CoolSiC – Mouser Perú

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N.° de pieza

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R034M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/46.87
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IMCQ120R034M2HXTMA1

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726-IMCQ120R034M2HXT

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MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

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S/46.87

S/31.14

S/28.26

S/24.48

Envase tipo carrete

S/23.82

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R040M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/43.87
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IMCQ120R040M2HXTMA1

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S/43.87

S/30.32

S/23.51

S/21.95

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S/21.95

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R053M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/36.82
330En existencias
750Se espera el 12/11/2026
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S/36.82

S/24.25

S/18.68

S/17.44

Envase tipo carrete

S/17.44

Min.: 1
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: 750

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2

IMDQ75R016M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/79.80
738En existencias
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726-IMDQ75R016M2HXTM

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MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2

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S/79.80

S/56.99

S/50.95

S/49.59

Envase tipo carrete

S/47.57

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2

IMDQ75R025M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/58.82
849En existencias
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IMDQ75R025M2HXTMA1

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MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2

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S/58.82

S/41.30

S/34.41

S/28.10

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S/28.06

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Mult.: 1

: 750

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2

IMDQ75R060M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/34.49
748En existencias
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S/34.49

S/23.51

S/17.28

S/16.15

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S/16.15

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: 750

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET

IMLT40R011M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/70.45
397En existencias
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IMLT40R011M2HXTMA1

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726-IMLT40R011M2HXTM

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET

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S/70.45

S/41.22

S/41.10

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S/41.10

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Mult.: 1

: 1,800

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET

IMLT40R015M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/54.57
1,758En existencias
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IMLT40R015M2HXTMA1

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726-IMLT40R015M2HXTM

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET

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S/54.57

S/38.15

S/31.22

S/25.53

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S/25.50

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET

IMLT40R036M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/32.27
1,799En existencias
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IMLT40R036M2HXTMA1

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726-IMLT40R036M2HXTM

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET

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S/32.27

S/21.91

S/16.04

S/14.64

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S/14.64

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Mult.: 1

: 1,800

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET

IMLT40R045M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/27.48
1,795En existencias
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IMLT40R045M2HXTMA1

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726-IMLT40R045M2HXTM

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET

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S/27.48

S/14.67

S/13.43

S/11.95

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S/11.95

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

MOSFETs de SiC Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling

IMLT65R033M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/44.34
909En existencias
1,800Se espera el 5/11/2026
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IMLT65R033M2HXTMA1

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MOSFETs de SiC Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling

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1,800Se espera el 5/11/2026

Cinta cortada

S/44.34

S/24.80

S/23.82

S/22.54

Envase tipo carrete

S/22.54

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMLT65R075M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/25.50
846En existencias
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IMLT65R075M2HXTMA1

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726-IMLT65R075M2HXTM

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MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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S/25.50

S/13.51

S/12.34

S/10.82

Envase tipo carrete

S/10.82

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET

IMT44R025M2HXTMA2
Infineon Technologies
1: S/43.95
1,975En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
IMT44R025M2HXTMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IMT44R025M2HXTMA

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET

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S/43.95

S/28.96

S/25.89

S/23.08

S/21.84

Envase tipo carrete

S/21.84

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMT65R010M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: S/93.11
835En existencias
2,000Se espera el 4/03/2027
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N.º de artículo del Fabricante
IMT65R010M2HXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMT65R010M2HXUMA

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MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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835En existencias

2,000Se espera el 4/03/2027

Cinta cortada

S/93.11

S/67.15

S/62.05

S/57.96

Envase tipo carrete

S/57.96

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2

IMTA65R026M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/48.46
1,968En existencias
Nuevo producto

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IMTA65R026M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMTA65R026M2HXTM

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2

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Cinta cortada

S/48.46

S/32.85

S/30.09

S/26.82

S/25.03

Envase tipo carrete

S/25.03

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V G2

IMTA65R033M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/42.16
1,700En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMTA65R033M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMTA65R033M2HXTM

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MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V G2

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S/42.16

S/29.04

S/24.99

S/22.73

Envase tipo carrete

S/20.82

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET

IMW40R011M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/74.58
306En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMW40R011M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW40R011M2HXKSA

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET

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306En existencias

S/74.58

S/44.26

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET

IMW40R015M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/59.94
189En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMW40R015M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW40R015M2HXKSA

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET

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S/59.94

S/33.83

S/33.36

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2

IMW65R010M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/100.31
259En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMW65R010M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW65R010M2HXKSA

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Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2

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259En existencias

S/100.31

S/64.58

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2

IMW65R026M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/58.00
538En existencias
240Se espera el 10/09/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMW65R026M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW65R026M2HXKSA

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Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2

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538En existencias

240Se espera el 10/09/2026

S/58.00

S/32.62

S/31.96

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 60 mohm G2

IMW65R060M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/35.11
992En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMW65R060M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW65R060M2HXKSA

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 60 mohm G2

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Hoja de datos

992En existencias

S/35.11

S/20.51

S/17.28

S/17.24

S/16.35

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs de SiC SIC DISCRETE

IMYR140R006M2HXLSA1
Infineon Technologies
1: S/199.33
190En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMYR140R006M2HXLSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMYR140R006M2HXL

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SIC DISCRETE

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190En existencias

S/199.33

S/148.62

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs de SiC SIC DISCRETE

IMYR140R011M2HXLSA1
Infineon Technologies
1: S/115.92
224En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMYR140R011M2HXLSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMYR140R011M2HXL

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SIC DISCRETE

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Hoja de datos

224En existencias

S/115.92

S/75.59

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1400 V G2 in TO-247PLUS-4 Reflow package

IMYR140R019M2HXLSA1
Infineon Technologies
1: S/75.71
177En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMYR140R019M2HXLSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMYR140R019M2HXL

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1400 V G2 in TO-247PLUS-4 Reflow package

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177En existencias

S/75.71

S/47.18

S/43.99

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs de SiC SIC DISCRETE

IMYR140R024M2HXLSA1
Infineon Technologies
1: S/65.47
230En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMYR140R024M2HXLSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMYR140R024M2HXL

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Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SIC DISCRETE

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230En existencias

S/65.47

S/40.25

S/36.47

Min.: 1
Mult.: 1

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