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N-Channel Semiconductores

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power Transistor, 25 V

IQEH42NE2LM7ZCGSCATMA1
Infineon Technologies
1: S/19.89
3,010En existencias
6,000Se espera el 10/12/2026
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IQEH42NE2LM7ZCGSCATMA1

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726-IQEH42NE2LM7ZCGS

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power Transistor, 25 V

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S/19.89

S/13.04

S/9.73

S/8.17

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S/7.12

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: 6,000

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A in a STPAK high creepage package

SCTHC250N120G3AG
STMicroelectronics
1: S/298.91
33En existencias
61En pedido
Nuevo producto

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SCTHC250N120G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCTHC250N120G3AG

Nuevo producto

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A in a STPAK high creepage package

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33En existencias

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S/298.91

S/236.94

S/202.18

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Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 1.4mOhm N-ch MOSFET SOP Advance(E) UMOS -H

TPM1R408RH,LQ
Toshiba
1: S/14.79
2,552En existencias
Nuevo producto

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TPM1R408RH,LQ

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757-TPM1R408RHLQ

Nuevo producto

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 1.4mOhm N-ch MOSFET SOP Advance(E) UMOS -H

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S/14.79

S/8.64

S/6.77

S/5.68

S/5.41

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S/4.28

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: 5,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 power MOSFET for automotive applications

IAUCN04S7N010GATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.87
3,572En existencias
Nuevo producto

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IAUCN04S7N010GATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7N010GAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 power MOSFET for automotive applications

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S/8.87

S/5.64

S/3.78

S/3.07

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S/2.45

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: 5,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUCN10S7L040ATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.04
5,248En existencias
Nuevo producto

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IAUCN10S7L040ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN10S7L040ATM

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

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S/13.04

S/8.45

S/5.84

S/4.87

S/4.59

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S/4.20

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: 5,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V

ISC034N08NM7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.23
7,443En existencias
5,000Se espera el 22/04/2027
Nuevo producto

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ISC034N08NM7ATMA1

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726-ISC034N08NM7ATMA

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V

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S/9.23

S/5.84

S/3.97

S/3.19

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S/2.53

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: 5,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ858AEP-T1_NE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.16
2,026En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SQJ858AEP-T1_NE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ858AEP-T1_NE3

Nuevo producto

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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S/7.16

S/4.44

S/2.91

S/2.28

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQM40022EM_NE3
Vishay Semiconductors
1: S/14.95
690En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SQM40022EM_NE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQM40022EM_NE3

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Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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690En existencias

S/14.95

S/9.77

S/7.12

S/5.96

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V

ISC024N08NM7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.53
352En existencias
10,000Se espera el 7/09/2026
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N.º de artículo del Fabricante
ISC024N08NM7ATMA1

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726-ISC024N08NM7ATMA

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V

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352En existencias

10,000Se espera el 7/09/2026

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S/12.53

S/8.10

S/5.61

S/4.52

S/4.28

Envase tipo carrete

S/3.70

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

SI7804BDN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/4.01
5,950En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
SI7804BDN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI7804BDN-T1-GE3

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Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

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S/4.01

S/2.76

S/1.75

S/1.08

Envase tipo carrete

S/0.689

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQ4940CEY-T1_BE3
Vishay Semiconductors
1: S/5.14
4,950En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SQ4940CEY-T1_BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ4940CEY-T1_BE3

Nuevo producto

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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S/5.14

S/3.16

S/2.07

S/1.63

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ138EP-T1_NE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.01
1,995En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SQJ138EP-T1_NE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ138EP-T1_NE3

Nuevo producto

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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S/7.01

S/4.52

S/3.24

S/2.80

S/2.59

Envase tipo carrete

S/2.34

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Módulos MOSFET PM-MOSFET-SIC-BL3

MSCSM120XM31RTBL3NG
Microchip Technology
1: S/1,161.44
3En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
MSCSM120XM31RTBL3NG

N.º de artículo de Mouser
579-SM120XM31RTBL3NG

Nuevo producto

Microchip Technology

Módulos MOSFET PM-MOSFET-SIC-BL3

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3En existencias

S/1,161.44

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET 100V 56.0 MOHM PQFN56

FDMS8622-NC
onsemi
1: S/7.75
2,065En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
FDMS8622-NC

N.º de artículo de Mouser
863-FDMS8622-NC

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET 100V 56.0 MOHM PQFN56

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2,065En existencias

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S/7.75

S/4.79

S/3.16

Envase tipo carrete

S/3.16

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 300

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN U8FL

NVTFS5C453NLETAG
onsemi
1: S/10.08
828En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS5C453NLETAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS5C453NLETAG

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN U8FL

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828En existencias

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S/10.08

S/6.46

S/4.40

Envase tipo carrete

S/4.40

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 150

: 1,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 150V 233A TOLL

iS15M2R5S1T-100B
iDEAL Semiconductor
1: S/29.62
50En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
iS15M2R5S1T-100B

N.º de artículo de Mouser
25-IS15M2R5S1T-100B

Nuevo producto

iDEAL Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 150V 233A TOLL

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50En existencias

S/29.62

S/21.21

S/17.44

S/14.40

S/14.01

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET 40V 0.00067Ohm SOP Advance(N) U-MOS11-H

TPM1R006PL,LQ
Toshiba
1: S/14.95
4,150En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
TPM1R006PL,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TPM1R006PLLQ

Nuevo producto

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET 40V 0.00067Ohm SOP Advance(N) U-MOS11-H

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4,150En existencias

Cinta cortada

S/14.95

S/8.72

S/6.85

S/5.72

S/5.45

Envase tipo carrete

S/4.32

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 23MOHM 650V M3S

NTHL023N065M3S
onsemi
1: S/48.50
3,454En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTHL023N065M3S

N.º de artículo de Mouser
863-NTHL023N065M3S

onsemi

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 23MOHM 650V M3S

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3,454En existencias

S/48.50

S/34.10

S/24.48

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 480

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

ISC037N12NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/18.45
11,193En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISC037N12NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC037N12NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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11,193En existencias

Cinta cortada

S/18.45

S/11.13

S/8.56

S/7.55

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Envase tipo carrete

S/6.15

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

MOSFETs de SiC SIC MOSFET 900V TO247-4L 20MOHM

NTH4L020N090SC1
onsemi
1: S/97.97
2,234En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTH4L020N090SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTH4L020N090SC1

onsemi

MOSFETs de SiC SIC MOSFET 900V TO247-4L 20MOHM

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2,234En existencias

S/97.97

S/73.37

S/68.08

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 14MOHM 1200V

NTBG014N120M3P
onsemi
1: S/120.98
867En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTBG014N120M3P

N.º de artículo de Mouser
863-NTBG014N120M3P

onsemi

MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 14MOHM 1200V

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867En existencias

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S/120.98

S/90.42

Envase tipo carrete

S/90.42

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 30

: 800

MOSFETs de SiC SIC 1700V MOS 28MO IN TO247-4L

NTH4L028N170M1
onsemi
1: S/151.22
775En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTH4L028N170M1

N.º de artículo de Mouser
863-NTH4L028N170M1

onsemi

MOSFETs de SiC SIC 1700V MOS 28MO IN TO247-4L

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775En existencias

S/151.22

S/114.52

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 30

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQS146ELNW-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/5.45
17,788En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQS146ELNW-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQS146ELNW-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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17,788En existencias

Cinta cortada

S/5.45

S/3.16

S/2.07

S/1.79

S/1.46

Envase tipo carrete

S/1.27

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=100V

SSM6K341NU,LF
Toshiba
1: S/3.19
544,336En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6K341NU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6K341NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=100V

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544,336En existencias

Cinta cortada

S/3.19

S/1.97

S/1.27

S/0.969

Envase tipo carrete

S/0.677

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 20A NCH MOSFET

FDPF20N50T
onsemi
1: S/20.44
7,203En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDPF20N50T

N.º de artículo de Mouser
512-FDPF20N50T

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 20A NCH MOSFET

Hoja de datos

7,203En existencias

S/20.44

S/10.12

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 50

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