ART2K0FESJ

Name: Ampleon ART2K0FESJ
Brand: Ampleon
SKU: 94-ART2K0FESJ
Price: 875.62 PEN
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

94-ART2K0FESJ

Fabricante N.º:

ART2K0FESJ

Fabricante:

Ampleon

Descripción:

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K0FES/SOT539/TRAY

Hoja de datos:

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ART2K0FESU

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Mín.:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Ampleon
Categoría de producto:	Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
RoHS:
Polaridad del transistor:	Dual N-Channel
Tecnología:	LDMOS
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	65 V
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	100 mOhms
Frecuencia de trabajo:	1 MHz to 400 MHz
Ganancia:	28.4 dB
Potencia de salida:	2 kW
Temperatura de trabajo máxima:	+ 225 C
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOT539BN-5
Empaquetado:	Tray
Marca:	Ampleon
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Número de canales:	2 Channel
Tipo de producto:	RF MOSFETs
Cantidad de empaque de fábrica:	100
Subcategoría:	RF Transistors
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 9 V, + 13 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Alias de las piezas n.º:	934960538118
Peso de la unidad:	6.819 g

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

ART2K0 LDMOS RF Power Transistors

Ampleon ART2K0 LDMOS RF Power Transistors are based on Advanced Rugged Technology (ART) and designed to cover various ISM, broadcast, and communications applications. The unmatched 2000W LDMOS devices have a frequency range of 1MHz to 400MHz. Designed for broadband operation, the Ampleon ART2K0 transistors deliver high efficiency and excellent thermal stability/ruggedness with no device degradation.