Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) RF Bipolar Transistor .1A 900mW
MT3S113TU,LF
Toshiba
1:
S/2.26
2,169 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-MT3S113TULF
Toshiba
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) RF Bipolar Transistor .1A 900mW
2,169 En existencias
1
S/2.26
10
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S/1.10
9,000
S/1.02
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S/1.01
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Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) RF Device VHF/UHF 12V 150mW 13.5dB
2SC5087R(TE85L,F)
Toshiba
1:
S/2.22
867 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-2SC5087RTE85LF
Toshiba
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) RF Device VHF/UHF 12V 150mW 13.5dB
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1
S/2.22
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S/0.424
24,000
S/0.381
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Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) Radio-frequency Bipolar Transistor
2SC5108-Y,LF
Toshiba
1:
S/2.06
2,865 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-2SC5108-YLF
Toshiba
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) Radio-frequency Bipolar Transistor
2,865 En existencias
1
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9,000
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S/0.354
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Transceptor de RF 2.0 to 5.5V -117dBm Automotive; AEC-Q
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TC32306FTG,EL
Toshiba
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S/14.56
1,988 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TC32306FTG,EL
Toshiba
Transceptor de RF 2.0 to 5.5V -117dBm Automotive; AEC-Q
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch Radio Freq 3A 20W 12V VDSS
2SK4037(TE12L,Q)
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N.º de artículo de Mouser 757-2SK4037TE12LQ
Toshiba
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch Radio Freq 3A 20W 12V VDSS
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S/9.07
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Circuitos integrados de interruptores de RF RF SWITCH, SPDT, 0.7 TO 5GHZ, WCSP-14
TCWA1225G,LF
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S/20.05
4,890 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser 755-TCWA1225GLF
Nuevo producto
Toshiba
Circuitos integrados de interruptores de RF RF SWITCH, SPDT, 0.7 TO 5GHZ, WCSP-14
4,890 En existencias
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S/20.05
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S/7.55
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch Radio Freq 3A 20W 10V VDSS
2SK3079ATE12LQ
Toshiba
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S/12.88
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N.º de artículo de Mouser 757-2SK3079ATE12LQ
Toshiba
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch Radio Freq 3A 20W 10V VDSS
No en existencias
1
S/12.88
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S/5.41
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S/4.55
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S/4.36
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 0.1A 0.25W 20V
RFM00U7U(TE85L,F)
Toshiba
3,000:
S/2.04
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N.º de artículo de Mouser 757-RFM00U7UTE85LF
Toshiba
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 0.1A 0.25W 20V
No en existencias
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S/2.04
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S/1.94
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S/1.92
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 4A 20W 20V
RFM12U7X(TE12L,Q)
Toshiba
1,000:
S/19.15
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N.º de artículo de Mouser 757-RFM12U7XTE12LQ
Toshiba
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 4A 20W 20V
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