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APS12808L-OBM-BA

Name: AP Memory Technology APS12808L-OBM-BA
Brand: AP Memory
SKU: 878-APS12808L-OBM-BA
Price: 12.53 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

878-APS12808L-OBM-BA

Fabricante N.º:

APS12808L-OBM-BA

Fabricante:

AP Memory

Descripción:

DRAM IoT RAM 128Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24

Hoja de datos:

APS12808L-OBM-BA Hoja de datos

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	S/12.53	S/12.53
	S/11.72	S/117.20
	S/11.41	S/285.25
	S/11.13	S/556.50
	S/10.86	S/1,086.00
	S/10.51	S/2,627.50
	S/10.35	S/5,175.00
	S/10.12	S/10,120.00
	S/9.77	S/24,425.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	AP Memory Technology
Categoría de producto:	DRAM
RoHS:
Tipo:	PSRAM (Pseudo SRAM)
Tamaño de memoria:	128 Mbit
Ancho de bus de datos:	8 bit
Frecuencia de reloj máxima:	200 MHz
Paquete / Cubierta:	BGA-24
Organización:	16 M x 8
Tiempo de acceso:	5.5 ns
Voltaje de alimentación - Mín.:	1.62 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	1.98 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 85 C
Serie:	IoT RAM
Empaquetado:	Tray
Marca:	AP Memory
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TW
Sensibles a la humedad:	Yes
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Tipo de producto:	DRAM
Cantidad de empaque de fábrica:	4800
Subcategoría:	Memory & Data Storage
Nombre comercial:	APMemory

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APS12808L-OBM-BA Hoja de datos

Certificate of Compliance (PDF)

CNHTS:: 8542329010
USHTS:: 8542320041
ECCN:: 3A991.b.2.a

Octal SPI (OPI & HPI) PSRAM DDRs in BGA24 Package

AP Memory Octal SPI (OPI and HPI) PSRAM DDRs in the BGA24 package feature 64Mb up to 512M densities with x8 or x16 organization. The DDRs support a maximum clock frequency of 133MHz for devices operating at 3V supply and up to 200MHz for the 1.8V supply version. The Octal SPI PSRAM DDRs offer a -40°C to 85°C default industrial grade temperature and an -40°C to 105°C extended temperature range. AP Memory Octal SPI (OPI and HPI) PSRAM DDRs are ideal in memory selection for SoC applications requiring low pin count and ultra-low power extended memory.