TPN2R304PL,L1Q
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757-TPN2R304PLL1Q
TPN2R304PL,L1Q
Fabricante:
Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 Volt N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 Volt N-Channel
Hoja de datos:
En existencias: 38,003
-
Existencias:
-
38,003 Se puede enviar inmediatamenteSe ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
-
Plazo de entrega de fábrica:
-
18 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Precio (PEN)
| Cantidad | Precio unitario |
Precio ext.
|
|---|---|---|
| Cinta cortada / MouseReel™ † | ||
| S/5.25 | S/5.25 | |
| S/3.30 | S/33.00 | |
| S/2.19 | S/219.00 | |
| S/1.70 | S/850.00 | |
| S/1.45 | S/1,450.00 | |
| S/1.42 | S/3,550.00 | |
| Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000) | ||
| S/1.35 | S/6,750.00 | |
† S/23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver.
↩
Hoja de datos
Application Notes
- Application Note
- Application Note
- Impacts of the dv/dt Rate on MOSFETs
- MOSFET Avalanche Ruggedness
- MOSFET Gate Driver Circuit
- MOSFET Parallening (Parasitic Oscillation Between Parallel Power MOSFETs)
- Parasitic Oscillation and Ringing of Power MOSFETs
- Parasitic Oscillation and Ringing of Power MOSFETs
- Power MOSFET Electrical Characteristics
- Power MOSFET Maximum Ratings
- Power MOSFET Selecting MOSFETs and Consideration for Circuit Design
- Power MOSFET Structure and Characteristics
- Power MOSFET Thermal Design and Attachment of a Thermal Fin
- Surface Mount Small Signal Transistor (BJT) Precautions for use
Models
Product Catalogs
Test/Quality Data
- CNHTS:
- 8541290000
- CAHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- JPHTS:
- 854129000
- KRHTS:
- 8541299000
- TARIC:
- 8541290000
- MXHTS:
- 8541299900
- ECCN:
- EAR99
