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+ 125 C Memoria RAM magnetorresistiva

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Resultados: 36

Filtros aplicados:

Temperatura de trabajo máxima = + 125 C

Paquete / Cubierta

Tipo de interfaz

Tamaño de memoria

Organización

Ancho de bus de datos

Tiempo de acceso

Voltaje de alimentación - Mín.

Voltaje de alimentación - Máx.

Corriente de suministro operativa

Serie

Empaquetado

Restablecer todos

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En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

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EM064LXQAB313HS2T
Everspin Technologies
1: S/941.71
100En existencias
39Se espera el 15/01/2027
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
EM064LXQAB313HS2T

N.º de artículo de Mouser
936-M064LXQAB313HS2T

Nuevo producto

Everspin Technologies

Memoria RAM magnetorresistiva 64Mb 133MHz 1.8V 24-BGA -40C to +125C. AEC-Q100 Automotive Temp Grade

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Hoja de datos

100En existencias

39Se espera el 15/01/2027

S/941.71

S/855.81

S/831.05

Min.: 1
Mult.: 1

BGA-24

QSPI

64 Mbit

8 M x 8

1.7 V

2 V

48.5 mA

- 40 C

+ 125 C

Tray

Memoria RAM magnetorresistiva 128Mb 133MHz 1.8V 24-BGA -40C to +125C. AEC-Q100 Automotive Temp Grade

EM128LXQAB313HS2T
Everspin Technologies
1: S/2,778.19
100En existencias
39Se espera el 15/01/2027
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
EM128LXQAB313HS2T

N.º de artículo de Mouser
936-M128LXQAB313HS2T

Nuevo producto

Everspin Technologies

Memoria RAM magnetorresistiva 128Mb 133MHz 1.8V 24-BGA -40C to +125C. AEC-Q100 Automotive Temp Grade

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Hoja de datos

100En existencias

39Se espera el 15/01/2027

S/2,778.19

S/2,553.29

Min.: 1
Mult.: 1

BGA-24

QSPI

128 Mbit

16 M x 9

1.7 V

2 V

- 40 C

+ 125 C

Tray

Memoria RAM magnetorresistiva 64Mb 133MHz 1.8V 8-DFN -40C to +125C. AEC-Q100 Automotive Temp Grade

EM064LXQADG13HS2T
Everspin Technologies
1: S/941.71
200En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
EM064LXQADG13HS2T

N.º de artículo de Mouser
936-M064LXQADG13HS2T

Nuevo producto

Everspin Technologies

Memoria RAM magnetorresistiva 64Mb 133MHz 1.8V 8-DFN -40C to +125C. AEC-Q100 Automotive Temp Grade

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Hoja de datos

200En existencias

S/941.71

S/855.81

S/831.05

Min.: 1
Mult.: 1

DFN-8

QSPI

64 Mbit

8 M x 8

1.7 V

2 V

48.5 mA

- 40 C

+ 125 C

Tray

Memoria RAM magnetorresistiva 128Kb 3.3V 16Kx8 SPI

MR25H128AMDF
Everspin Technologies
1: S/60.84
1,234En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MR25H128AMDF

N.º de artículo de Mouser
936-MR25H128AMDF

Everspin Technologies

Memoria RAM magnetorresistiva 128Kb 3.3V 16Kx8 SPI

Obtenga más información

Hoja de datos

1,234En existencias

S/60.84

S/56.52

S/54.77

S/53.48

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

DFN-8

SPI

128 kbit

16 k x 8

8 bit

2.7 V

3.6 V

6 mA, 23 mA

- 40 C

+ 125 C

MR25H128A

Tray

Memoria RAM magnetorresistiva 16Mb 3.3V 45ns 1Mx16 Parallel Memoria RAM magnetorresistiva

MR4A16BUYS45R
Everspin Technologies
1: S/316.27
1,057En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MR4A16BUYS45R

N.º de artículo de Mouser
936-MR4A16BUYS45R

Everspin Technologies

Memoria RAM magnetorresistiva 16Mb 3.3V 45ns 1Mx16 Parallel Memoria RAM magnetorresistiva

Obtenga más información

Hoja de datos

1,057En existencias

Cinta cortada

S/316.27

S/292.09

S/282.60

S/275.51

Ver

Envase tipo carrete

S/213.54

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

TSOP-II-54

Parallel

16 Mbit

1 M x 16

16 bit

45 ns

3 V

3.6 V

60 mA, 152 mA

- 40 C

+ 125 C

MR4A16B

Reel, Cut Tape, MouseReel

Memoria RAM magnetorresistiva 1Mb 3.3V 128Kx8 SPI

MR25H10MDF
Everspin Technologies
1: S/68.86
1,714En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MR25H10MDF

N.º de artículo de Mouser
936-MR25H10MDF

Everspin Technologies

Memoria RAM magnetorresistiva 1Mb 3.3V 128Kx8 SPI

Obtenga más información

Hoja de datos

1,714En existencias

S/68.86

S/63.88

S/61.89

S/60.37

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

DFN-8

SPI

1 Mbit

128 k x 8

8 bit

2.7 V

3.6 V

6 mA, 23 mA

- 40 C

+ 125 C

MR25H10

Tray

Memoria RAM magnetorresistiva 16Mb 3.3V 45ns 2Mx8 Parallel Memoria RAM magnetorresistiva

MR4A08BUYS45
Everspin Technologies
1: S/322.30
263En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MR4A08BUYS45

N.º de artículo de Mouser
936-MR4A08BUYS45

Everspin Technologies

Memoria RAM magnetorresistiva 16Mb 3.3V 45ns 2Mx8 Parallel Memoria RAM magnetorresistiva

Obtenga más información

Hoja de datos

263En existencias

S/322.30

S/297.50

S/287.77

S/280.53

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

TSOP-II-44

Parallel

16 Mbit

2 M x 8

8 bit

45 ns

3 V

3.6 V

60 mA, 152 mA

- 40 C

+ 125 C

MR4A08B

Tray

Memoria RAM magnetorresistiva 256Kb 3.3V 32Kx8 SPI

MR25H256AMDF
Everspin Technologies
1: S/65.78
1,342En existencias
2,280Se espera el 16/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
MR25H256AMDF

N.º de artículo de Mouser
936-MR25H256AMDF

Everspin Technologies

Memoria RAM magnetorresistiva 256Kb 3.3V 32Kx8 SPI

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Hoja de datos

1,342En existencias

2,280Se espera el 16/12/2026

S/65.78

S/61.03

S/59.13

S/57.69

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

DFN-8

SPI

256 kbit

32 k x 8

8 bit

2.7 V

3.6 V

6 mA, 23 mA

- 40 C

+ 125 C

MR25H256

Tray

Memoria RAM magnetorresistiva 16Mb 3.3V 45ns 1Mx16 Parallel Memoria RAM magnetorresistiva

MR4A16BUYS45
Everspin Technologies
1: S/312.26
5En existencias
216Se espera el 14/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
MR4A16BUYS45

N.º de artículo de Mouser
936-MR4A16BUYS45

Everspin Technologies

Memoria RAM magnetorresistiva 16Mb 3.3V 45ns 1Mx16 Parallel Memoria RAM magnetorresistiva

Obtenga más información

Hoja de datos

5En existencias

216Se espera el 14/10/2026

S/312.26

S/288.32

S/278.94

S/271.93

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

TSOP-II-54

Parallel

16 Mbit

1 M x 16

16 bit

45 ns

3 V

3.6 V

60 mA, 152 mA

- 40 C

+ 125 C

MR4A16B

Tray

Memoria RAM magnetorresistiva 1Mb 3V 128Kx8 Serial Memoria RAM magnetorresistiva

MR25H10MDC
Everspin Technologies
1: S/70.73
13En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
MR25H10MDC

N.º de artículo de Mouser
936-MR25H10MDC

NRND

Everspin Technologies

Memoria RAM magnetorresistiva 1Mb 3V 128Kx8 Serial Memoria RAM magnetorresistiva

Obtenga más información

Hoja de datos

13En existencias

S/70.73

S/65.59

S/63.56

S/62.01

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

DFN-8

SPI

1 Mbit

128 k x 8

8 bit

2.7 V

3.6 V

6 mA, 23 mA

- 40 C

+ 125 C

MR25H10

Tray

Memoria RAM magnetorresistiva 128Mb 133MHz 1.8V 8-DFN -40C to +125C. AEC-Q100 Automotive Temp Grade

EM128LXQADG13HS2T
Everspin Technologies
1: S/2,735.30
90Se espera el 15/01/2027
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
EM128LXQADG13HS2T

N.º de artículo de Mouser
936-M128LXQADG13HS2T

Nuevo producto

Everspin Technologies

Memoria RAM magnetorresistiva 128Mb 133MHz 1.8V 8-DFN -40C to +125C. AEC-Q100 Automotive Temp Grade

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Hoja de datos

90Se espera el 15/01/2027

S/2,735.30

S/2,513.93

Min.: 1
Mult.: 1

DFN-8

QSPI

128 Mbit

16 M x 9

1.7 V

2 V

- 40 C

+ 125 C

Tray

Memoria RAM magnetorresistiva 4Mb 3.3V 512Kx8 SPI

MR25H40MDF
Everspin Technologies
1: S/207.31
9,691En pedido

N.º de artículo del Fabricante
MR25H40MDF

N.º de artículo de Mouser
936-MR25H40MDF

Everspin Technologies

Memoria RAM magnetorresistiva 4Mb 3.3V 512Kx8 SPI

Hoja de datos

9,691En pedido

S/207.31

S/191.63

S/185.44

S/180.81

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

DFN-8

SPI

4 Mbit

512 k x 8

8 bit

25 ns

3 V

3.6 V

13.8 mA, 33 mA

- 40 C

+ 125 C

MR25H40

Tray

Memoria RAM magnetorresistiva 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel Memoria RAM magnetorresistiva

MR2A08AMYS35
Everspin Technologies
1: S/214.48
252Se espera el 9/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
MR2A08AMYS35

N.º de artículo de Mouser
936-MR2A08AMYS35

Everspin Technologies

Memoria RAM magnetorresistiva 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel Memoria RAM magnetorresistiva

Obtenga más información

Hoja de datos

252Se espera el 9/09/2026

S/214.48

S/198.25

S/191.82

S/187.03

S/179.76

Min.: 1
Mult.: 1

TSOP-II-44

Parallel

4 Mbit

512 k x 8

8 bit

35 ns

3 V

3.6 V

30 mA, 90 mA

- 40 C

+ 125 C

MR2A08A

Tray

Memoria RAM magnetorresistiva 4MB 3.3V 35ns 512K x 8 Memoria RAM magnetorresistiva

MR2A16AMYS35
Everspin Technologies
1: S/207.74
259Se espera el 8/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
MR2A16AMYS35

N.º de artículo de Mouser
936-MR2A16AMYS35

Everspin Technologies

Memoria RAM magnetorresistiva 4MB 3.3V 35ns 512K x 8 Memoria RAM magnetorresistiva

Hoja de datos

259Se espera el 8/02/2027

S/207.74

S/192.52

S/186.65

S/182.25

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

TSOP-II-44

Parallel

4 Mbit

256 k x 16

16 bit

35 ns

3 V

3.6 V

55 mA, 105 mA

- 40 C

+ 125 C

MR2A16A

Tray

Memoria RAM magnetorresistiva 1Mb 3.3V 64K x 16 35ns Parallel Memoria RAM magnetorresistiva

MR0A16AMYS35
Everspin Technologies
270: S/94.00
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
MR0A16AMYS35

N.º de artículo de Mouser
936-MR0A16AMYS35

Everspin Technologies

Memoria RAM magnetorresistiva 1Mb 3.3V 64K x 16 35ns Parallel Memoria RAM magnetorresistiva

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

S/94.00

Min.: 270
Mult.: 135

TSOP-II-44

Parallel

1 Mbit

64 k x 16

16 bit

35 ns

3 V

3.6 V

55 mA, 105 mA

- 40 C

+ 125 C

MR0A16A

Tray

Memoria RAM magnetorresistiva 1Mb 3.3V 64K x 16 35ns Parallel Memoria RAM magnetorresistiva

MR0A16AMYS35R
Everspin Technologies
1,500: S/99.26
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
MR0A16AMYS35R

N.º de artículo de Mouser
936-MR0A16AMYS35R

Everspin Technologies

Memoria RAM magnetorresistiva 1Mb 3.3V 64K x 16 35ns Parallel Memoria RAM magnetorresistiva

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

Envase tipo carrete

S/99.26

Min.: 1,500
Mult.: 1,500

: 1,500

TSOP-II-44

Parallel

1 Mbit

64 k x 16

16 bit

35 ns

3 V

3.6 V

55 mA, 105 mA

- 40 C

+ 125 C

MR0A16A

Reel

Memoria RAM magnetorresistiva

MR1A16AMYS35
Everspin Technologies
270: S/118.25
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
MR1A16AMYS35

N.º de artículo de Mouser
936-MR1A16AMYS35

Everspin Technologies

Memoria RAM magnetorresistiva

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

S/118.25

Min.: 270
Mult.: 135

TSOP-II-44

Parallel

2 Mbit

128 k x 16

16 bit

35 ns

3 V

3.6 V

55 mA, 105 mA

- 40 C

+ 125 C

MR1A16A

Tray

Memoria RAM magnetorresistiva

MR1A16AMYS35R
Everspin Technologies
1,500: S/117.71
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
MR1A16AMYS35R

N.º de artículo de Mouser
936-MR1A16AMYS35R

Everspin Technologies

Memoria RAM magnetorresistiva

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

Envase tipo carrete

S/117.71

Min.: 1,500
Mult.: 1,500

: 1,500

TSOP-II-44

Parallel

2 Mbit

128 k x 16

16 bit

35 ns

3 V

3.6 V

55 mA, 105 mA

- 40 C

+ 125 C

MR1A16A

Reel

Memoria RAM magnetorresistiva 1Mb 3.3V 128Kx8 SPI

MR25H10MDFR
Everspin Technologies
4,000: S/50.49
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
MR25H10MDFR

N.º de artículo de Mouser
936-MR25H10MDFR

Everspin Technologies

Memoria RAM magnetorresistiva 1Mb 3.3V 128Kx8 SPI

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

Envase tipo carrete

S/50.49

Min.: 4,000
Mult.: 4,000

: 4,000

DFN-8

SPI

1 Mbit

128 k x 8

8 bit

2.7 V

3.6 V

6 mA, 23 mA

- 40 C

+ 125 C

MR25H10

Reel

Memoria RAM magnetorresistiva 128Kb 3.3V 16Kx8 SPI

MR25H128AMDFR
Everspin Technologies
4,000: S/45.31
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
MR25H128AMDFR

N.º de artículo de Mouser
936-MR25H128AMDFR

Everspin Technologies

Memoria RAM magnetorresistiva 128Kb 3.3V 16Kx8 SPI

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

Envase tipo carrete

S/45.31

Min.: 4,000
Mult.: 4,000

: 4,000

DFN-8

SPI

128 kbit

16 k x 8

8 bit

2.7 V

3.6 V

6 mA, 23 mA

- 40 C

+ 125 C

MR25H128A

Reel

Memoria RAM magnetorresistiva 256Kb 3.3V 32Kx8 SPI

MR25H256AMDFR
Everspin Technologies
4,000: S/49.01
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
MR25H256AMDFR

N.º de artículo de Mouser
936-MR25H256AMDFR

Everspin Technologies

Memoria RAM magnetorresistiva 256Kb 3.3V 32Kx8 SPI

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

Envase tipo carrete

S/49.01

Min.: 4,000
Mult.: 4,000

: 4,000

DFN-8

SPI

256 kbit

32 k x 8

8 bit

2.7 V

3.6 V

6 mA, 23 mA

- 40 C

+ 125 C

MR25H256

Reel

Memoria RAM magnetorresistiva 4Mb 3.3V 512Kx8 SPI Pre-Qual Sample Memoria RAM magnetorresistiva

MR25H40MDFR
Everspin Technologies
4,000: S/157.84
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
MR25H40MDFR

N.º de artículo de Mouser
936-MR25H40MDFR

Everspin Technologies

Memoria RAM magnetorresistiva 4Mb 3.3V 512Kx8 SPI Pre-Qual Sample Memoria RAM magnetorresistiva

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

Envase tipo carrete

S/157.84

Min.: 4,000
Mult.: 4,000

: 4,000

DFN-8

SPI

4 Mbit

512 k x 8

8 bit

25 ns

3 V

3.6 V

13.8 mA, 33 mA

- 40 C

+ 125 C

MR25H40

Reel

Memoria RAM magnetorresistiva 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel Memoria RAM magnetorresistiva

MR2A08AMYS35R
Everspin Technologies
1,500: S/169.71
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
MR2A08AMYS35R

N.º de artículo de Mouser
936-MR2A08AMYS35R

Everspin Technologies

Memoria RAM magnetorresistiva 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel Memoria RAM magnetorresistiva

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

Envase tipo carrete

S/169.71

Min.: 1,500
Mult.: 1,500

: 1,500

TSOP-II-44

Parallel

4 Mbit

512 k x 8

8 bit

35 ns

3 V

3.6 V

30 mA, 90 mA

- 40 C

+ 125 C

MR2A08A

Reel

Memoria RAM magnetorresistiva 4MB 3.3V 35ns 512K x 8 Memoria RAM magnetorresistiva

MR2A16AMYS35R
Everspin Technologies
1,500: S/170.88
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
MR2A16AMYS35R

N.º de artículo de Mouser
936-MR2A16AMYS35R

Everspin Technologies

Memoria RAM magnetorresistiva 4MB 3.3V 35ns 512K x 8 Memoria RAM magnetorresistiva

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

Envase tipo carrete

S/170.88

Min.: 1,500
Mult.: 1,500

: 1,500

TSOP-II-44

Parallel

4 Mbit

256 k x 16

16 bit

35 ns

3 V

3.6 V

55 mA, 105 mA

- 40 C

+ 125 C

MR2A16A

Reel

Memoria RAM magnetorresistiva

MR3A16AUYS45
Everspin Technologies
216: S/203.46
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
MR3A16AUYS45

N.º de artículo de Mouser
936-MR3A16AUYS45

Everspin Technologies

Memoria RAM magnetorresistiva

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Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

S/203.46

Min.: 216
Mult.: 108

TSOP-II-54

Parallel

8 Mbit

512 k x 16

16 bit

45 ns

3 V

3.6 V

60 mA, 152 mA

- 40 C

+ 125 C

MR3A16A

Tray

+ 125 C Memoria RAM magnetorresistiva

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