Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
PXAC201602FC-V1-R0
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S/362.24
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941-PXAC201602FC1R0
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
PXAC201602FC-V1-R250
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S/329.97
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz
PXAE263708NB-V1-R0
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S/259.01
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 80 W, 28 V, 1.3 to 1.7 GHz RF power LDMOS transistor
RF2L16080CF2
STMicroelectronics
160:
S/235.81
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511-RF2L16080CF2
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STMicroelectronics
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 8 W, 28 V, 0.7 to 4.2 GHz RF power LDMOS transistor
RF2L42008CG2
STMicroelectronics
300:
S/134.76
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
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511-RF2L42008CG2
NRND
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 8 W, 28 V, 0.7 to 4.2 GHz RF power LDMOS transistor
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 250 W 28/32 V RF power LDMOS transistor from HF to 1 GHz
RF3L05250CB4
STMicroelectronics
100:
S/764.84
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
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511-RF3L05250CB4
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 250 W 28/32 V RF power LDMOS transistor from HF to 1 GHz
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS transistor HF up to 1.5 GHz
ST9060C
STMicroelectronics
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S/295.56
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ST9060C
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511-ST9060C
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 300W 50V RF MOS 26dB 123MHz N-Ch
STAC4932F
STMicroelectronics
80:
S/437.95
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
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511-STAC4932F
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 300W 50V RF MOS 26dB 123MHz N-Ch
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
PTAC240502FC-V1-R0
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S/310.70
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941-PTAC240502FC1R0
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
PTAC240502FC-V1-R250
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S/282.98
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941-PTAC240502FC1R2
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
PTFC210202FC-V1-R0
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S/231.88
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941-PTFC210202FC1R0
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
PTFC210202FC-V1-R250
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S/217.40
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941-PTFC210202FC1R2
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 500W, Si LDMOS, 48V, 859-960MHz TO288
PTRA094858NF-V1-R5
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S/460.44
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941-PTRA094858NFV1R5
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
PTVA030121EA-V1-R250
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S/141.84
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941-PTVA030121EA1R2
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
PTVA035002EV-V1-R250
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S/1,738.04
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941-PTVA035002EV1R2
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 500W, Si LDMOS, 50V, 390-450MHz, Flange
PTVA035002EV-V1-R0
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50:
S/1,738.04
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941-PTVA035002EVV1R0
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
PTVA047002EV-V1-R0
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S/1,934.92
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941-PTVA047002EV1R0
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
PTVA047002EV-V1-R250
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250:
S/1,934.92
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941-PTVA047002EV1R2
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
PTVA101K02EV-V1-R0
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S/3,201.81
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941-PTVA101K02EV1R0
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
PTVA101K02EV-V1-R250
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250:
S/3,146.07
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941-PTVA101K02EV1R2
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
PTVA102001EA-V1-R2
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250:
S/665.03
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941-PTVA102001EA1R2
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
PTVA104501EH-V1-R0
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S/2,035.47
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N.º de artículo de Mouser
941-PTVA104501EH1R0
NRND
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
PTVA104501EH-V1-R250
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250:
S/1,934.92
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N.º de artículo de Mouser
941-PTVA104501EH1R2
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
PTVA120251EA-V2-R250
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S/163.91
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N.º de artículo de Mouser
941-PTVA120251EA2R2
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
PTVA120501EA-V1-R0
MACOM
50:
S/233.67
No en existencias
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N.º de artículo de Mouser
941-PTVA120501EA1R0
NRND
MACOM
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
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