MB85RS4MLYPF-G-BCERE1

RAMXEED
249-85S4MLYPFGBCERE1
MB85RS4MLYPF-G-BCERE1

Fabricante:

Descripción:
F-RAM 4Mbit FeRAM, SPI, 1.7-1.95V - SOP8 (208mil) T&R (125C)

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:
No en existencias
Plazo de entrega de fábrica:
22 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.
Mínimo: 500   Múltiples: 500
Precio unitario:
S/-.--
Precio ext.:
S/-.--
Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 500)
S/50.68 S/25,340.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
RAMXEED
Categoría de producto: F-RAM
RoHS:  
4 Mbit
SPI
50 MHz
512 k x 8
SOP-8
1.7 V
1.95 V
- 40 C
+ 125 C
Reel
Marca: RAMXEED
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: JP
Sensibles a la humedad: Yes
Estilo de montaje: SMD/SMT
Voltaje de alimentación operativo: 1.8 V
Tipo de producto: FRAM
Cantidad de empaque de fábrica: 500
Subcategoría: Memory & Data Storage
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

USHTS:
8542320071
ECCN:
3A991.b.1.b.1

FRAM (Ferroelectric Random Access Memory)

RAMXEED FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory featuring fast writing speed operation, high read/write endurance, and low power consumption. These features make FRAM ideal for applications requiring continuous data logging, real-time recording of three-dimensional position information, and data protection from sudden power outages.

MB85RS4MLY 4M (512K x 8) Bit SPI FRAM

RAMXEED MB85RS4MLY 4M (512K x 8) Bit SPI FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) chip features a configuration of 524,288 words x 8-bits. The devices utilize the ferroelectric and silicon gate CMOS process technologies to form nonvolatile memory cells. The MB85RS4MLY employs a Serial Peripheral Interface (SPI) and is ideal for high-temperature environment applications.

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