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RF Power MOSFET Semiconductores

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N.° de pieza

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) Full-Bridge 13.56 MHz Reference Design Kit

DRF1510-CLASS-D
Microchip Technology
1: S/37,286.06
No en existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
DRF1510-CLASS-D

N.º de artículo de Mouser
579-DRF1510CLASSD

Nuevo producto

Microchip Technology

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) Full-Bridge 13.56 MHz Reference Design Kit

Hoja de datos

No en existencias

S/37,286.06

Min.: 1
Mult.: 1

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 600 W 30 MHz T2

VRF164FL
Microchip Technology
10: S/1,962.56
Plazo de entrega no en existencias 30 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
VRF164FL

N.º de artículo de Mouser
579-VRF164FL

Nuevo producto

Microchip Technology

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 600 W 30 MHz T2

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 30 Semanas

S/1,962.56

Min.: 10
Mult.: 1

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 600 W 30 MHz T2

VRF164FLMP
Microchip Technology
10: S/3,925.16
Plazo de entrega no en existencias 30 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
VRF164FLMP

N.º de artículo de Mouser
579-VRF164FLMP

Nuevo producto

Microchip Technology

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 600 W 30 MHz T2

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 30 Semanas

S/3,925.16

Min.: 10
Mult.: 1

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch Radio Freq 3A 20W 10V VDSS

2SK3079ATE12LQ
Toshiba
1: S/14.05
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
2SK3079ATE12LQ

N.º de artículo de Mouser
757-2SK3079ATE12LQ

Toshiba

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch Radio Freq 3A 20W 10V VDSS

Hoja de datos

No en existencias

Cinta cortada

S/14.05

S/9.15

S/6.42

S/5.61

Envase tipo carrete

S/4.71

S/4.67

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 0.1A 0.25W 20V

RFM00U7U(TE85L,F)
Toshiba
3,000: S/2.19
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
RFM00U7U(TE85L,F)

N.º de artículo de Mouser
757-RFM00U7UTE85LF

Toshiba

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 0.1A 0.25W 20V

Hoja de datos

No en existencias

Envase tipo carrete

S/2.19

S/2.13

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

: 3,000

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 4A 20W 20V

RFM12U7X(TE12L,Q)
Toshiba
1,000: S/20.44
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
RFM12U7X(TE12L,Q)

N.º de artículo de Mouser
757-RFM12U7XTE12LQ

Toshiba

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 4A 20W 20V

Hoja de datos

No en existencias

Envase tipo carrete

S/20.44

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

: 1,000

GaN FETs 1-1.1GHz 1800 Watt Gain 22.5dB 65V GaN

QPD1025
Qorvo
18: S/8,430.53
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
QPD1025

N.º de artículo de Mouser
772-QPD1025

Qorvo

GaN FETs 1-1.1GHz 1800 Watt Gain 22.5dB 65V GaN

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

S/8,430.53

Min.: 18
Mult.: 18

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,Mosfet,120W,2-175MHz,28V

DU28120V
MACOM
40: S/1,141.16
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
DU28120V

N.º de artículo de Mouser
937-DU28120V

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,Mosfet,120W,2-175MHz,28V

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

S/1,141.16

Min.: 40
Mult.: 40

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-175MHz 300Watts 50Volt Gain 14dB

MRF151G
MACOM
1: S/1,748.74
Plazo de entrega 28 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
MRF151G

N.º de artículo de Mouser
937-MRF151G

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-175MHz 300Watts 50Volt Gain 14dB

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega 28 Semanas

S/1,748.74

S/1,490.40

Min.: 1
Mult.: 1

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-500MHz 100Watts 28Volt Gain 8.8dB

MRF275L
MACOM
80: S/758.88
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
MRF275L

N.º de artículo de Mouser
937-MRF275L

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-500MHz 100Watts 28Volt Gain 8.8dB

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas

S/758.88

Min.: 80
Mult.: 80

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 100-500MHz 40Watts 28Volt Gain 10dB

UF2840G
MACOM
40: S/1,250.78
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
UF2840G

N.º de artículo de Mouser
937-UF2840G

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 100-500MHz 40Watts 28Volt Gain 10dB

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

S/1,250.78

Min.: 40
Mult.: 40

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART1K6PHG/1/OMP-1230/REEL

ART1K6PHGY
Ampleon
100: S/708.24
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
ART1K6PHGY

N.º de artículo de Mouser
94-ART1K6PHGY

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART1K6PHG/1/OMP-1230/REEL

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Envase tipo carrete

S/708.24

Min.: 100
Mult.: 100

: 100

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART1K6PHG/1/OMP-1230/TRAY

ART1K6PHGZ
Ampleon
60: S/741.29
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
ART1K6PHGZ

N.º de artículo de Mouser
94-ART1K6PHGZ

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART1K6PHG/1/OMP-1230/TRAY

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Envase tipo carrete

S/741.29

Ver

Min.: 60
Mult.: 60

: 60

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART1K6PH/1/OMP-1230/REEL

ART1K6PHY
Ampleon
100: S/708.24
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
ART1K6PHY

N.º de artículo de Mouser
94-ART1K6PHY

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART1K6PH/1/OMP-1230/REEL

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Envase tipo carrete

S/708.24

Min.: 100
Mult.: 100

: 100

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART1K6PH/1/OMP-1230/TRAY

ART1K6PHZ
Ampleon
60: S/734.55
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
ART1K6PHZ

N.º de artículo de Mouser
94-ART1K6PHZ

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART1K6PH/1/OMP-1230/TRAY

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Envase tipo carrete

S/734.55

Presupuesto

Min.: 60
Mult.: 60

: 60

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP0408H9S30G/TO270/REEL

BLP0408H9S30GXY
Ampleon
1: S/145.27
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
BLP0408H9S30GXY

N.º de artículo de Mouser
94-BLP0408H9S30GXY

Nuevo producto

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP0408H9S30G/TO270/REEL

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Cinta cortada

S/145.27

S/118.18

S/111.40

Envase tipo carrete

S/102.84

Min.: 1
Mult.: 1

: 100

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP0408H9S30G/TO270/REEL

BLP0408H9S30GZ
Ampleon
500: S/102.22
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
BLP0408H9S30GZ

N.º de artículo de Mouser
94-BLP0408H9S30GZ

Nuevo producto

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP0408H9S30G/TO270/REEL

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Envase tipo carrete

S/102.22

Min.: 500
Mult.: 500

: 500

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP981/TO270/REEL

BLP981Z
Ampleon
500: S/185.09
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
BLP981Z

N.º de artículo de Mouser
94-BLP981Z

Nuevo producto

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP981/TO270/REEL

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Envase tipo carrete

S/185.09

Min.: 500
Mult.: 500

: 500

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) CLP24H4S30P/DFN-6.5X7/REEL

CLP24H4S30PZ
Ampleon
1,000: S/230.59
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
CLP24H4S30PZ

N.º de artículo de Mouser
94-CLP24H4S30PZ

Nuevo producto

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) CLP24H4S30P/DFN-6.5X7/REEL

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Envase tipo carrete

S/230.59

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

: 1,000

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

PTAB182002FC-V1-R0
MACOM
50: S/432.57
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
PTAB182002FC-V1-R0

N.º de artículo de Mouser
941-PTAB182002FC1R0

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

No en existencias

Envase tipo carrete

S/432.57

S/394.04

Ver

Min.: 50
Mult.: 50

: 50

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

PTAB182002FC-V1-R250
MACOM
250: S/394.08
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
PTAB182002FC-V1-R250

N.º de artículo de Mouser
941-PTAB182002FC1R2

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

No en existencias

Envase tipo carrete

S/394.08

Ver

Min.: 250
Mult.: 250

: 250

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

PTAC260302FC-V1-R0
MACOM
50: S/306.42
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
PTAC260302FC-V1-R0

N.º de artículo de Mouser
941-PTAC260302FC1R0

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

No en existencias

Envase tipo carrete

S/306.42

S/276.02

Presupuesto

Min.: 50
Mult.: 50

: 50

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

PTAC260302FC-V1-R250
MACOM
250: S/276.06
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
PTAC260302FC-V1-R250

N.º de artículo de Mouser
941-PTAC260302FC1R2

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

No en existencias

Envase tipo carrete

S/276.06

Presupuesto

Min.: 250
Mult.: 250

: 250

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Si LDMOS

PTFA211801E-V5-R0
MACOM
50: S/692.24
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
PTFA211801E-V5-R0

N.º de artículo de Mouser
941-PTFA211801EV5R0

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Si LDMOS

No en existencias

Envase tipo carrete

S/692.24

Ver

Min.: 50
Mult.: 50

: 50

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Si LDMOS

PTFA211801E-V5-R250
MACOM
250: S/646.70
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
PTFA211801E-V5-R250

N.º de artículo de Mouser
941-PTFA211801EV5R25

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Si LDMOS

No en existencias

Envase tipo carrete

S/646.70

Ver

Min.: 250
Mult.: 250

: 250

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