D5116ANBHXGXN-UF

Name: Kingston D5116ANBHXGXN-UF
Brand: Kingston
SKU: 524-D5116ANBHXGXN-UF
Price: 378.2 PEN
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

524-D5116ANBHXGXN-UF

Fabricante N.º:

D5116ANBHXGXN-UF

Fabricante:

Kingston

Descripción:

DRAM DDR4 8Gb 96 ball 512Mx16 3200Mbps

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Lo nuevo de este fabricante.

Hoja de datos:

D5116ANBHXGXN-UF Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre Kingston D5116ANBHXGXN-UF

En existencias: 20

Existencias:: 20 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 12 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

S/-.--

Precio ext.:

S/-.--

Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	S/378.20	S/378.20
	S/348.81	S/3,488.10
	S/337.32	S/8,433.00
	S/328.80	S/16,440.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Kingston
Categoría de producto:	DRAM
RoHS:
Tipo:	SDRAM - DDR4
Tamaño de memoria:	8 GB
Paquete / Cubierta:	FBGA-96
Organización:	512 M x 16
Voltaje de alimentación - Mín.:	1.14 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	1.26 V
Temperatura de trabajo mínima:	0 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 95 C
Empaquetado:	Tray
Marca:	Kingston
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TW
Sensibles a la humedad:	Yes
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Tipo de producto:	SDRAM
Cantidad de empaque de fábrica:	1
Subcategoría:	Memory & Data Storage

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

D5116ANBHXGXN-UF Hoja de datos (PDF)

USHTS:: 8542320036
ECCN:: EAR99

LPDDR4 DRAM Devices

Kingston LPDDR4 DRAM Devices feature low power consumption and an auto precharge option for each burst access. These DRAM devices offer DMI pin support for write data masking and DBIdc functionality. The LPDDR4 DRAM devices are packaged in FBGA-200 and have 8Gbits die density. These DRAM devices feature Auto Temperature Compensated Self-Refresh (ATCSR) by a built-in temperature sensor and per bank refresh. The LPDDR4 DRAM devices operate at -25°C to 85°C temperature range, 1.6GHz maximum clock frequency, and 1.06V to 1.95V supply voltage range.