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IS66WVH8M8BLL-100B1LI

Name: ISSI IS66WVH8M8BLL-100B1LI
Brand: ISSI
SKU: 870-WVH8M8BLL100B1LI
Price: 20.75 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

870-WVH8M8BLL100B1LI

Fabricante N.º:

IS66WVH8M8BLL-100B1LI

Fabricante:

ISSI

Descripción:

DRAM 64Mb 8Mbx8 3.0V 100MHz HyperRAM

Hoja de datos:

IS66WVH8M8BLL-100B1LI Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	S/20.75	S/20.75
	S/19.07	S/190.70
	S/18.49	S/462.25
	S/18.06	S/903.00
	S/17.63	S/1,763.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ISSI
Categoría de producto:	DRAM
RoHS:
Tipo:	HyperRAM
Tamaño de memoria:	64 Mbit
Ancho de bus de datos:	8 bit
Frecuencia de reloj máxima:	100 MHz
Paquete / Cubierta:	TFGBA-24
Organización:	8 M x 8
Tiempo de acceso:	40 ns
Voltaje de alimentación - Mín.:	2.7 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	3.6 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 85 C
Serie:	IS66WVH8M8BLL
Marca:	ISSI
Sensibles a la humedad:	Yes
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Tipo de producto:	DRAM
Cantidad de empaque de fábrica:	480
Subcategoría:	Memory & Data Storage
Corriente de suministro - Máx.:	35 mA
Nombre comercial:	HyperRAM
Peso de la unidad:	84 mg

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CNHTS:: 8542329010
CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320002
JPHTS:: 854232029
KRHTS:: 8542321020
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

HYPERRAM™ Self-refresh DRAM

ISSI HYPERRAM™ Self-Refresh DRAMs are high-speed CMOS with a HYPERBUS™ interface. The HYPERBUS is a low signal count, Double Data Rate (DDR) interface that allows high-speed read and write throughput. These devices are available in KGD/KTD and 24-pin BGA packages with 32Mb, 64Mb, 128Mb, and 256Mb densities. Other features include hidden refresh operation and low power consumption. These memory devices are ideal for mobile and automotive applications.