Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
MRF101AN
NXP Semiconductors
1:
S/172.17
2,612 Se espera el 9/07/2026
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser 771-MRF101AN
Fin de vida útil
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
2,612 Se espera el 9/07/2026
1
S/172.17
10
S/141.38
50
S/124.72
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
MRF300AN
NXP Semiconductors
1:
S/340.67
480 Se espera el 9/07/2026
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser 771-MRF300AN
Fin de vida útil
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
480 Se espera el 9/07/2026
1
S/340.67
10
S/285.79
25
S/254.18
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1.25KW ISM NI1230H
MRFE6VP61K25HR5
NXP Semiconductors
1:
S/1,681.40
150 Se espera el 23/06/2026
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser 841-MRFE6VP61K25HR5
Fin de vida útil
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1.25KW ISM NI1230H
150 Se espera el 23/06/2026
Embalaje alternativo
1
S/1,681.40
10
S/1,368.91
50
S/1,368.91
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Carrete :50
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1.25KW ISM NI1230HS
MRFE6VP61K25HSR5
NXP Semiconductors
1:
S/1,542.36
100 Se espera el 16/06/2026
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser 841-MRFE6VP61K25HSR5
Fin de vida útil
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1.25KW ISM NI1230HS
100 Se espera el 16/06/2026
1
S/1,542.36
10
S/1,251.91
50
S/1,251.91
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Carrete :50
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 100-200MHz 45Watts 28Volt Gain 17dB
MRF171A
MACOM
1:
S/559.94
50 Se espera el 13/10/2026
N.º de artículo del Fabricante
MRF171A
N.º de artículo de Mouser 937-MRF171A
MACOM
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 100-200MHz 45Watts 28Volt Gain 17dB
50 Se espera el 13/10/2026
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source
+1 imagen
ARF461AG
Microchip Technology
1:
S/230.51
27 Se espera el 16/06/2026
N.º de artículo de Mouser 494-ARF461AG
Microchip Technology
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source
27 Se espera el 16/06/2026
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor for Consumer and Commercial Cooking, 1.8-50 MHz, 300 W CW, 50 V
MHT1803A
NXP Semiconductors
1:
S/152.12
239 Se espera el 1/10/2026
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser 771-MHT1803A
Fin de vida útil
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor for Consumer and Commercial Cooking, 1.8-50 MHz, 300 W CW, 50 V
239 Se espera el 1/10/2026
1
S/152.12
10
S/123.78
25
S/115.53
50
S/104.94
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LANDMOBILE 7W PLD1.5W
AFT09MS007NT1
NXP Semiconductors
1:
S/41.07
3,980 Se espera el 9/07/2026
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser 841-AFT09MS007NT1
Fin de vida útil
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LANDMOBILE 7W PLD1.5W
3,980 Se espera el 9/07/2026
1
S/41.07
10
S/29.43
25
S/26.27
50
S/25.50
100
Ver
1,000
S/20.59
100
S/23.47
250
S/22.30
500
S/21.41
1,000
S/20.59
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
360°
MWT-PH8F71
CML Micro
1:
S/532.77
10 Se espera el 30/06/2026
N.º de artículo de Mouser 938-MWT-PH8F71
CML Micro
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
10 Se espera el 30/06/2026
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GaN FETs DC-12 GHz, 10W, 32V GaN RF Tr
QPD1022TR7
Qorvo
1,000:
S/102.72
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
N.º de artículo de Mouser 772-QPD1022TR7
Qorvo
GaN FETs DC-12 GHz, 10W, 32V GaN RF Tr
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Embalaje alternativo
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Carrete :1,000
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
PTVA102001EA-V1-R0
MACOM
1:
S/1,376.27
Plazo de entrega no en existencias 7 Semanas
NRND
N.º de artículo de Mouser 941-PTVA102001EA1R0
NRND
MACOM
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
Plazo de entrega no en existencias 7 Semanas
Embalaje alternativo
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
PTVA127002EV-V1-R0
MACOM
50:
S/3,904.88
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
NRND
N.º de artículo de Mouser 941-PTVA127002EV1R0
NRND
MACOM
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Embalaje alternativo
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Carrete :50
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 750 W 40 MHz T1
ARF1500
Microchip Technology
1:
S/1,209.63
No en existencias
N.º de artículo del Fabricante
ARF1500
N.º de artículo de Mouser 494-ARF1500
Microchip Technology
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 750 W 40 MHz T1
No en existencias
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 750 W 40 MHz T1
ARF1510
Microchip Technology
1:
S/1,334.50
No en existencias
N.º de artículo del Fabricante
ARF1510
N.º de artículo de Mouser 494-ARF1510
Microchip Technology
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 750 W 40 MHz T1
No en existencias
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 300 W 45 MHz TO-264
+1 imagen
ARF466AG
Microchip Technology
25:
S/254.96
No en existencias
N.º de artículo de Mouser 494-ARF466AG
Microchip Technology
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 300 W 45 MHz TO-264
No en existencias
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 300 W 45 MHz TO-264
+1 imagen
ARF466BG
Microchip Technology
25:
S/254.96
No en existencias
N.º de artículo de Mouser 494-ARF466BG
Microchip Technology
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 300 W 45 MHz TO-264
No en existencias
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 300 W 150 MHz T3C
ARF477FL
Microchip Technology
1:
S/594.38
No en existencias
N.º de artículo de Mouser 494-ARF477FL
Microchip Technology
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 300 W 150 MHz T3C
No en existencias
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Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 175 MHz M208
VRF151G
Microchip Technology
1:
S/679.55
No en existencias
N.º de artículo del Fabricante
VRF151G
N.º de artículo de Mouser 494-VRF151G
Microchip Technology
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 175 MHz M208
No en existencias
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 140 V 150 W 175 MHz M174
VRF152
Microchip Technology
1:
S/409.41
Plazo de entrega 24 Semanas
N.º de artículo del Fabricante
VRF152
N.º de artículo de Mouser 494-VRF152
Microchip Technology
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 140 V 150 W 175 MHz M174
Plazo de entrega 24 Semanas
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch, 25V 5A 3Pin Transistor, LDMOST
PD54008TR-E
STMicroelectronics
600:
S/38.54
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
N.º de artículo de Mouser 511-PD54008TR-E
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch, 25V 5A 3Pin Transistor, LDMOST
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Embalaje alternativo
600
S/38.54
1,200
S/36.47
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Min.: 600 Mult.: 600
Carrete :600
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.
PD55015STR-E
STMicroelectronics
600:
S/40.75
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
N.º de artículo de Mouser 511-PD55015STR-E
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Embalaje alternativo
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Min.: 600 Mult.: 600
Carrete :600
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power Trans N-Channel
PD55025TR-E
STMicroelectronics
600:
S/85.56
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
N.º de artículo de Mouser 511-PD55025TR-E
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power Trans N-Channel
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Embalaje alternativo
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Min.: 600 Mult.: 600
Carrete :600
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.
PD57018STR-E
STMicroelectronics
600:
S/88.32
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
N.º de artículo de Mouser 511-PD57018STR-E
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Embalaje alternativo
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Min.: 600 Mult.: 600
Carrete :600
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.
PD57018TR-E
STMicroelectronics
600:
S/87.58
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
N.º de artículo de Mouser 511-PD57018TR-E
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Embalaje alternativo
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Min.: 600 Mult.: 600
Carrete :600
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.
PD57030S-E
STMicroelectronics
400:
S/138.77
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
N.º de artículo de Mouser 511-PD57030S-E
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
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Min.: 400 Mult.: 400
Detalles
Perú
