RJK1003DPP-A0#T2

Name: Renesas Electronics RJK1003DPP-A0#T2
Brand: Renesas Electronics
SKU: 968-RJK1003DPP-A0#T2
Price: 16.74 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

968-RJK1003DPP-A0#T2

Fabricante N.º:

RJK1003DPP-A0#T2

Fabricante:

Renesas Electronics

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER TRS1 LV-MOS TO220FP MOS TRENCH D12

Hoja de datos:

RJK1003DPP-A0#T2 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	S/16.74	S/16.74
	S/11.56	S/115.60
	S/11.02	S/275.50
	S/8.25	S/825.00
	S/6.93	S/3,465.00
	S/5.64	S/5,640.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Renesas Electronics
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-220FP-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	50 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	11 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	59 nC
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	25 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tray
Marca:	Renesas Electronics
Tiempo de caída:	10 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	100 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	9 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	1
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	60 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	30 ns