R1RW0416DSB-2PR#D1

Name: Renesas Electronics R1RW0416DSB-2PR#D1
Brand: Renesas Electronics
SKU: 968-R1RW0416DSB2PRD1
Price: 80.03 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

968-R1RW0416DSB2PRD1

Fabricante N.º:

R1RW0416DSB-2PR#D1

Fabricante:

Renesas Electronics

Descripción:

Tamaño de memoria RAM (SRAM) ASYNC. 4M FAST Tamaño de memoria RAM (SRAM)

Hoja de datos:

R1RW0416DSB-2PR#D1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	S/80.03	S/80.03
	S/74.19	S/741.90
	S/71.89	S/1,797.25
	S/70.10	S/3,505.00
	S/68.39	S/6,839.00
	S/66.13	S/17,855.10
	S/64.46	S/34,808.40
1,080	Presupuesto

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Renesas Electronics
Categoría de producto:	Tamaño de memoria RAM (SRAM)
RoHS:
Tamaño de memoria:	4 Mbit
Organización:	256 k x 16
Tiempo de acceso:	12 ns
Voltaje de alimentación - Máx.:	3.6 V
Voltaje de alimentación - Mín.:	3 V
Corriente de suministro - Máx.:	130 mA
Temperatura de trabajo mínima:	0 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 70 C
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TSOP-II-44
Empaquetado:	Tray
Marca:	Renesas Electronics
Tipo de memoria:	SRAM
Sensibles a la humedad:	Yes
Tipo de producto:	SRAM
Cantidad de empaque de fábrica:	135
Subcategoría:	Memory & Data Storage
Tipo:	High Speed

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CAHTS:: 8542320030
USHTS:: 8542320041
TARIC:: 8542324500
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: 3A991.b.2

Asynchronous SRAMs

Renesas Electronics Asynchronous SRAMs are based on high-performance, high-reliability CMOS technology. The technology and innovative circuit design techniques provide a cost-effective solution for high-speed async SRAM memory needs. Fully static asynchronous circuitry requires no clocks or refresh for operation. Renesas delivers asynchronous SRAM in RoHS 6/6-compliant (Green) packaging using industry-standard package options.