IPTC015N10NM5ATMA1
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726-IPTC015N10NM5ATM
IPTC015N10NM5ATMA1
Fabricante:
Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH >=100V
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH >=100V
Ciclo de vida:
Fin de vida útil:
Se encuentra obsoleto y será discontinuado por el fabricante.
Hoja de datos:
En existencias: 2,200
-
Existencias:
-
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Las cantidades superiores a 2200 estarán sujetas a requisitos mínimos de pedido.
Precio (PEN)
| Cantidad | Precio unitario |
Precio ext.
|
|---|---|---|
| S/24.91 | S/24.91 | |
| S/21.53 | S/215.30 | |
| S/20.82 | S/520.50 | |
| S/18.68 | S/1,868.00 | |
| S/18.65 | S/4,662.50 | |
| S/17.48 | S/8,740.00 | |
| S/15.88 | S/15,880.00 | |
| Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1800) | ||
| S/15.88 | S/28,584.00 | |
| 3,600 | Presupuesto | |
Reemplazo posible
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
Hoja de datos
EOL
Product Catalogs
- USHTS:
- 8541290065
- TARIC:
- 8541290000
- ECCN:
- EAR99
