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1EDN7136UXTSA1

Name: Infineon 1EDN7136UXTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-1EDN7136UXTSA1
Price: 2.8 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-1EDN7136UXTSA1

Fabricante N.º:

1EDN7136UXTSA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Controladores de puertas LOW SIDE DRIVERS

Hoja de datos:

1EDN7136UXTSA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	S/2.80	S/2.80
	S/2.00	S/20.00
	S/1.80	S/45.00
	S/1.57	S/157.00
	S/1.47	S/367.50
	S/1.40	S/700.00
	S/1.35	S/1,350.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 4500)
	S/1.30	S/5,850.00
	S/1.23	S/11,070.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Controladores de puertas
RoHS:
Producto:	Driver ICs - Various
Tipo:	High-Side
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TSNP-7
Número de controladores:	1 Driver
Número de salidas:	1 Output
Corriente de salida:	1 A
Voltaje de alimentación - Mín.:	4.2 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	11 V
Configuración:	Non-Inverting
Tiempo de subida:	5.5 ns
Tiempo de caída:	5.5 ns
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 125 C
Serie:	1EDN7136
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Infineon Technologies
Voltaje de entrada - Máx.:	11 V
Voltaje de entrada - Mín.:	4.2 V
Tipo lógico:	CMOS
Tiempo de retardo de apagado máximo:	109 ns
Tiempo de retardo de encendido máximo:	109 ns
Corriente de suministro operativa:	2.6 mA
Tipo de producto:	Gate Drivers
Retraso de propagación - Máx.:	109 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	4500
Subcategoría:	PMIC - Power Management ICs
Tecnología:	GaN
Alias de las piezas n.º:	1EDN7136U SP005538839

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1EDN7136UXTSA1 Symbol & Footprint by SnapMagic

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CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

EiceDRIVER™ Gate Driver ICs

Infineon EiceDRIVER™ Gate Driver ICs are designed for MOSFETs, IGBTs, SiC MOSFETs, and GaN HEMTs devices. EiceDRIVER™ gate drivers provide a wide range of typical output current options, from 0.1A up to 10A. These devices have robust gate drive protection features such as fast short-circuit protection (DESAT), active Miller clamp, shoot-through protection, fault, shutdown, and over current protection. These features make these driver ICs well-suited for both silicon and wide-bandgap power devices, including CoolGaN™, and CoolSiC™. That’s why Infineon offers more than 500 EiceDRIVER™ gate driver IC solutions suitable for any power switch, and any application.

1EDN71x6U 200V High-Side TDI Gate Driver

Infineon Technologies 1EDN71x6U 200V High-Side TDI Gate Drivers are single-channel gate-driver IC optimized for driving Infineon CoolGaN™ Schottky Gate HEMTs, as well as other GaN SG HEMTs and Si MOSFETs. This gate driver includes several key features that enable a high-performance system design with GaN SG HEMTs, including Truly Differential Input, four driving strength options, an active Miller clamp, and a bootstrap voltage clamp.