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N-Channel Semiconductores

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V

ISC034N08NM7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.23
7,607En existencias
5,000Se espera el 22/04/2027
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISC034N08NM7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC034N08NM7ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V

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7,607En existencias

5,000Se espera el 22/04/2027

Cinta cortada

S/9.23

S/5.84

S/3.97

S/3.43

Envase tipo carrete

S/2.91

S/2.30

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V 3.3mohm 400A Ultra Junction X4-Class Power MOSFET in PLUS247

IXTX400N20X4
IXYS
1: S/113.54
315En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IXTX400N20X4

N.º de artículo de Mouser
747-IXTX400N20X4

Nuevo producto

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V 3.3mohm 400A Ultra Junction X4-Class Power MOSFET in PLUS247

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315En existencias

S/113.54

S/91.63

S/80.15

S/75.55

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 power MOSFET for automotive applications

IAUCN04S7N010GATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.87
3,518En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN04S7N010GATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7N010GAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 power MOSFET for automotive applications

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S/8.87

S/5.64

S/3.78

S/3.07

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Envase tipo carrete

S/2.45

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUCN10S7L040ATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.04
5,250En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN10S7L040ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN10S7L040ATM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

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S/13.04

S/8.45

S/5.84

S/4.87

S/4.59

Envase tipo carrete

S/4.20

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power Transistor, 25 V

IQEH42NE2LM7ZCGSCATMA1
Infineon Technologies
1: S/19.89
4,558En existencias
6,000Se espera el 10/12/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IQEH42NE2LM7ZCGSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQEH42NE2LM7ZCGS

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power Transistor, 25 V

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4,558En existencias

6,000Se espera el 10/12/2026

Cinta cortada

S/19.89

S/13.04

S/9.73

S/8.17

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Envase tipo carrete

S/7.12

Min.: 1
Mult.: 1

: 6,000

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A in a STPAK high creepage package

SCTHC250N120G3AG
STMicroelectronics
1: S/298.91
33En existencias
61En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SCTHC250N120G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCTHC250N120G3AG

Nuevo producto

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A in a STPAK high creepage package

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33En existencias

61En pedido

S/298.91

S/236.94

S/202.18

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 1.4mOhm N-ch MOSFET SOP Advance(E) UMOS -H

TPM1R408RH,LQ
Toshiba
1: S/14.75
2,601En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
TPM1R408RH,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TPM1R408RHLQ

Nuevo producto

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 1.4mOhm N-ch MOSFET SOP Advance(E) UMOS -H

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2,601En existencias

Cinta cortada

S/14.75

S/9.61

S/6.73

S/5.64

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Envase tipo carrete

S/4.44

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ858AEP-T1_NE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.16
2,030En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SQJ858AEP-T1_NE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ858AEP-T1_NE3

Nuevo producto

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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2,030En existencias

S/7.16

S/4.44

S/2.91

S/2.28

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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQM40022EM_NE3
Vishay Semiconductors
1: S/14.95
690En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SQM40022EM_NE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQM40022EM_NE3

Nuevo producto

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

Hoja de datos

690En existencias

S/14.95

S/9.77

S/7.12

S/5.96

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Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V

ISC024N08NM7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.78
353En existencias
10,000Se espera el 7/09/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISC024N08NM7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC024N08NM7ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V

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353En existencias

10,000Se espera el 7/09/2026

Cinta cortada

S/13.78

S/8.99

S/6.31

S/5.29

S/4.90

Envase tipo carrete

S/4.13

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

GaN FETs GaN FET, 700V, 132m, DPAK

NTD170N70GN1TXG
onsemi
1: S/8.95
2,490En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NTD170N70GN1TXG

N.º de artículo de Mouser
863-NTD170N70GN1TXG

Nuevo producto

onsemi

GaN FETs GaN FET, 700V, 132m, DPAK

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2,490En existencias

Cinta cortada

S/8.95

S/5.61

Envase tipo carrete

S/5.61

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 25

: 250

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

SI7804BDN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/4.01
5,950En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SI7804BDN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI7804BDN-T1-GE3

Nuevo producto

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

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5,950En existencias

Cinta cortada

S/4.01

S/2.76

S/1.75

S/1.08

Envase tipo carrete

S/0.689

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN U8FL

NVTFS5C453NLETAG
onsemi
1: S/10.08
1,188En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS5C453NLETAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS5C453NLETAG

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN U8FL

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1,188En existencias

Cinta cortada

S/10.08

S/6.46

S/4.40

Envase tipo carrete

S/4.40

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 150

: 1,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET 100V 56.0 MOHM PQFN56

FDMS8622-NC
onsemi
1: S/7.75
2,079En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
FDMS8622-NC

N.º de artículo de Mouser
863-FDMS8622-NC

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET 100V 56.0 MOHM PQFN56

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2,079En existencias

Cinta cortada

S/7.75

S/4.79

S/3.16

Envase tipo carrete

S/3.16

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 300

: 3,000

Módulos MOSFET PM-MOSFET-SIC-BL3

MSCSM120XM31RTBL3NG
Microchip Technology
1: S/1,161.44
3En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
MSCSM120XM31RTBL3NG

N.º de artículo de Mouser
579-SM120XM31RTBL3NG

Nuevo producto

Microchip Technology

Módulos MOSFET PM-MOSFET-SIC-BL3

Hoja de datos

3En existencias

S/1,161.44

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

SIA432BDJ-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/3.35
5,950En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SIA432BDJ-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIA432BDJ-T1-GE3

Nuevo producto

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

Hoja de datos

5,950En existencias

Cinta cortada

S/3.35

S/2.30

S/1.46

S/0.903

Envase tipo carrete

S/0.572

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ138EP-T1_NE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.01
2,065En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SQJ138EP-T1_NE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ138EP-T1_NE3

Nuevo producto

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

Hoja de datos

2,065En existencias

Cinta cortada

S/7.01

S/4.52

S/3.24

S/2.80

S/2.59

Envase tipo carrete

S/2.34

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 150V 233A TOLL

iS15M2R5S1T-100B
iDEAL Semiconductor
1: S/29.62
50En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
iS15M2R5S1T-100B

N.º de artículo de Mouser
25-IS15M2R5S1T-100B

Nuevo producto

iDEAL Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 150V 233A TOLL

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50En existencias

S/29.62

S/21.21

S/17.44

S/14.40

S/14.01

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET 40V 0.00067Ohm SOP Advance(N) U-MOS11-H

TPM1R006PL,LQ
Toshiba
1: S/14.91
4,160En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
TPM1R006PL,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TPM1R006PLLQ

Nuevo producto

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET 40V 0.00067Ohm SOP Advance(N) U-MOS11-H

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4,160En existencias

Cinta cortada

S/14.91

S/9.69

S/6.81

S/5.68

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Envase tipo carrete

S/4.48

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 23MOHM 650V M3S

NTHL023N065M3S
onsemi
1: S/48.50
3,454En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTHL023N065M3S

N.º de artículo de Mouser
863-NTHL023N065M3S

onsemi

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 23MOHM 650V M3S

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Hoja de datos

3,454En existencias

S/48.50

S/34.10

S/24.48

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 480

MOSFETs de SiC SIC MOSFET 900V TO247-4L 20MOHM

NTH4L020N090SC1
onsemi
1: S/97.97
2,235En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTH4L020N090SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTH4L020N090SC1

onsemi

MOSFETs de SiC SIC MOSFET 900V TO247-4L 20MOHM

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Hoja de datos

2,235En existencias

S/97.97

S/73.37

S/68.08

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

ISC037N12NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/18.45
14,433En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISC037N12NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC037N12NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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Hoja de datos

14,433En existencias

Cinta cortada

S/18.45

S/11.13

S/8.56

S/7.55

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Envase tipo carrete

S/6.15

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 N-CH 30V 58A

SIRA14DDP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/4.05
5,540En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SIRA14DDP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIRA14DDP-T1-GE3

Nuevo producto

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 N-CH 30V 58A

Hoja de datos

5,540En existencias

S/4.05

S/2.89

S/1.80

S/1.34

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 14MOHM 1200V

NTBG014N120M3P
onsemi
1: S/120.98
867En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTBG014N120M3P

N.º de artículo de Mouser
863-NTBG014N120M3P

onsemi

MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 14MOHM 1200V

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867En existencias

Cinta cortada

S/120.98

S/90.42

Envase tipo carrete

S/90.42

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 30

: 800

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

SQ7414CENW-T1_JE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.54
9,407En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ7414CENW-T1_JE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ7414CENW-T1_JE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

Hoja de datos

9,407En existencias

Cinta cortada

S/6.54

S/3.81

S/2.51

S/1.99

S/1.69

Envase tipo carrete

S/1.53

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

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