N-Channel Semiconductores

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET

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1,212En existencias

Cinta cortada

S/65.82

S/46.36

S/37.84

S/36.67

Envase tipo carrete

S/34.92

Min.: 1
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: 1,800

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 650V

SIHL041N65SF-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/28.26
860En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
SIHL041N65SF-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHL041N65SF-GE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 650V

Hoja de datos

860En existencias

S/28.26

S/14.60

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

SQRS160EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/14.91
3,022En existencias
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SQRS160EP-T1_GE3

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78-SQRS160EP-T1_GE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

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3,022En existencias

S/14.91

S/12.49

S/10.28

S/8.41

S/5.33

Min.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V

ISC034N08NM7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.93
5,039En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
ISC034N08NM7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC034N08NM7ATMA

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V

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5,039En existencias

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S/9.93

S/6.34

S/4.32

S/3.60

S/3.34

Envase tipo carrete

S/3.12

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

MOSFETs de SiC SiC MOSFET, 750 V

IMZA75R040M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/40.13
385En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
IMZA75R040M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA75R040M2HXKS

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MOSFETs de SiC SiC MOSFET, 750 V

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385En existencias

S/40.13

S/29.19

S/24.33

S/21.68

S/20.24

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 650V

SIHL050N65SF-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/28.18
819En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
SIHL050N65SF-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHL050N65SF-GE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 650V

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819En existencias

S/28.18

S/12.11

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 100V 11.1mohm 3x3pkg

RBA40N10EANS-5UA11#HB0
Renesas Electronics
1: S/6.46
1,400En existencias
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RBA40N10EANS-5UA11#HB0

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968-40N10EANS5UA11HB

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Renesas Electronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 100V 11.1mohm 3x3pkg

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1,400En existencias

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S/6.46

S/4.09

S/2.75

S/2.17

S/1.98

Envase tipo carrete

S/1.81

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Ind. MOS REXFET-1 100V 11.1mohm 3x3pkg

RBE111N10R1SZN2#HB0
Renesas Electronics
1: S/6.38
2,100En existencias
Nuevo producto

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RBE111N10R1SZN2#HB0

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968-E111N10R1SZN2HB0

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Renesas Electronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Ind. MOS REXFET-1 100V 11.1mohm 3x3pkg

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2,100En existencias

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S/6.38

S/4.01

S/2.70

S/2.13

S/1.94

Envase tipo carrete

S/1.77

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQM40022EM_NE3
Vishay Semiconductors
1: S/14.25
740En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SQM40022EM_NE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQM40022EM_NE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

Hoja de datos

740En existencias

S/14.25

S/9.30

S/7.12

S/5.96

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Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMDQ75R040M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/37.84
70En existencias
750Se espera el 14/05/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMDQ75R040M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMDQ75R040M2HXTM

Nuevo producto

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

Hoja de datos

70En existencias

750Se espera el 14/05/2026

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S/37.84

S/26.70

S/22.27

S/19.81

Envase tipo carrete

S/18.53

Min.: 1
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: 750

MOSFETs de SiC 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO-263-7L

IXSA65N120L2-7TR
IXYS
1: S/38.96
88En existencias
800Se espera el 25/05/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IXSA65N120L2-7TR

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747-IXSA65N120L2-7TR

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IXYS

MOSFETs de SiC 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO-263-7L

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88En existencias

800Se espera el 25/05/2026

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S/38.96

S/28.80

S/21.41

S/17.48

Envase tipo carrete

S/17.44

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ768ELP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.02
2,350En existencias
3,000En pedido
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N.º de artículo del Fabricante
SQJ768ELP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ768ELP-T1_GE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

Hoja de datos

2,350En existencias

3,000En pedido

S/8.02

S/5.06

S/3.31

S/2.63

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Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs de SiC 1200V 75mR, TO-247-4L, Industrial Grade

AMR075V120H2
APC-E
1: S/27.13
262En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
AMR075V120H2

N.º de artículo de Mouser
896-AMR075V120H2

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APC-E

MOSFETs de SiC 1200V 75mR, TO-247-4L, Industrial Grade

Hoja de datos

262En existencias

S/27.13

S/19.89

S/16.04

S/14.25

S/12.61

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET

STWA60N028T
STMicroelectronics
1: S/22.85
248En existencias
600Se espera el 12/05/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
STWA60N028T

N.º de artículo de Mouser
511-STWA60N028T

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STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET

Hoja de datos

248En existencias

600Se espera el 12/05/2026

S/22.85

S/18.29

S/14.79

S/13.12

S/11.64

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs de SiC Automotive SiC MOSFET, 750 V

AIMZA75R025M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/58.43
25En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
AIMZA75R025M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-AIMZA75R025M2HXK

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MOSFETs de SiC Automotive SiC MOSFET, 750 V

Hoja de datos

25En existencias

S/58.43

S/47.57

S/39.63

S/35.30

S/32.97

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMDQ75R033M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/43.99
100En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMDQ75R033M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMDQ75R033M2HXTM

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MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

Hoja de datos

100En existencias

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S/43.99

S/33.32

S/27.75

S/24.76

Envase tipo carrete

S/23.16

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL

NVMFS5C460NLAFT1G-YE
onsemi
1: S/5.64
1,496En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C460NLAFT1G-YE

N.º de artículo de Mouser
863-S5C460NLAFT1GYE

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onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL

Hoja de datos

1,496En existencias

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S/5.64

S/3.52

S/2.29

S/1.77

Envase tipo carrete

S/1.45

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

MOSFETs de SiC 650V 50mR, TO-247-4L, Automotive Grade

AAR050V065H2
APC-E
1: S/28.53
270En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
AAR050V065H2

N.º de artículo de Mouser
896-AAR050V065H2

Nuevo producto

APC-E

MOSFETs de SiC 650V 50mR, TO-247-4L, Automotive Grade

Hoja de datos

270En existencias

S/28.53

S/20.16

S/16.74

S/14.95

S/13.94

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 55 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package

ST8L65N050DM9
STMicroelectronics
1: S/24.56
186En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ST8L65N050DM9

N.º de artículo de Mouser
511-ST8L65N050DM9

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 55 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package

Hoja de datos

186En existencias

Cinta cortada

S/24.56

S/17.40

Envase tipo carrete

S/17.40

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 50

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 32 mOhm typ. 62 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO-247 long leads

STWA60N035M9
STMicroelectronics
1: S/32.00
278En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
STWA60N035M9

N.º de artículo de Mouser
511-STWA60N035M9

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 32 mOhm typ. 62 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO-247 long leads

Hoja de datos

278En existencias

S/32.00

S/23.28

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 50

MOSFETs de SiC CoolSiC Automotive MOSFET 750 V G2 in Q-DPAK

AIMDQ75R007M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/134.60
24En existencias
750Se espera el 18/06/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
AIMDQ75R007M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-AIMDQ75R007M2HXT

Nuevo producto

MOSFETs de SiC CoolSiC Automotive MOSFET 750 V G2 in Q-DPAK

Hoja de datos

24En existencias

750Se espera el 18/06/2026

Cinta cortada

S/134.60

S/110.16

S/97.31

S/96.85

Envase tipo carrete

S/96.69

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 power MOSFET for automotive applications

IAUCN04S7N010GATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.17
547En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN04S7N010GATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7N010GAT

Nuevo producto

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 power MOSFET for automotive applications

Hoja de datos

547En existencias

Cinta cortada

S/8.17

S/5.25

S/3.62

S/3.07

S/2.61

Envase tipo carrete

S/2.44

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2

IMBG75R033M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/41.22
130En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMBG75R033M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG75R033M2HXTM

Nuevo producto

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2

Hoja de datos

130En existencias

Cinta cortada

S/41.22

S/32.27

S/26.90

S/24.21

Envase tipo carrete

S/22.38

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2

IMBG75R060M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/28.30
148En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMBG75R060M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG75R060M2HXTM

Nuevo producto

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2

Hoja de datos

148En existencias

Cinta cortada

S/28.30

S/21.14

S/17.09

S/15.30

Envase tipo carrete

S/13.43

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600 V CoolMOS 8 Power Transistor

IPLT60R055CM8XTMA1
Infineon Technologies
1: S/25.03
350En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPLT60R055CM8XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPLT60R055CM8XTM

Nuevo producto

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600 V CoolMOS 8 Power Transistor