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N-Channel Power MOSFET Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 12

Filtros aplicados:

Tipo de transistor = N-Channel Power MOSFET

Fabricante

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.1 10V

SIHB100N65E-GE3
Vishay
1: S/41.22
597En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHB100N65E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHB100N65E-GE3

Vishay

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.1 10V

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597En existencias

S/41.22

S/28.38

S/21.10

S/20.51

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

100 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

41 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.12 10V

SIHB125N65E-GE3
Vishay
1: S/34.22
736En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHB125N65E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHB125N65E-GE3

Vishay

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.12 10V

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736En existencias

S/34.22

S/23.32

S/17.13

S/16.04

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3

N-Channel

1 Channel

650 V

27 A

120 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

38 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.1 10V

SIHH100N65E-T1-GE3
Vishay
1: S/42.35
2,469En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHH100N65E-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHH100N65ET1-GE3

Vishay

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2,469En existencias

Cinta cortada

S/42.35

S/29.19

S/22.42

S/21.25

Envase tipo carrete

S/21.25

MouseReel Disponible

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: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-8x8

N-Channel

1 Channel

650 V

28 A

100 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

41 nC

- 55 C

+ 150 C

184 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.12 10V

SIHH125N65E-T1-GE3
Vishay
1: S/34.37
2,750En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHH125N65E-T1-GE3

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78-SIHH125N65ET1-GE3

Vishay

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2,750En existencias

Cinta cortada

S/34.37

S/23.43

S/17.24

S/17.05

S/16.15

Envase tipo carrete

S/16.15

MouseReel Disponible

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: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-8x8

N-Channel

1 Channel

650 V

25 A

120 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

38 nC

- 55 C

+ 150 C

174 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.1 10V

SIHK100N65E-T1-GE3
Vishay
1: S/38.93
1,705En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHK100N65E-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHK100N65ET1-GE3

Vishay

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1,705En existencias

Cinta cortada

S/38.93

S/26.70

S/20.05

S/19.00

Envase tipo carrete

S/19.00

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PowerPAK-10x12

N-Channel

1 Channel

650 V

28 A

100 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

41 nC

- 55 C

+ 150 C

184 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.12 10V

SIHK125N65E-T1-GE3
Vishay
1: S/35.19
1,800En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHK125N65E-T1-GE3

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78-SIHK125N65ET1-GE3

Vishay

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.12 10V

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1,800En existencias

Cinta cortada

S/35.19

S/24.02

S/17.67

S/17.59

S/16.66

Envase tipo carrete

S/16.66

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PowerPAK-10x12

N-Channel

1 Channel

650 V

25 A

120 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

- 55 C

+ 150 C

174 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.1 10V

SIHP100N65E-GE3
Vishay
1: S/41.18
900En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHP100N65E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHP100N65E-GE3

Vishay

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.1 10V

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900En existencias

S/41.18

S/28.34

S/21.06

S/20.47

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220AB-3

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

100 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

41 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.12 10V

SIHP125N65E-GE3
Vishay
1: S/34.14
815En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHP125N65E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHP125N65E-GE3

Vishay

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.12 10V

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815En existencias

S/34.14

S/23.28

S/17.09

S/16.00

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220AB-3

N-Channel

1 Channel

650 V

27 A

120 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

38 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.12 10V

SIHG125N65E-GE3
Vishay
1: S/37.37
279En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHG125N65E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHG125N65E-GE3

Vishay

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.12 10V

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279En existencias

S/37.37

S/25.57

S/18.92

S/18.02

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247AC-3

N-Channel

1 Channel

650 V

27 A

120 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

38 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V, 1.4A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM4800N15CX6 RFG
Taiwan Semiconductor
1: S/3.50
14,219En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TSM4800N15CX6 RFG

N.º de artículo de Mouser
821-TSM4800N15CX6RFG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V, 1.4A, Single N-Channel Power MOSFET

Hoja de datos

14,219En existencias

Cinta cortada

S/3.50

S/2.18

S/1.41

S/1.08

Envase tipo carrete

S/0.833

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

150 V

1.4 A

392 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

8 nC

- 55 C

+ 150 C

2.1 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 40V 180A 1.25mohm TO-263 / D2PAK

NP179N04TUK-E1-AY
Renesas Electronics
800: S/9.15
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
NP179N04TUK-E1-AY

N.º de artículo de Mouser
968-NP179N04TUK-E1AY

Renesas Electronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 40V 180A 1.25mohm TO-263 / D2PAK

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

Envase tipo carrete

S/9.15

S/8.95

S/8.76

Min.: 800
Mult.: 800

: 800

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

40 V

180 A

1.25 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

160 nC

+ 175 C

288 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 55V 180A 1.75mohm TO-263 / D2PAK

NP179N055TUK-E1-AY
Renesas Electronics
800: S/8.52
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
NP179N055TUK-E1-AY

N.º de artículo de Mouser
968-NP179N055TUKE1AY

Renesas Electronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 55V 180A 1.75mohm TO-263 / D2PAK

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Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

Envase tipo carrete

S/8.52

Min.: 800
Mult.: 800

: 800

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

55 V

180 A

1.75 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

160 nC

+ 175 C

288 W

Enhancement

Reel

N-Channel Power MOSFET Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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