Herramientas de desarrollo Sub-GHz MRFX1K80N-230MHZ
MRFX1K80N-230MHZ
NXP Semiconductors
1:
S/8,686.58
Plazo de entrega no en existencias 1 semana
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771-MRFX1K80N-230MHZ
NXP Semiconductors
Herramientas de desarrollo Sub-GHz MRFX1K80N-230MHZ
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Herramientas de desarrollo Sub-GHz MRFX600H 87.5-108 MHz Reference Circuit
MRFX600H-88MHZ
NXP Semiconductors
1:
S/8,762.02
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771-MRFX600H-88MHZ
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Herramientas de desarrollo Sub-GHz MRFX600H 87.5-108 MHz Reference Circuit
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Amplificador de RF Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 575-1300 MHz, 4 W AVG., 48 V
A2I09VD030GNR1
NXP Semiconductors
500:
S/147.49
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841-A2I09VD030GNR1
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Amplificador de RF Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 575-1300 MHz, 4 W AVG., 48 V
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Amplificador de RF 978-1090 MHz, 250 W Peak, 50 V
AFIC10275GNR1
NXP Semiconductors
500:
S/1,419.56
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
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841-AFIC10275GNR1
NXP Semiconductors
Amplificador de RF 978-1090 MHz, 250 W Peak, 50 V
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 55W 12.5V TO270WB4
AFT09MP055NR1
NXP Semiconductors
500:
S/122.50
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841-AFT09MP055NR1
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 55W 12.5V TO270WB4
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 800MHZ13.6V
AFT09MS031GNR1
NXP Semiconductors
500:
S/89.10
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841-AFT09MS031GNR1
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 800MHZ13.6V
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Amplificador de RF HV8IC 70W TO270WBL16
MD8IC970NR1
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500:
S/199.65
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841-MD8IC970NR1
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Amplificador de RF HV8IC 70W TO270WBL16
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Herramientas de desarrollo RF MMRF5014H 500-2500 MHz Reference Circuit
MMRF5014H-500MHZ
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1:
S/6,405.97
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841-MMRF5014H-500MHZ
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Herramientas de desarrollo RF MMRF5014H 500-2500 MHz Reference Circuit
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V
MRF1K50GNR5
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50:
S/1,102.86
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841-MRF1K50GNR5
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 250W 50V NI780H
MRF6V12250HR5
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50:
S/2,611.40
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841-MRF6V12250HR5
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 250W 50V NI780H
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1400MHZ 50V
MRF6V14300HSR5
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50:
S/2,275.83
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841-MRF6V14300HSR5
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1400MHZ 50V
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1.25KW ISM NI1230H
MRFE6VP61K25HR6
NXP Semiconductors
150:
S/1,264.09
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841-MRFE6VP61K25HR6
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1.25KW ISM NI1230H
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 150W 2700-3100MHz
AFT31150NR5
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50:
S/1,155.41
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NRND
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771-AFT31150NR5
NRND
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 150W 2700-3100MHz
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Herramientas de desarrollo Sub-GHz MRF101AN 50 MHz Reference Circuit
MRF101AN-50MHZ
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1:
S/2,145.70
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NRND
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771-MRF101AN-50MHZ
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Herramientas de desarrollo Sub-GHz MRF101AN 50 MHz Reference Circuit
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 500W 50V NI780H
MRF6V12500HR5
NXP Semiconductors
50:
S/3,703.13
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NRND
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841-MRF6V12500HR5
NRND
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 500W 50V NI780H
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HV6 900MHZ 10W
MW6S010GNR1
NXP Semiconductors
500:
S/105.99
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
NRND
N.º de artículo de Mouser
841-MW6S010GNR1
NRND
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HV6 900MHZ 10W
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System on a Chip (SoC) RF
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88MW300-B0-NAP2E000
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1,300:
S/28.38
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771-88MW300B0NAPEAK
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System on a Chip (SoC) RF
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System on a Chip (SoC) RF
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88MW300-B0-NAP2E000-P123
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2,000:
S/28.38
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771-88MW300B0NAPEAZ
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System on a Chip (SoC) RF
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System on a Chip (SoC) RF
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88MW300-B0-NAP2I000
NXP Semiconductors
1,300:
S/34.88
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771-88MW300B0NAPIAK
NXP Semiconductors
System on a Chip (SoC) RF
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System on a Chip (SoC) RF
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88MW300-B0-NAP2I000-P123
NXP Semiconductors
2,000:
S/34.72
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
N.º de artículo de Mouser
771-88MW300B0NAPIAZ
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System on a Chip (SoC) RF
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System on a Chip (SoC) RF
88MW302-B0-NXU2E000
NXP Semiconductors
840:
S/34.33
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
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771-88MW302B0NXUEAK
NXP Semiconductors
System on a Chip (SoC) RF
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System on a Chip (SoC) RF
88MW302-B0-NXU2E000-P123
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S/33.36
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N.º de artículo de Mouser
771-88MW302B0NXUEAZ
NXP Semiconductors
System on a Chip (SoC) RF
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System on a Chip (SoC) RF
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88MW320-A0-NAP2C000
NXP Semiconductors
260:
S/23.82
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
N.º de artículo de Mouser
771-88MW320A0NAPCAK
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System on a Chip (SoC) RF
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System on a Chip (SoC) RF
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88MW320-A0-NAP2C000-P123
NXP Semiconductors
2,000:
S/24.52
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N.º de artículo de Mouser
771-88MW320A0NAPCAZ
NXP Semiconductors
System on a Chip (SoC) RF
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System on a Chip (SoC) RF
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88MW320-A0-NAP2E000
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1,300:
S/25.11
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
N.º de artículo de Mouser
771-88MW320A0NAPEAK
NXP Semiconductors
System on a Chip (SoC) RF
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
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Mult.: 1,300
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