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MDmesh Semiconductores

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220 packag

STP18N60DM2
STMicroelectronics
1: S/12.38
1,235En existencias

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STP18N60DM2

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511-STP18N60DM2

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220 packag

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S/12.38

S/6.54

S/5.92

S/4.83

S/4.28

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 68 mOhm typ., 36 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package

STP46N60M6
STMicroelectronics
1: S/28.80
994En existencias

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STP46N60M6

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511-STP46N60M6

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 68 mOhm typ., 36 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package

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994En existencias

S/28.80

S/20.36

S/16.97

S/15.10

S/14.13

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package

STP8N90K5
STMicroelectronics
1: S/14.67
798En existencias

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STP8N90K5

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511-STP8N90K5

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package

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798En existencias

S/14.67

S/7.63

S/6.89

S/5.64

S/5.45

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Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 V 0.95 Ohm 6 A Zener-protecte

STU7N80K5
STMicroelectronics
1: S/10.24
1,841En existencias

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STU7N80K5

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511-STU7N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 V 0.95 Ohm 6 A Zener-protecte

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1,841En existencias

S/10.24

S/4.75

S/4.28

S/3.63

S/3.25

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package

STW33N60M6
STMicroelectronics
1: S/21.99
427En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW33N60M6

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511-STW33N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package

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S/21.99

S/15.84

S/11.44

S/10.59

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET i

STW58N65DM2AG
STMicroelectronics
1: S/47.06
454En existencias

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STW58N65DM2AG

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511-STW58N65DM2AG

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET i

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S/47.06

S/38.34

S/31.96

S/26.59

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 90 mOhm typ., 28 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

STWA30N65DM6AG
STMicroelectronics
1: S/28.30
352En existencias

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STWA30N65DM6AG

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511-STWA30N65DM6AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 90 mOhm typ., 28 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

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352En existencias

S/28.30

S/17.01

S/14.29

S/13.43

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 46 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea

STWA65N60DM6
STMicroelectronics
1: S/28.06
589En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STWA65N60DM6

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511-STWA65N60DM6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 46 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea

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589En existencias

S/28.06

S/20.75

S/16.78

S/14.64

S/13.20

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 68 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea

STWA70N65DM6
STMicroelectronics
1: S/57.61
596En existencias

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STWA70N65DM6

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511-STWA70N65DM6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 68 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea

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S/57.61

S/43.01

S/37.21

S/32.89

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.340 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220 pack

STP15N60M2-EP
STMicroelectronics
1: S/9.19
1,962En existencias
NRND

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STP15N60M2-EP

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511-STP15N60M2-EP

NRND

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.340 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220 pack

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S/9.19

S/5.29

S/4.09

S/3.44

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 340 mOhm typ., 11 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a DPAK package

STD15N60M2-EP
STMicroelectronics
1: S/9.03
2,461En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
STD15N60M2-EP

N.º de artículo de Mouser
511-STD15N60M2-EP

NRND

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 340 mOhm typ., 11 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a DPAK package

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S/9.03

S/5.76

S/4.01

S/3.38

S/2.83

Envase tipo carrete

S/2.69

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2

STD6N60M2
STMicroelectronics
1: S/7.75
2,265En existencias

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STD6N60M2

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511-STD6N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2

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Cinta cortada

S/7.75

S/4.94

S/3.36

S/2.85

S/2.47

Envase tipo carrete

S/2.26

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package

STU16N65M2
STMicroelectronics
1: S/11.13
818En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STU16N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STU16N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package

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818En existencias

S/11.13

S/5.18

S/4.71

S/4.01

S/3.81

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 440 mOhm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

STD10N60DM2
STMicroelectronics
1: S/7.63
2,122En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD10N60DM2

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511-STD10N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 440 mOhm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

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Cinta cortada

S/7.63

S/4.90

S/3.29

S/2.61

S/2.39

Envase tipo carrete

S/2.28

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5

STF38N65M5
STMicroelectronics
1: S/23.59
431En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF38N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STF38N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5

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431En existencias

S/23.59

S/13.43

S/12.26

S/10.47

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 140 mOhm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra

STFU26N60M2
STMicroelectronics
1: S/13.82
922En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STFU26N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STFU26N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 140 mOhm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra

Hoja de datos

922En existencias

S/13.82

S/8.99

S/6.89

S/5.76

S/5.02

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 500V

STF19NM50N
STMicroelectronics
1: S/19.19
556En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF19NM50N

N.º de artículo de Mouser
511-STF19NM50N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 500V

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556En existencias

S/19.19

S/11.09

S/10.12

S/8.95

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Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.28Ohm 11A Mdmesh II I2PAK

STI13NM60N
STMicroelectronics
1: S/10.51
913En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STI13NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STI13NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.28Ohm 11A Mdmesh II I2PAK

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913En existencias

S/10.51

S/6.73

S/4.59

S/3.81

S/3.30

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 51 mOhm typ., 39 A MDmesh DM9 Power MOSFET

ST8L60N065DM9
STMicroelectronics
1: S/24.87
244En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ST8L60N065DM9

N.º de artículo de Mouser
511-ST8L60N065DM9

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 51 mOhm typ., 39 A MDmesh DM9 Power MOSFET

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S/24.87

S/17.28

S/12.65

S/11.95

Envase tipo carrete

S/11.79

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 58 A MDmesh M9 Power MOSFET

ST8L65N044M9
STMicroelectronics
1: S/29.89
225En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ST8L65N044M9

N.º de artículo de Mouser
511-ST8L65N044M9

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 58 A MDmesh M9 Power MOSFET

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225En existencias

Cinta cortada

S/29.89

S/20.44

S/15.61

S/14.67

Envase tipo carrete

S/14.56

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.246 Ohm 12A Mdmesh 2 PWR MO

STF14NM50N
STMicroelectronics
1: S/17.94
1,608En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF14NM50N

N.º de artículo de Mouser
511-STF14NM50N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.246 Ohm 12A Mdmesh 2 PWR MO

Hoja de datos

1,608En existencias

S/17.94

S/9.65

S/8.56

S/7.32

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 5 Amp

STD5NM60-1
STMicroelectronics
1: S/13.27
2,017En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD5NM60-1

N.º de artículo de Mouser
511-STD5NM60-1

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 5 Amp

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2,017En existencias

S/13.27

S/6.31

S/6.19

S/5.25

S/4.87

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protecte

STU3N80K5
STMicroelectronics
1: S/7.28
2,731En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STU3N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STU3N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protecte

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2,731En existencias

S/7.28

S/3.26

S/3.10

S/2.57

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Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.160 Ohm 19A HV Mdmesh II

STL26NM60N
STMicroelectronics
1: S/19.54
2,119En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL26NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STL26NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.160 Ohm 19A HV Mdmesh II

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S/19.54

S/15.65

S/11.33

S/11.21

S/9.96

Envase tipo carrete

S/9.96

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Mdmesh 650V .19 Ohms 1mm TO-220 17A (ID)

STL21N65M5
STMicroelectronics
1: S/19.15
2,732En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL21N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STL21N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Mdmesh 650V .19 Ohms 1mm TO-220 17A (ID)

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S/19.15

S/14.32

S/11.79

S/10.43

Envase tipo carrete

S/10.43

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

MDmesh Semiconductores

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