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BSL308PEH6327XTSA1

Name: Infineon BSL308PEH6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BSL308PEH6327XTS
Price: 2.76 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-BSL308PEH6327XTS

Fabricante N.º:

BSL308PEH6327XTSA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

Hoja de datos:

BSL308PEH6327XTSA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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S/-.--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+S/23.00)

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	S/2.76	S/2.76
	S/1.53	S/15.30
	S/1.34	S/134.00
	S/1.07	S/535.00
	S/0.973	S/973.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	S/0.837	S/2,511.00
	S/0.751	S/4,506.00
	S/0.673	S/6,057.00
	S/0.666	S/15,984.00

† S/23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TSOP-6
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	2 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	88 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.5 V
Qg - Carga de puerta:	5 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	500 mW
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	2.8 ns, 2.8 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	4.6 S, 4.6 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	7.7 ns, 7.7 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	15.3 ns, 15.3 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	5.6 ns, 5.6 ns
Alias de las piezas n.º:	BSL308PE H6327 SP001101004
Peso de la unidad:	20 mg

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Application Notes

Models

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CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541210101
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) de potencia de pequeña señal

Infineon Small Signal Power MOSFETs are available in 7 industry-standard package types ranging from the largest SOT-223 down to the smallest SOT-363 measuring 2.1mm x 2mm x 0.9mm. These are offered in single, dual and complementary configurations. They are available in N-Channel, P-Channel or Complementary (both P-Channel and N-Channel within the same package) versions to meet a variety of design requirements. Typical applications for these devices include battery protection, LED lighting, low voltage drives, and DC/DC converters. Each of these Small Signal Power MOSFETs are also qualified to Automotive AEC Q101.
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