Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
IPG20N10S4L-22A
Infineon Technologies
1:
S/9.46
4,857 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N10S4L-22A
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
4,857 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/9.46
10
S/6.07
100
S/4.13
500
S/3.43
1,000
Ver
5,000
S/2.97
1,000
S/3.02
2,500
S/2.97
5,000
S/2.97
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
2 Channel
100 V
20 A
20 mOhms, 20 mOhms
- 16 V, 16 V
1.1 V
27 nC
- 55 C
+ 175 C
60 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
IPG20N10S4L22AATMA1
Infineon Technologies
1:
S/9.26
1,921 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-20N10S4L22AATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
1,921 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/9.26
10
S/5.96
100
S/4.09
500
S/3.25
1,000
S/3.18
5,000
S/2.97
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
2 Channel
100 V
20 A
20 mOhms, 20 mOhms
- 16 V, 16 V
1.1 V
27 nC
- 55 C
+ 175 C
60 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET
IPG20N10S4L22ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/9.11
3,054 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N10S4L22ATM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET
3,054 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/9.11
10
S/5.88
100
S/3.97
500
S/3.19
1,000
S/3.11
5,000
S/2.91
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
2 Channel
100 V
20 A
20 mOhms, 20 mOhms
- 16 V, 16 V
1.1 V
27 nC
- 55 C
+ 175 C
60 W
Enhancement
AEC-Q100
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET
IPG20N10S4L-22
Infineon Technologies
1:
S/9.26
6,269 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N10S4L-22
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET
6,269 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/9.26
10
S/5.92
100
S/4.05
500
S/3.36
1,000
S/3.11
5,000
S/2.91
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
2 Channel
100 V
20 A
20 mOhms, 20 mOhms
- 16 V, 16 V
1.1 V
27 nC
- 55 C
+ 175 C
60 W
Enhancement
AEC-Q100
Reel, Cut Tape, MouseReel