MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2
IMW65R010M2HXKSA1
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726-IMW65R010M2HXKSA
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MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2
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MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2
IMW65R033M2HXKSA1
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MOSFETs de SiC SIC DISCRETE
IMYR140R006M2HXLSA1
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MOSFETs de SiC SIC DISCRETE
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MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1400 V G2 in TO-247PLUS-4 Reflow package
IMYR140R008M2HXLSA1
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240 Se espera el 21/05/2026
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MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1400 V G2 in TO-247PLUS-4 Reflow package
335 En existencias
240 Se espera el 21/05/2026
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S/159.32
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S/135.89
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MOSFETs de SiC SIC DISCRETE
IMYR140R011M2HXLSA1
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726-IMYR140R011M2HXL
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MOSFETs de SiC SIC DISCRETE
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MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1400 V G2 in TO-247PLUS-4 Reflow package
IMYR140R019M2HXLSA1
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MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1400 V G2 in TO-247PLUS-4 Reflow package
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S/64.03
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MOSFETs de SiC SIC DISCRETE
IMYR140R024M2HXLSA1
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726-IMYR140R024M2HXL
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MOSFETs de SiC SIC DISCRETE
240 En existencias
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S/60.61
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S/37.29
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MOSFETs de SiC SIC DISCRETE
IMYR140R029M2HXLSA1
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MOSFETs de SiC SIC DISCRETE
240 En existencias
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S/54.57
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MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2
IMZC120R012M2HXKSA1
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480 Se espera el 18/06/2026
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726-IMZC120R012M2HXK
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MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2
326 En existencias
480 Se espera el 18/06/2026
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MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2
IMZC120R017M2HXKSA1
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S/70.96
674 En existencias
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726-IMZC120R017M2HXK
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MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2
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MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2
IMZC120R026M2HXKSA1
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726-IMZC120R026M2HXK
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MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2
573 En existencias
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MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2
IMZC120R034M2HXKSA1
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726-IMZC120R034M2HXK
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MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2
827 En existencias
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MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 40 mohm G2
IMZC120R040M2HXKSA1
Infineon Technologies
1:
S/42.12
536 En existencias
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726-IMZC120R040M2HXK
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MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 40 mohm G2
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480 Se espera el 23/11/2026
240 Se espera el 28/01/2027
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30 Semanas
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S/42.12
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S/25.18
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S/23.63
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MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2
IMZC120R053M2HXKSA1
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1:
S/35.85
844 En existencias
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726-IMZC120R053M2HXK
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MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2
844 En existencias
1
S/35.85
10
S/21.14
100
S/19.11
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MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 78 mohm G2
IMZC120R078M2HXKSA1
Infineon Technologies
1:
S/31.84
506 En existencias
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N.º de artículo de Mouser
726-IMZC120R078M2HXK
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Infineon Technologies
MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 78 mohm G2
506 En existencias
1
S/31.84
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S/18.57
100
S/16.35
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SIC_DISCRETE
AIMBG120R020M1XTMA1
Infineon Technologies
1:
S/74.23
2,273 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-AIMBG120R020M1X1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SIC_DISCRETE
2,273 En existencias
1
S/74.23
10
S/53.02
100
S/50.64
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S/47.29
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Carrete :
1,000
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MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
AIMZH120R010M1TXKSA1
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1:
S/134.33
2,083 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-AIMZH120R010M1TX
Infineon Technologies
MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
2,083 En existencias
1
S/134.33
10
S/96.77
100
S/95.09
480
S/89.92
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Infineon XHP2 module with CoolSiC Trench MOSFET
FF1000UXTR23T2M1B5BPSA1
Infineon Technologies
1:
S/14,108.95
6 En existencias
4 En pedido
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726-FF1000UXTR23T2M1
Nuevo producto
Infineon Technologies
Infineon XHP2 module with CoolSiC Trench MOSFET
6 En existencias
4 En pedido
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En pedido:
2 Se espera el 1/05/2026
2 Se espera el 14/05/2026
Plazo de entrega de fábrica:
20 Semanas
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Rectificadores y diodos Schottky CoolSiC Schottky diode 2000 V, 80 A G5 in a TO-247PLUS-4 HCC package
IDYH80G200C5XKSA1
Infineon Technologies
1:
S/173.72
480 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-IDYH80G200C5XKSA
Nuevo producto
Infineon Technologies
Rectificadores y diodos Schottky CoolSiC Schottky diode 2000 V, 80 A G5 in a TO-247PLUS-4 HCC package
480 En existencias
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Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
IMW65R007M2HXKSA1
Infineon Technologies
1:
S/108.02
1,794 En existencias
240 Se espera el 30/07/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IMW65R007M2HXKSA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
1,794 En existencias
240 Se espera el 30/07/2026
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Diodos Schottky de SiC SIC DIODES
IDH16G65C6XKSA1
Infineon Technologies
1:
S/26.62
6,875 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IDH16G65C6XKSA1
NRND
Infineon Technologies
Diodos Schottky de SiC SIC DIODES
6,875 En existencias
1
S/26.62
10
S/17.71
100
S/14.32
500
S/12.73
1,000
S/11.29
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
IMT65R022M1HXUMA1
Infineon Technologies
1:
S/59.83
2,583 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-MT65R022M1HXUMA1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
2,583 En existencias
1
S/59.83
10
S/44.53
100
S/37.29
500
S/36.12
1,000
Ver
2,000
S/34.84
1,000
S/35.89
2,000
S/34.84
4,000
Presupuesto
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,000
Detalles
MOSFETs de SiC Tailored to address OBC/DC-DC applications for 800V Automotive architecture
AIMCQ120R080M1TXTMA1
Infineon Technologies
1:
S/31.57
168 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-AIMCQ120R080M1TX
Nuevo producto
Infineon Technologies
MOSFETs de SiC Tailored to address OBC/DC-DC applications for 800V Automotive architecture
168 En existencias
1
S/31.57
10
S/21.25
100
S/17.36
500
S/17.13
750
S/17.13
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Mult.: 1
Carrete :
750
Detalles
MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
IMBG65R060M2HXTMA1
Infineon Technologies
1:
S/29.08
446 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-IMBG65R060M2HXTM
Nuevo producto
Infineon Technologies
MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
446 En existencias
1
S/29.08
10
S/19.70
100
S/16.00
500
S/14.21
1,000
S/12.53
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1,000
Detalles
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling
IMCQ120R007M2HXTMA1
Infineon Technologies
1:
S/152.59
6 En existencias
750 Se espera el 2/07/2026
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-IMCQ120R007M2HXT
Nuevo producto
Infineon Technologies
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling
6 En existencias
750 Se espera el 2/07/2026
1
S/152.59
10
S/113.62
100
S/113.47
500
S/113.43
750
S/111.01
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
750
Detalles