AISC-xx02F 0.5mm Power Inductors

Abracon AISC-xx02F 0.5mm Power Inductors are high-power density inductors in an extremely low profile of just 0.5mm. These inductors showcase a wire wound construction around a horizontal core and high inductance/mm³. The AISC-xx02F 0.5mm inductors feature semi-shielded magnetics and up to 10µH inductance. These low-profile power inductors offer high self-resonant frequency and low radiation. The AISC-xx02F power inductors are suitable for use in smartphones, wearable exercise monitors, diagnostics patches, hearing aids, glasses, cameras, highly dense power circuitry, and textile applications.

Tipos de inductores, bobinas y espirales
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Inductancia
Tolerancia
Corriente CC máxima
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180 nH 5 % 250 mA SMD/SMT + 125 C
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220 nH 2 % 250 mA SMD/SMT + 125 C
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220 nH 10 % 250 mA SMD/SMT + 125 C
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260 nH 2 % 200 mA SMD/SMT + 125 C
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260 nH 10 % 200 mA SMD/SMT + 125 C
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270 nH 2 % 200 mA SMD/SMT + 125 C
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270 nH 10 % 200 mA SMD/SMT + 125 C
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280 nH 2 % 100 mA SMD/SMT + 125 C
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280 nH 10 % 100 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON Inductores de RF - SMD IND 300nH 0.15A 2500m?
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300 nH 2 % 150 mA SMD/SMT + 125 C
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300 nH 5 % 150 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON Inductores de RF - SMD IND 300nH 0.15A 2500m?
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300 nH 10 % 150 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON Inductores de RF - SMD IND 330nH 0.1A 3800m?
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330 nH 2 % 100 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON Inductores de RF - SMD IND 330nH 0.1A 3800m?
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330 nH 5 % 100 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON Inductores de RF - SMD IND 330nH 0.1A 3800m?
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330 nH 10 % 100 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON Inductores de RF - SMD IND 390nH 0.1A 4350m?
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390 nH 2 % 100 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON Inductores de RF - SMD IND 390nH 0.1A 4350m?
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390 nH 5 % 100 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON Inductores de RF - SMD IND 390nH 0.1A 4350m?
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390 nH 10 % 100 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON Inductores de RF - SMD IND 470nH 0.08A 3600m?
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470 nH 2 % 80 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON Inductores de RF - SMD IND 470nH 0.08A 3600m?
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470 nH 5 % 80 mA SMD/SMT + 125 C