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P-Channel Semiconductores

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ463EP-T1_NE3
Vishay Semiconductors
1: S/18.14
4,349En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SQJ463EP-T1_NE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ463EP-T1_NE3

Nuevo producto

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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4,349En existencias

S/18.14

S/11.87

S/8.87

S/7.43

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

SI8409ADB-T1-E1
Vishay / Siliconix
1: S/4.13
6,000En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SI8409ADB-T1-E1

N.º de artículo de Mouser
78-SI8409ADB-T1-E1

Nuevo producto

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

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6,000En existencias

Cinta cortada

S/4.13

S/2.96

S/1.84

S/1.27

Envase tipo carrete

S/0.958

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: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

SQM120P06-07L_NE3
Vishay Semiconductors
1: S/16.39
312En existencias
800Se espera el 19/08/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SQM120P06-07L_NE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQM120P06-07L_NE3

Nuevo producto

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

Hoja de datos

312En existencias

800Se espera el 19/08/2026

S/16.39

S/10.74

S/8.02

S/6.73

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ461EP-T1_NE3
Vishay Semiconductors
1: S/12.92
1,258En existencias
3,000Se espera el 6/08/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SQJ461EP-T1_NE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ461EP-T1_NE3

Nuevo producto

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

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1,258En existencias

3,000Se espera el 6/08/2026

S/12.92

S/8.37

S/5.80

S/4.83

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

SQD50P06-15L_NE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.93
1,749En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SQD50P06-15L_NE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQD50P06-15L_NE3

Nuevo producto

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

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1,749En existencias

S/9.93

S/6.31

S/4.28

S/3.44

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

SIRA99DP-T1-RE3
Vishay / Siliconix
1: S/18.06
6,240En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SIRA99DP-T1-RE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIRA99DP-T1-RE3

Nuevo producto

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

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6,240En existencias

S/18.06

S/11.83

S/8.84

S/8.29

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET

SIR5607DP-T1-UE3
Vishay / Siliconix
1: S/15.73
2,503En existencias
6,000Se espera el 3/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
SIR5607DP-T1-UE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR5607DP-T1-UE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET

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2,503En existencias

6,000Se espera el 3/09/2026

Cinta cortada

S/15.73

S/10.28

S/7.47

S/6.27

S/5.96

Envase tipo carrete

S/5.45

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Mult.: 1

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK6M61-60P/SOT1210/mLFPAK

BUK6M61-60PX
Nexperia
1: S/7.36
1,439En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
BUK6M61-60PX

N.º de artículo de Mouser
771-BUK6M61-60PX

Nuevo producto

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK6M61-60P/SOT1210/mLFPAK

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1,439En existencias

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S/7.36

S/4.55

S/2.99

S/2.35

S/2.01

Envase tipo carrete

S/2.01

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SI7143DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.06
33,067En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7143DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7143DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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33,067En existencias

Cinta cortada

S/8.06

S/5.14

S/3.46

S/2.74

Envase tipo carrete

S/2.35

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Mult.: 1

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel QFET

FQB22P10TM
onsemi
1: S/11.41
20,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FQB22P10TM

N.º de artículo de Mouser
512-FQB22P10TM

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel QFET

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20,000En existencias

Cinta cortada

S/11.41

S/7.40

S/5.06

Envase tipo carrete

S/5.06

MouseReel Disponible

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Máx.: 250

: 800

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

ISC16DP15LMATMA1
Infineon Technologies
1: S/14.64
2,833En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISC16DP15LMATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC16DP15LMATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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2,833En existencias

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S/14.64

S/7.40

S/5.61

S/5.10

Envase tipo carrete

S/5.10

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Mult.: 1

: 5,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Channel QFET

FQPF47P06
onsemi
1: S/18.18
8,635En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FQPF47P06

N.º de artículo de Mouser
512-FQPF47P06

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Channel QFET

Hoja de datos

8,635En existencias

S/18.18

S/9.42

S/8.52

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 100

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2523-6 T&R 3K

DMP2018LFK-7
Diodes Incorporated
1: S/3.23
92,723En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMP2018LFK-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMP2018LFK-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2523-6 T&R 3K

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92,723En existencias

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S/3.23

S/2.00

S/1.29

S/0.989

Envase tipo carrete

S/0.557

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Min.: 1
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Máx.: 6,000

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPD380P06NMATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.12
31,246En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD380P06NMATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD380P06NMATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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31,246En existencias

Cinta cortada

S/10.12

S/6.50

S/4.48

S/3.56

S/3.27

Envase tipo carrete

S/3.05

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TrenchP Power MOSFET

IXTY48P05T
IXYS
1: S/19.00
10,366En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTY48P05T

N.º de artículo de Mouser
747-IXTY48P05T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TrenchP Power MOSFET

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10,366En existencias

S/19.00

S/11.76

S/10.70

S/9.54

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 27W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TJ8S06M3L,LXHQ
Toshiba
1: S/5.61
44,969En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TJ8S06M3L,LXHQ

N.º de artículo de Mouser
757-TJ8S06M3L,LXHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 27W 1MHz Automotive; AEC-Q101

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44,969En existencias

Cinta cortada

S/5.61

S/3.52

S/2.33

S/1.82

Envase tipo carrete

S/1.54

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Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 25V Vgs PowerPAK SO-8

SIR167DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.43
33,822En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR167DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR167DP-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 25V Vgs PowerPAK SO-8

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33,822En existencias

Cinta cortada

S/7.43

S/4.75

S/3.17

S/2.51

Envase tipo carrete

S/2.02

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ479EP-T1_BE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.36
138,313En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ479EP-T1_BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ479EP-T1_BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

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S/7.36

S/4.71

S/3.15

S/2.49

Envase tipo carrete

S/2.03

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds 20V Vgs SO-8

SI4948BEY-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: S/7.12
74,425En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4948BEY-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4948BEY-T1-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds 20V Vgs SO-8

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S/7.12

S/4.63

S/3.26

S/2.63

S/2.30

Envase tipo carrete

S/2.12

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -200V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

SI7119DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/6.38
88,975En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7119DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7119DN-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -200V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

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88,975En existencias

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S/6.38

S/4.05

S/2.69

S/2.11

Envase tipo carrete

S/1.68

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 19A 46W 60mohm @ 10V

SUD19P06-60L-E3
Vishay / Siliconix
1: S/7.75
55,526En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUD19P06-60L-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SUD19P06-60L-E3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 19A 46W 60mohm @ 10V

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55,526En existencias

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S/7.75

S/4.05

S/2.92

S/2.46

S/2.28

Envase tipo carrete

S/2.12

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PFET U8FL 60V 8A 260MOHM

NVTFS5124PLTWG
onsemi
1: S/5.29
91,148En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS5124PLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS5124PLTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PFET U8FL 60V 8A 260MOHM

Hoja de datos

91,148En existencias

Cinta cortada

S/5.29

S/3.29

S/2.16

Envase tipo carrete

S/2.16

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 330

: 5,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V P-Channel 2.5V PowerTrench MOSFET

FDC608PZ
onsemi
1: S/3.43
145,761En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDC608PZ

N.º de artículo de Mouser
512-FDC608PZ

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V P-Channel 2.5V PowerTrench MOSFET

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Cinta cortada

S/3.43

S/2.10

S/1.40

Envase tipo carrete

S/1.40

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 370

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TrenchP Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

IXTK210P10T
IXYS
1: S/142.74
1,289En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTK210P10T

N.º de artículo de Mouser
747-IXTK210P10T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TrenchP Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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1,289En existencias

S/142.74

S/99.45

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TJ200F04M3L,LXHQ
Toshiba
1: S/17.28
42,001En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TJ200F04M3L,LXHQ

N.º de artículo de Mouser
757-TJ200F04M3L,LXHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101

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Comentarios de Producto

42,001En existencias

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S/17.28

S/11.41

S/8.02

S/6.89

Envase tipo carrete

S/6.19

S/5.72

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

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