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MASTERGAN7TR

Name: STMicroelectronics MASTERGAN7TR
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-MASTERGAN7TR
Price: 27.05 PEN
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

511-MASTERGAN7TR

Fabricante N.º:

MASTERGAN7TR

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

Controladores de puertas 650 V enhancement mode GaN High power density half-bridge with high voltage driver

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+S/23.00)

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	S/27.05	S/27.05
	S/20.75	S/207.50
	S/19.15	S/478.75
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	S/19.15	S/57,450.00

† S/23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Controladores de puertas
RoHS:
Tipo:	Half-Bridge
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	QFN-35
Número de controladores:	2 Driver
Voltaje de alimentación - Mín.:	9 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	18 V
Tiempo de caída:	5 ns
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 125 C
Serie:	MASTERGAN7
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	STMicroelectronics
Voltaje de entrada - Máx.:	18 V
Voltaje de entrada - Mín.:	9 V
Sensibles a la humedad:	Yes
Tipo de producto:	Gate Drivers
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	PMIC - Power Management ICs
Peso de la unidad:	150 mg

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Códigos de cumplimiento

USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Singapur
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers

STMicroelectronics MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers implement a high-power-density power supply with the integration of both a gate driver and two enhancement-mode GaN transistors in a half-bridge configuration. The integrated power GaNs feature an R_DS(ON) of 150mΩ and a 650V drain-source breakdown voltage. The integrated bootstrap diode can quickly supply the high side of the embedded gate driver.