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STD2NK100Z

Name: STMicroelectronics STD2NK100Z
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STD2NK100Z
Price: 11.41 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

511-STD2NK100Z

Fabricante N.º:

STD2NK100Z

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 1000V Zener SuperMESH

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Hoja de datos:

STD2NK100Z Hoja de datos (PDF)

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)

Cinta cortada

MouseReel™ (+S/23.00)

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	S/11.41	S/11.41
	S/7.67	S/76.70
	S/5.33	S/533.00
	S/4.48	S/2,240.00
	S/4.40	S/4,400.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	S/3.63	S/9,075.00
25,000	Presupuesto

† S/23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	1.85 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	8.5 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3 V
Qg - Carga de puerta:	16 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	70 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	SuperMESH
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	32.5 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	2.4 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	6.5 ns
Serie:	STD2NK100Z
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel Power MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:	41.5 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	7.2 ns
Peso de la unidad:	330 mg

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STD2NK100Z Hoja de datos (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

STD2NK100Z / STD40NF10 Power MOSFETs

STMicroelectronics STD2NK100Z Zener-protected SuperMESH™ power MOSFET and the STD40NF10 STripFET™ II power MOSFET feature exceptional dv/dt capability and minimized gate charge. The STD2NK100Z also features very low intrinsic capacitances. These STMicroelectronics power MOSFETs are optimized for use in switching applications.