Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9H0912LS-700G/SOT502/TRAY
BLA9H0912LS-700GU
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC2425M10LS500P/SOT1250/TRAYD
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF978P/SOT539/TRAY
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLL9G1214L-600/SOT502/TRAY
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM10D3438-35AB/SOT1462/REELDP
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) CLF3H0035-100/SOT467C/TRAY
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) CLF3H0035S-100/SOT467B/TRAY
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) CLF3H0035S-100/SOT467B/TRAY
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART450FE/SOT1121/TRAY
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART450FE/SOT1121/TRAY
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART150FE/SOT467C/TRAY
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART35FE/SOT467C/TRAY
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART35FE/SOT467C/TRAY
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B11G2327N71D/PQFN-12x7/REELDP
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9H0912LS-250G/SOT502/TRAY
BLA9H0912LS-250GU
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC2425M9LS250/SOT1270/TRAYDP
BLC2425M9LS250Z
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S/404.74
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S/350.60
60
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF13H9L750P/SOT1483/TRAY
BLF13H9L750PU
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94-BLF13H9L750PU
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF647PS/SOT1121/TRAY
BLF647PS,112
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF974P/SOT539/TRAY
BLF974PU
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF984P/SOT1121/TRAY
BLF984PU
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF989E/SOT539/TRAY
BLF989EU
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94-BLF989EU
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF989E/SOT539/TRAY
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LDMOS 2-Stage Power MMIC
BLM2425M7S60PY
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LDMOS 2-Stage Power MMIC
83 En existencias
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S/175.67
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S/125.46
500
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500
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM2425M9S20/OMP-400/TRAYDP
BLM2425M9S20Z
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94-BLM2425M9S20Z
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM2425M9S20/OMP-400/TRAYDP
Plazo de entrega 16 Semanas
1
S/111.71
10
S/81.55
25
S/71.43
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LDMOS 2-stage power MMIC
BLM7G1822S-40PBGY
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S/165.51
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94-BLM7G1822S-40PBGY
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LDMOS 2-stage power MMIC
75 En existencias
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1
S/165.51
10
S/144.92
20
S/137.76
100
S/107.28
500
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500
Presupuesto
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LDMOS 2-Stage Power MMIC
BLM7G1822S-80PBGY
Ampleon
1:
S/255.43
94 En existencias
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N.º de artículo de Mouser
94-BLM7G1822S-80PBGY
Nuevo en Mouser
Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LDMOS 2-Stage Power MMIC
94 En existencias
1
S/255.43
10
S/207.16
20
S/200.46
50
S/200.31
100
S/175.20
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM9D2327-26B/SOT1275/REELDP
BLM9D2327-26BZ
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1:
S/112.88
180 En existencias
500 Se espera el 29/04/2026
Nuevo en Mouser
N.º de artículo de Mouser
94-BLM9D2327-26BZ
Nuevo en Mouser
Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM9D2327-26B/SOT1275/REELDP
180 En existencias
500 Se espera el 29/04/2026
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1
S/112.88
10
S/85.28
25
S/78.43
50
S/78.39
100
Ver
500
S/70.57
100
S/76.60
250
S/76.57
500
S/70.57
1,000
Presupuesto
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Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP05H9S500P/OMP-780/REELDP
BLP05H9S500PY
Ampleon
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S/275.36
118 En existencias
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N.º de artículo de Mouser
94-BLP05H9S500PY
Nuevo en Mouser
Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP05H9S500P/OMP-780/REELDP
118 En existencias
1
S/275.36
10
S/222.30
20
S/219.50
50
S/219.38
100
S/199.53
200
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200
S/198.25
500
Presupuesto
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Min.: 1
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Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S100G/TO270/REEL
BLP15H9S100GXY
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S/98.71
127 En existencias
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N.º de artículo de Mouser
94-BLP15H9S100GXY
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S100G/TO270/REEL
127 En existencias
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1
S/98.71
10
S/87.74
20
S/81.86
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S/75.32
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Ver
200
S/71.08
500
S/66.37
1,000
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Min.: 1
Mult.: 1
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