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RF Power MOSFET Semiconductores

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N.° de pieza

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

PTFB201402FC-V2-R0
MACOM
50: S/305.33
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
PTFB201402FC-V2-R0

N.º de artículo de Mouser
941-PTFB201402FC2R0

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

No en existencias

Envase tipo carrete

S/305.33

S/278.12

Ver

Min.: 50
Mult.: 50

: 50

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

PTFB201402FC-V2-R250
MACOM
250: S/278.16
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
PTFB201402FC-V2-R250

N.º de artículo de Mouser
941-PTFB201402FC2R2

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

No en existencias

Envase tipo carrete

S/278.16

Ver

Min.: 250
Mult.: 250

: 250

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

PTFC260202FC-V1-R0
MACOM
50: S/254.30
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
PTFC260202FC-V1-R0

N.º de artículo de Mouser
941-PTFC260202FC1R0

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

No en existencias

Envase tipo carrete

S/254.30

S/229.03

Presupuesto

Min.: 50
Mult.: 50

: 50

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

PTFC260202FC-V1-R250
MACOM
250: S/229.07
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
PTFC260202FC-V1-R250

N.º de artículo de Mouser
941-PTFC260202FC1R2

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

No en existencias

Envase tipo carrete

S/229.07

Presupuesto

Min.: 250
Mult.: 250

: 250

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 30W, Si LDMOS IC , 50V, 575-960MHz, TO270

PTGA090304MD-V1-R5
MACOM
500: S/158.50
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
PTGA090304MD-V1-R5

N.º de artículo de Mouser
941-PTGA090304MDV1R5

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 30W, Si LDMOS IC , 50V, 575-960MHz, TO270

Hoja de datos

No en existencias

Envase tipo carrete

S/158.50

Min.: 500
Mult.: 500

: 500

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 30W, Si LDMOS IC , 50V, 575-960MHz, TO270

PTGA090304MD-V2-R5
MACOM
500: S/158.46
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
PTGA090304MD-V2-R5

N.º de artículo de Mouser
941-PTGA090304MDV2R5

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 30W, Si LDMOS IC , 50V, 575-960MHz, TO270

Hoja de datos

No en existencias

Envase tipo carrete

S/158.46

Min.: 500
Mult.: 500

: 500

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 40W, Si LDMOS IC , 28V, 1800-2100MHz, TO270

PTMC210404MD-V2-R5
MACOM
500: S/180.69
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
PTMC210404MD-V2-R5

N.º de artículo de Mouser
941-PTMC210404MDV2R5

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 40W, Si LDMOS IC , 28V, 1800-2100MHz, TO270

Hoja de datos

No en existencias

Envase tipo carrete

S/180.69

Min.: 500
Mult.: 500

: 500

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 60W, Si LDMOS IC , 28V, 1800-2100MHz, TO270

PTNC210604MD-V1-R5
MACOM
500: S/194.16
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
PTNC210604MD-V1-R5

N.º de artículo de Mouser
941-PTNC210604MDV1R5

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 60W, Si LDMOS IC , 28V, 1800-2100MHz, TO270

Hoja de datos

No en existencias

Envase tipo carrete

S/194.16

Min.: 500
Mult.: 500

: 500

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Power Amplifier

PTRA084808NF-V1-R5
MACOM
500: S/419.53
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
PTRA084808NF-V1-R5

N.º de artículo de Mouser
941-PTRA084808NF1R5

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Power Amplifier

Hoja de datos

No en existencias

Envase tipo carrete

S/419.53

Min.: 500
Mult.: 500

: 500

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 615W, Si LDMOS, 48V, 730-960 MHz, TO288

PTRA084858NF-V1-R5
MACOM
500: S/419.53
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
PTRA084858NF-V1-R5

N.º de artículo de Mouser
941-PTRA084858NFV1R5

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 615W, Si LDMOS, 48V, 730-960 MHz, TO288

Hoja de datos

No en existencias

Envase tipo carrete

S/419.53

Min.: 500
Mult.: 500

: 500

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Power Amplifier

PTRA087008NB-V1-R5
MACOM
500: S/500.50
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
PTRA087008NB-V1-R5

N.º de artículo de Mouser
941-PTRA087008NB1R5

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Power Amplifier

Hoja de datos

No en existencias

Envase tipo carrete

S/500.50

Min.: 500
Mult.: 500

: 500

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 700W, Si LDMOS, 48V, 790-820MHz, TO275

PTRA087008NB-V1-R2
MACOM
250: S/485.43
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
PTRA087008NB-V1-R2

N.º de artículo de Mouser
941-PTRA087008NBV1R2

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 700W, Si LDMOS, 48V, 790-820MHz, TO275

Hoja de datos

No en existencias

Envase tipo carrete

S/485.43

Presupuesto

Min.: 250
Mult.: 250

: 250

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Power Amplifier

PTRA094808NF-V1-R5
MACOM
500: S/419.53
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
PTRA094808NF-V1-R5

N.º de artículo de Mouser
941-PTRA094808NF1R5

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Power Amplifier

Hoja de datos

No en existencias

Envase tipo carrete

S/419.53

Min.: 500
Mult.: 500

: 500

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 520W, Si LDMOS, 48V, 925-960MHz, TO275

PTRA095908NB-V1-R2
MACOM
250: S/478.35
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
PTRA095908NB-V1-R2

N.º de artículo de Mouser
941-PTRA095908NBV1R2

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 520W, Si LDMOS, 48V, 925-960MHz, TO275

Hoja de datos

No en existencias

Envase tipo carrete

S/478.35

Ver

Min.: 250
Mult.: 250

: 250

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Power Amplifier

PTRA097008NB-V1-R2
MACOM
250: S/485.43
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
PTRA097008NB-V1-R2

N.º de artículo de Mouser
941-PTRA097008NB1R2

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Power Amplifier

Hoja de datos

No en existencias

Envase tipo carrete

S/485.43

Presupuesto

Min.: 250
Mult.: 250

: 250

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 850W, Si LDMOS 48V, 730-960 MHz, TO288

PTRA097058NB-V1-R2
MACOM
250: S/511.75
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
PTRA097058NB-V1-R2

N.º de artículo de Mouser
941-PTRA097058NBV1R2

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 850W, Si LDMOS 48V, 730-960 MHz, TO288

Hoja de datos

No en existencias

Envase tipo carrete

S/511.75

Ver

Min.: 250
Mult.: 250

: 250

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

PTVA082407NF-V1-R5
MACOM
500: S/269.59
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
PTVA082407NF-V1-R5

N.º de artículo de Mouser
941-PTVA082407NF1R5

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

Hoja de datos

No en existencias

Envase tipo carrete

S/269.59

Min.: 500
Mult.: 500

: 500

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

PTVA084007NF-V1-R5
MACOM
500: S/377.49
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
PTVA084007NF-V1-R5

N.º de artículo de Mouser
941-PTVA084007NF1R5

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

Hoja de datos

No en existencias

Envase tipo carrete

S/377.49

Min.: 500
Mult.: 500

: 500

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

PTVA092407NF-V1-R5
MACOM
500: S/278.04
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
PTVA092407NF-V1-R5

N.º de artículo de Mouser
941-PTVA092407NF1R5

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

Hoja de datos

No en existencias

Envase tipo carrete

S/278.04

Min.: 500
Mult.: 500

: 500

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 240W, Si LDMOS, 48V, 869-960MHz, TO288

PTVA092407NF-V2-R5
MACOM
500: S/269.59
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
PTVA092407NF-V2-R5

N.º de artículo de Mouser
941-PTVA092407NFV2R5

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 240W, Si LDMOS, 48V, 869-960MHz, TO288

Hoja de datos

No en existencias

Envase tipo carrete

S/269.59

Min.: 500
Mult.: 500

: 500

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

PTVA120252MT-V1-R1K
MACOM
1,000: S/79.17
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
PTVA120252MT-V1-R1K

N.º de artículo de Mouser
941-PTVA120252MT1RK

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

Hoja de datos

No en existencias

Envase tipo carrete

S/79.17

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

: 1,000

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

PXAC200902FC-V1-R0
MACOM
50: S/250.75
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
PXAC200902FC-V1-R0

N.º de artículo de Mouser
941-PXAC200902FC1R0

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

No en existencias

Envase tipo carrete

S/250.75

S/225.84

Min.: 50
Mult.: 50

: 50

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

PXAC200902FC-V1-R2
MACOM
250: S/225.88
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
PXAC200902FC-V1-R2

N.º de artículo de Mouser
941-PXAC200902FC1R2

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

No en existencias

Envase tipo carrete

S/225.88

Presupuesto

Min.: 250
Mult.: 250

: 250

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

PXAC201202FC-V2-R0
MACOM
50: S/310.70
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
PXAC201202FC-V2-R0

N.º de artículo de Mouser
941-PXAC201202FC2R0

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

No en existencias

Envase tipo carrete

S/310.70

S/282.95

Min.: 50
Mult.: 50

: 50

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

PXAC201202FC-V2-R250
MACOM
250: S/282.98
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
PXAC201202FC-V2-R250

N.º de artículo de Mouser
941-PXAC201202FC2R2

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

No en existencias

Envase tipo carrete

S/282.98

Presupuesto

Min.: 250
Mult.: 250

: 250

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