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AT25EU0021A-SSHN-B

Name: Renesas Electronics AT25EU0021A-SSHN-B
Brand: Renesas / Dialog
SKU: 988-AT25EU0021ASSHNB
Price: 1.4 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

988-AT25EU0021ASSHNB

Fabricante N.º:

AT25EU0021A-SSHN-B

Fabricante:

Renesas / Dialog

Descripción:

Memoria flash tipo NOR 2 Mbit, Ultra Low Energy, Wide Vcc (1.65V to 3.6V), -40C to 85C, SOIC-N 150mil (Tube), Single, Dual, Quad SPI NOR flash

Hoja de datos:

AT25EU0021A-SSHN-B Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	S/1.40	S/1.40
	S/1.32	S/13.20
	S/1.29	S/32.25
	S/1.24	S/62.00
	S/1.21	S/118.58
	S/1.19	S/349.86
	S/1.16	S/682.08
	S/1.14	S/1,228.92
	S/1.07	S/2,726.36

Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:

AT25EU0021A-SSHN-T

Embalaje:

Reel, Cut Tape

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

S/1.40

Mín.:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Renesas Electronics
Categoría de producto:	Memoria flash tipo NOR
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOIC-8
Serie:	AT25EU0021A
Tamaño de memoria:	2 Mbit
Voltaje de alimentación - Mín.:	1.65 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	3.6 V
Corriente de lectura activa - máx.:	1.2 mA
Tipo de interfaz:	SPI
Frecuencia de reloj máxima:	85 MHz
Organización:	256 k x 8
Ancho de bus de datos:	8 bit
Tipo de tiempo:	Asynchronous
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 85 C
Empaquetado:	Tube
Marca:	Renesas / Dialog
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Sensibles a la humedad:	Yes
Tipo de producto:	NOR Flash
Cantidad de empaque de fábrica:	98
Subcategoría:	Memory & Data Storage
Corriente de suministro - Máx.:	3 mA

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CNHTS:: 8542329000
USHTS:: 8542320051
TARIC:: 8542326100
ECCN:: EAR99

AT25EU Ultra-Low-Energy SPI NOR Flash

Renesas / Dialog AT25EU Ultra-Low-Energy SPI NOR Flash with Fast Erase aims to offer low power consumption and fast operation in order to achieve low energy usage. The AT25EU Ultra-Low-Energy SPI NOR Flash with Fast Erase supports power-conscious, size-constrained connected devices. These devices offer a variety of power-saving features, including wide V_CC (1.65V to 3.6V) operation to extend the battery life as well as the 100nA to 300nA deep power-down mode to conserve energy when the product is not in use. The erase time, in conjunction with the low-power high-speed operation, will reduce the total energy consumed in any system. The AT25EU Ultra-Low-Energy SPI NOR Flash devices are ideal for use in small coin cell applications, boot/code shadow memory, and simple event/data logging applications.