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S80KS2564GACHI040

Name: Infineon S80KS2564GACHI040
Brand: Infineon Technologies
SKU: 727-S80KS2564GACHI04
Price: 26.39 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

727-S80KS2564GACHI04

Fabricante N.º:

S80KS2564GACHI040

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

DRAM SPCM

Hoja de datos:

S80KS2564GACHI040 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	S/26.39	S/26.39
	S/25.07	S/250.70
	S/24.52	S/613.00
	S/24.13	S/1,206.50
	S/23.74	S/2,374.00
	S/22.07	S/5,738.20
	S/22.03	S/11,455.60
2,600	Presupuesto

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	DRAM
RoHS:
Tipo:	HyperRAM
Tamaño de memoria:	256 Mbit
Ancho de bus de datos:	16 bit
Frecuencia de reloj máxima:	200 MHz
Paquete / Cubierta:	FBGA-49
Tiempo de acceso:	35 ns
Voltaje de alimentación - Mín.:	1.7 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	2 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 85 C
Empaquetado:	Tray
Marca:	Infineon Technologies
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TW
Sensibles a la humedad:	Yes
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Tipo de producto:	DRAM
Cantidad de empaque de fábrica:	260
Subcategoría:	Memory & Data Storage
Corriente de suministro - Máx.:	20 mA
Alias de las piezas n.º:	SP005647395

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CNHTS:: 8542329010
USHTS:: 8542320024
ECCN:: 3A991.b.2.a

S80KS2562 & S80KS2563 256Mb HYPERRAM™ 2.0 Memory

Infineon Technologies S80KS2562 and S80KS2563 HYPERRAM™ 2.0 Memory are high-speed, low-pin-count, low-power self-refresh Dynamic RAM (DRAM) with a HyperBUS (S80KS2562) or Octal xSPI (S80KS2563) interface. Both devices feature a 200MHz maximum clock rate, a data throughput of up to 400MBps, and energy-saving Hybrid Sleep and Deep Power-Down modes. The S80KS2562 and S80KS2563 HYPERRAM are ideal for use in high-performance embedded systems requiring expansion memory for scratchpad or buffering purposes.