R1RW0408DGE-2LR#B1

Name: Renesas Electronics R1RW0408DGE-2LR#B1
Brand: Renesas Electronics
SKU: 968-R1RW0408DGE2LRB1
Price: 77.62 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

968-R1RW0408DGE2LRB1

Fabricante N.º:

R1RW0408DGE-2LR#B1

Fabricante:

Renesas Electronics

Descripción:

Tamaño de memoria RAM (SRAM) Tamaño de memoria RAM (SRAM) 4MB FAST X8 3V SOJ 12NS 0TO70C

Ciclo de vida:

Fin de vida útil:

Se encuentra obsoleto y será discontinuado por el fabricante.

Hoja de datos:

R1RW0408DGE-2LR#B1 Hoja de datos (PDF)

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	S/77.62	S/77.62
	S/71.93	S/719.30
	S/59.98	S/1,319.56
	S/48.50	S/2,134.00
	S/45.58	S/5,013.80

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Renesas Electronics
Categoría de producto:	Tamaño de memoria RAM (SRAM)
RoHS:
Tamaño de memoria:	4 Mbit
Organización:	512 k x 8
Tiempo de acceso:	12 ns
Voltaje de alimentación - Máx.:	3.6 V
Voltaje de alimentación - Mín.:	3 V
Corriente de suministro - Máx.:	100 mA
Temperatura de trabajo mínima:	0 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 70 C
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOJ-36
Empaquetado:	Tray
Marca:	Renesas Electronics
Tipo de memoria:	SRAM
Tipo de producto:	SRAM
Cantidad de empaque de fábrica:	22
Subcategoría:	Memory & Data Storage
Tipo:	High Speed

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CAHTS:: 8542320030
USHTS:: 8542320041
TARIC:: 8542324500
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: 3A991.b.2.a

Asynchronous SRAMs

Renesas Electronics Asynchronous SRAMs are based on high-performance, high-reliability CMOS technology. The technology and innovative circuit design techniques provide a cost-effective solution for high-speed async SRAM memory needs. Fully static asynchronous circuitry requires no clocks or refresh for operation. Renesas delivers asynchronous SRAM in RoHS 6/6-compliant (Green) packaging using industry-standard package options.