FM28V102A-TG

Infineon Technologies
727-FM28V102A-TG
FM28V102A-TG

Fabricante:

Descripción:
F-RAM 1Mb, 60Mhz 64K x 16 FRAM

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:
No en existencias
Plazo de entrega de fábrica:
14 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
S/-.--
Precio ext.:
S/-.--
Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
S/87.58 S/87.58
S/81.20 S/812.00
S/78.43 S/1,960.75
S/76.72 S/3,836.00
S/74.00 S/7,400.00
S/72.09 S/19,464.30
S/70.26 S/37,940.40

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Infineon
Categoría de producto: F-RAM
RoHS:  
1 Mbit
Parallel
64 k x 16
TSOP-44
60 ns
2 V
3.6 V
- 40 C
+ 85 C
FM28V102
Tray
Marca: Infineon Technologies
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: US
Sensibles a la humedad: Yes
Estilo de montaje: SMD/SMT
Voltaje de alimentación operativo: 3.3 V
Tipo de producto: FRAM
Cantidad de empaque de fábrica: 135
Subcategoría: Memory & Data Storage
Peso de la unidad: 252.740 mg
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

CNHTS:
8542329090
CAHTS:
8542320090
USHTS:
8542320071
JPHTS:
8542320905
KRHTS:
8542321040
TARIC:
8542329000
MXHTS:
8471600499
ECCN:
EAR99

Parallel F-RAM Non-Volatile Memory

Infineon Technologies Parallel F-RAM Non-Volatile Memory operates similarly to other RAM devices and can be used as a drop-in replacement for a standard SRAM in a system. These F-RAMs read and write similar to a standard SRAM. A ferroelectric random access memory or F-RAM is non-volatile, which means that data is retained after power is removed. It provides data retention for over 151 years while eliminating the reliability concerns, functional disadvantages, and system design complexities of battery-backed SRAM (BBSRAM). Fast write timing and high write endurance make the F-RAM superior to other types of memory. These features make these devices ideal for non-volatile memory applications requiring frequent or rapid writes.

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