Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) RF Bipolar Transistor .1A 900mW
MT3S113TU,LF
Toshiba
1:
S/2.96
1,725 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-MT3S113TULF
Toshiba
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) RF Bipolar Transistor .1A 900mW
1,725 En existencias
1
S/2.96
10
S/2.36
100
S/2.04
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S/1.74
3,000
S/1.40
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S/1.60
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S/1.29
9,000
S/1.22
24,000
S/1.13
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Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) RF Device VHF/UHF 12V 150mW 13.5dB
2SC5087R(TE85L,F)
Toshiba
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S/3.74
657 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-2SC5087RTE85LF
Toshiba
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) RF Device VHF/UHF 12V 150mW 13.5dB
657 En existencias
1
S/3.74
10
S/2.58
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S/1.64
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S/1.01
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S/0.646
6,000
Ver
1,000
S/0.763
6,000
S/0.572
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S/0.498
24,000
S/0.409
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Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) Radio-frequency Bipolar Transistor
2SC5108-Y,LF
Toshiba
1:
S/3.39
2,754 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-2SC5108-YLF
Toshiba
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) Radio-frequency Bipolar Transistor
2,754 En existencias
1
S/3.39
10
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S/0.915
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S/0.522
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S/0.455
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S/0.37
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch Radio Freq 3A 20W 12V VDSS
2SK4037(TE12L,Q)
Toshiba
1:
S/24.95
422 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-2SK4037TE12LQ
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch Radio Freq 3A 20W 12V VDSS
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Transceptor de RF 2.0 to 5.5V -117dBm Automotive; AEC-Q
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TC32306FTG,EL
Toshiba
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S/14.99
1,958 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TC32306FTG,EL
Toshiba
Transceptor de RF 2.0 to 5.5V -117dBm Automotive; AEC-Q
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4,000
S/8.37
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Circuitos integrados de interruptores de RF RF SWITCH, SPDT, 0.7 TO 5GHZ, WCSP-14
TCWA1225G,LF
Toshiba
1:
S/14.56
4,290 En existencias
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N.º de artículo de Mouser 755-TCWA1225GLF
Nuevo producto
Toshiba
Circuitos integrados de interruptores de RF RF SWITCH, SPDT, 0.7 TO 5GHZ, WCSP-14
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1
S/14.56
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S/8.37
2,500
S/8.25
5,000
S/7.71
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 0.1A 0.25W 20V
RFM00U7U(TE85L,F)
Toshiba
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S/2.19
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N.º de artículo de Mouser 757-RFM00U7UTE85LF
Toshiba
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 0.1A 0.25W 20V
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S/2.19
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 4A 20W 20V
RFM12U7X(TE12L,Q)
Toshiba
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S/20.44
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N.º de artículo de Mouser 757-RFM12U7XTE12LQ
Toshiba
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 4A 20W 20V
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