistors

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Straight-4

1 GHz

15 W

- 65 C

+ 150 C

14 dB

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power Trans N-Channel

PD55025TR-E
STMicroelectronics
600: S/85.56
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PD55025TR-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD55025TR-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power Trans N-Channel

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

Envase tipo carrete

S/85.56

Min.: 600
Mult.: 600

: 600

RF MOSFET Transistors

SMD/SMT

PowerSO-10RF-2

500 MHz

25 W

+ 165 C

14.5 dB

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.

PD57018STR-E
STMicroelectronics
600: S/88.32
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PD57018STR-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD57018STR-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

Envase tipo carrete

S/88.32

Presupuesto

Min.: 600
Mult.: 600

: 600

RF MOSFET Transistors

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Straight-4

1 GHz

18 W

- 65 C

+ 150 C

16.5 dB

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.

PD57018TR-E
STMicroelectronics
600: S/88.71
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PD57018TR-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD57018TR-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

Envase tipo carrete

S/88.71

Min.: 600
Mult.: 600

: 600

RF MOSFET Transistors

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

1 GHz

18 W

- 65 C

+ 150 C

16.5 dB

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.

PD57030S-E
STMicroelectronics
400: S/130.79
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PD57030S-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD57030S-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

S/130.79

Ver

Min.: 400
Mult.: 400

RF MOSFET Transistors

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Straight-4

1 GHz

30 W

- 65 C

+ 150 C

14 dB

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch

PD57045-E
STMicroelectronics
400: S/164.22
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PD57045-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD57045-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

S/164.22

Ver

Min.: 400
Mult.: 400

RF MOSFET Transistors

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

1 GHz

45 W

- 65 C

+ 150 C

13 dB

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam

PD57060S-E
STMicroelectronics
400: S/176.02
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PD57060S-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD57060S-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

S/176.02

Min.: 400
Mult.: 400

RF MOSFET Transistors

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Straight-4

1 GHz

60 W

- 65 C

+ 150 C

14.3 dB

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam

PD57060TR-E
STMicroelectronics
600: S/175.51
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PD57060TR-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD57060TR-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

Envase tipo carrete

S/175.51

Presupuesto

Min.: 600
Mult.: 600

: 600

RF MOSFET Transistors

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

1 GHz

60 W

- 65 C

+ 150 C

14.3 dB

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F. N-Ch Trans

PD85035S-E
STMicroelectronics
400: S/81.94
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PD85035S-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD85035S-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F. N-Ch Trans

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

S/81.94

Presupuesto

Min.: 400
Mult.: 400

RF MOSFET Transistors

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Straight-4

1 GHz

35 W

- 65 C

+ 150 C

14.9 dB

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F. N-Ch Trans

PD85035STR-E
STMicroelectronics
600: S/88.90
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PD85035STR-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD85035STR-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F. N-Ch Trans

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

Envase tipo carrete

S/88.90

Min.: 600
Mult.: 600

: 600

RF MOSFET Transistors

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Straight-4

1 GHz

35 W

- 65 C

+ 150 C

14.9 dB

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 200 W, 28 V, HF to 1.5 GHz RF power LDMOS transistor

RF2L15200CB4
STMicroelectronics
100: S/606.41
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
RF2L15200CB4

N.º de artículo de Mouser
511-RF2L15200CB4

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 200 W, 28 V, HF to 1.5 GHz RF power LDMOS transistor

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

Envase tipo carrete

S/606.41

Min.: 100
Mult.: 100

: 100

RF MOSFET Transistors

SMD/SMT

LBB-5

860 MHz

200 W

+ 200 C

17.5 dB

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 180 W, 28 V, 1.3 to 1.7 GHz RF power LDMOS transistor

RF2L16180CF2
STMicroelectronics
120: S/471.65
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
RF2L16180CF2

N.º de artículo de Mouser
511-RF2L16180CF2

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 180 W, 28 V, 1.3 to 1.7 GHz RF power LDMOS transistor

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

Envase tipo carrete

S/471.65

Min.: 120
Mult.: 120

: 120

RF MOSFET Transistors

SMD/SMT

B2-3

1.47 GHz

180 W

+ 200 C

17.5 dB

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 15 W, 28 V, 0.7 to 2.7 GHz RF power LDMOS transistor

RF2L27015CG2
STMicroelectronics
300: S/134.76
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
RF2L27015CG2

N.º de artículo de Mouser
511-RF2L27015CG2

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 15 W, 28 V, 0.7 to 2.7 GHz RF power LDMOS transistor

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

Envase tipo carrete

S/134.76

Min.: 300
Mult.: 300

: 300

RF MOSFET Transistors

SMD/SMT

E2-3

2.7 GHz

15 W

+ 200 C

19 dB

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 25 W, 28 V, 0.7 to 2.7 GHz RF power LDMOS transistor

RF2L27025CG2
STMicroelectronics
300: S/145.07
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
RF2L27025CG2

N.º de artículo de Mouser
511-RF2L27025CG2

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 25 W, 28 V, 0.7 to 2.7 GHz RF power LDMOS transistor

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

Envase tipo carrete

S/145.07

Min.: 300
Mult.: 300

: 300

RF MOSFET Transistors

SMD/SMT

E2-3

2.7 GHz

25 W

+ 200 C

18 dB

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 40 W, 28 V, 2.7 to 3.6 GHz RF power LDMOS transistor

RF2L36040CF2
STMicroelectronics
160: S/235.81
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
RF2L36040CF2

N.º de artículo de Mouser
511-RF2L36040CF2

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 40 W, 28 V, 2.7 to 3.6 GHz RF power LDMOS transistor

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

Envase tipo carrete

S/235.81

Min.: 160
Mult.: 160

: 160

RF MOSFET Transistors

SMD/SMT

A2-3

3.6 GHz

40 W

+ 200 C

14 dB

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 150 W, 28/32 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor

RF3L05150CB4
STMicroelectronics
1: S/764.84
Plazo de entrega 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
RF3L05150CB4

N.º de artículo de Mouser
511-RF3L05150CB4

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 150 W, 28/32 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega 52 Semanas

Cinta cortada

S/764.84

S/606.41

Envase tipo carrete

S/606.41

Min.: 1
Mult.: 1

: 100

RF MOSFET Transistors

Through Hole

LBB-4

945 MHz

150 W

+ 200 C

16 dB

Reel, Cut Tape

STMicroelectronics Transistores de radiofrecuencia

Tipos de Transistores de radiofrecuencia

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

A2-3
B2-3
B4E-5
E2-3
LBB-3
LBB-4
LBB-5
M174
M177
M177MR-5
M243
M243-3
M244
M246
M250
MM-2
PowerFLAT (5x5)
PowerSO-10
PowerSO-10RF-2
PowerSO-10RF-Formed-4

1 MHz
100 MHz
150 MHz
175 MHz
200 MHz
230 MHz
250 MHz
500 MHz
860 MHz
870 MHz
930 MHz
945 MHz
1 GHz
1.47 GHz
1.5 GHz
1.6 GHz
1.625 GHz
2.7 GHz
3.5 GHz
3.6 GHz

3 W
8 W
12 W
15 W
18 W
25 W
30 W
35 W
40 W
45 W
60 W
75 W
80 W
120 W
150 W
175 W
180 W
200 W
250 W
300 W

11.5 dB
12 dB
12.5 dB
13 dB
13.4 dB
14 dB
14.3 dB
14.5 dB
14.8 dB
14.9 dB
15 dB
16 dB
16.5 dB
17 dB
17.3 dB
17.5 dB
18 dB
19 dB
20 dB
21 dB