.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

RF Power MOSFET Semiconductores

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Tipos de Semiconductores

Lista Imágenes

Resultados: 346

Filtros aplicados:

Tipo = RF Power MOSFET

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HF/VHF/UHF RF N-Ch 300W 15dB 175MHz

SD2932BW
STMicroelectronics
1: S/849.77
35En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SD2932BW

N.º de artículo de Mouser
511-SD2932BW

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HF/VHF/UHF RF N-Ch 300W 15dB 175MHz

35En existencias

S/849.77

S/736.81

Min.: 1
Mult.: 1

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 175W 15dB 175MHz

SD2941-10W
STMicroelectronics
1: S/350.13
19En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SD2941-10W

N.º de artículo de Mouser
511-SD2941-10W

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 175W 15dB 175MHz

Hoja de datos

19En existencias

S/350.13

S/291.82

S/278.43

Min.: 1
Mult.: 1

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 300W - 50V Moisture Resistnt HF/VHF DMOS

SD4933MR
STMicroelectronics
1: S/644.83
5En existencias
150Se espera el 7/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
SD4933MR

N.º de artículo de Mouser
511-SD4933MR

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 300W - 50V Moisture Resistnt HF/VHF DMOS

Obtenga más información

Hoja de datos

5En existencias

150Se espera el 7/07/2026

S/644.83

S/511.94

Min.: 1
Mult.: 1

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-400MHz 5 Watts 28Volt Gain 11dB

MRF134
MACOM
1: S/387.19
5En existencias
360En pedido

N.º de artículo del Fabricante
MRF134

N.º de artículo de Mouser
937-MRF134

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-400MHz 5 Watts 28Volt Gain 11dB

Obtenga más información

Hoja de datos

5En existencias

360En pedido

S/387.19

S/322.07

S/316.23

Min.: 1
Mult.: 1

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-500MHz 4Watts 28Volt Gain 16dB

MRF160
MACOM
1: S/434.52
5En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MRF160

N.º de artículo de Mouser
937-MRF160

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-500MHz 4Watts 28Volt Gain 16dB

Obtenga más información

Hoja de datos

5En existencias

S/434.52

S/361.46

S/329.23

Min.: 1
Mult.: 1

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 100-500MHz 100Watts 28Volt 10dB

UF28100V
MACOM
1: S/1,397.95
14En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UF28100V

N.º de artículo de Mouser
937-UF28100V

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 100-500MHz 100Watts 28Volt 10dB

Hoja de datos

14En existencias

S/1,397.95

S/1,180.48

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,Mosfet,40W,28V,100-500MHz

UF2840P
MACOM
1: S/570.45
2En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UF2840P

N.º de artículo de Mouser
937-UF2840P

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,Mosfet,40W,28V,100-500MHz

Hoja de datos

2En existencias

S/570.45

S/476.71

Min.: 1
Mult.: 1

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications

MWT-PH31F
CML Micro
1: S/123.98
20En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MWT-PH31F

N.º de artículo de Mouser
938-MWT-PH31F

CML Micro

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications

Hoja de datos

20En existencias

S/123.98

S/114.79

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications

MWT-PH32F
CML Micro
1: S/149.94
10En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MWT-PH32F

N.º de artículo de Mouser
938-MWT-PH32F

CML Micro

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications

Hoja de datos

10En existencias

S/149.94

S/138.85

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

MWT-PH33F
CML Micro
10: S/67.46
30En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MWT-PH33F

N.º de artículo de Mouser
938-MWT-PH33F

CML Micro

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

Hoja de datos

30En existencias

S/67.46

S/67.34

S/55.43

S/52.00

Ver

Min.: 10
Mult.: 10

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LDMOS 2-stage power MMIC

BLM7G1822S-40PBGY
Ampleon
1: S/174.31
45En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLM7G1822S-40PBGY

N.º de artículo de Mouser
94-BLM7G1822S-40PBGY

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LDMOS 2-stage power MMIC

Hoja de datos

45En existencias

Cinta cortada

S/174.31

S/150.76

S/143.32

Envase tipo carrete

S/125.92

S/123.66

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 100

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source

ARF461BG
Microchip Technology
1: S/230.51
30En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ARF461BG

N.º de artículo de Mouser
494-ARF461BG

Microchip Technology

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source

Hoja de datos

30En existencias

S/230.51

Min.: 1
Mult.: 1

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

PTVA030121EA-V1-R0
MACOM
1: S/190.03
41En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
PTVA030121EA-V1-R0

N.º de artículo de Mouser
941-PTVA030121EA1R0

NRND

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

Hoja de datos

41En existencias

Cinta cortada

S/190.03

S/162.08

Envase tipo carrete

S/162.08

S/141.76

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 50

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

PTVA120251EA-V2-R0
MACOM
1: S/207.31
7En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
PTVA120251EA-V2-R0

N.º de artículo de Mouser
941-PTVA120251EA2R0

NRND

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

Hoja de datos

7En existencias

Cinta cortada

S/207.31

S/197.93

Envase tipo carrete

S/197.93

S/184.70

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 50

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 728-3700 MHz, 28.8 dBm Avg., 28 V

AFT27S006NT1
NXP Semiconductors
1: S/72.95
1,248En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
AFT27S006NT1

N.º de artículo de Mouser
841-AFT27S006NT1

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 728-3700 MHz, 28.8 dBm Avg., 28 V

Hoja de datos

1,248En existencias

Cinta cortada

S/72.95

S/58.12

S/54.42

S/52.70

Ver

Envase tipo carrete

S/49.94

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 35 W CW over 1.8-512 MHz, 65 V

MRFX035HR5
NXP Semiconductors
1: S/526.81
7En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
MRFX035HR5

N.º de artículo de Mouser
771-MRFX035HR5

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 35 W CW over 1.8-512 MHz, 65 V

Hoja de datos

7En existencias

Cinta cortada

S/526.81

S/410.27

Envase tipo carrete

S/410.27

Min.: 1
Mult.: 1

: 50

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor 136-941 MHz, 6.0 W, 7.5 V

AFM906NT1
NXP Semiconductors
1: S/17.44
147En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
AFM906NT1

N.º de artículo de Mouser
841-AFM906NT1

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor 136-941 MHz, 6.0 W, 7.5 V

Hoja de datos

147En existencias

Cinta cortada

S/17.44

S/12.96

S/11.37

S/10.70

Ver

Envase tipo carrete

S/7.98

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 75W 12.5V TO270WB4

AFT05MP075NR1
NXP Semiconductors
1: S/241.88
8En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
AFT05MP075NR1

N.º de artículo de Mouser
841-AFT05MP075NR1

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 75W 12.5V TO270WB4

Hoja de datos

8En existencias

Cinta cortada

S/241.88

S/168.04

Envase tipo carrete

S/168.00

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 500

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 10W PULSE PLD1.5

MRF6V10010NR4
NXP Semiconductors
1: S/691.11
1En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
MRF6V10010NR4

N.º de artículo de Mouser
841-MRF6V10010NR4

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 10W PULSE PLD1.5

Hoja de datos

1En existencias

Cinta cortada

S/691.11

S/586.25

S/558.65

S/551.22

Envase tipo carrete

S/512.64

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 100

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) NFET SC88 60V 295MA 1.6OH

NVJD5121NT1G-M06
onsemi
1: S/1.71
16,597En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVJD5121NT1G-M06

N.º de artículo de Mouser
863-NVJD5121NT1G-M06

onsemi

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) NFET SC88 60V 295MA 1.6OH

Hoja de datos

16,597En existencias

Cinta cortada

S/1.71

S/1.05

S/0.662

S/0.494

S/0.44

Envase tipo carrete

S/0.343

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

PTFC270101M-V1-R1K
MACOM
1: S/113.00
1En existencias
Pedido especial de fábrica

N.º de artículo del Fabricante
PTFC270101M-V1-R1K

N.º de artículo de Mouser
941-PTFC270101M1RK

Pedido especial de fábrica

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

1En existencias

Cinta cortada

S/113.00

Ver

Envase tipo carrete

S/96.50

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-175MHz 80Watts 28Volt Gain 13dB

MRF173
MACOM
1: S/588.20
150Se espera el 4/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
MRF173

N.º de artículo de Mouser
937-MRF173

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-175MHz 80Watts 28Volt Gain 13dB

Obtenga más información

Hoja de datos

150Se espera el 4/12/2026

S/588.20

S/491.54

Min.: 1
Mult.: 1

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 175 MHz M174

VRF151
Microchip Technology
1: S/272.98
79Se espera el 21/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
VRF151

N.º de artículo de Mouser
494-VRF151

Microchip Technology

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 175 MHz M174

Hoja de datos

79Se espera el 21/07/2026

S/272.98

Min.: 1
Mult.: 1

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V

MRF101AN
NXP Semiconductors
1: S/173.02
2,612Se espera el 9/07/2026
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
MRF101AN

N.º de artículo de Mouser
771-MRF101AN

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V

Hoja de datos

2,612Se espera el 9/07/2026

S/173.02

S/141.38

S/137.79

S/123.70

Min.: 1
Mult.: 1

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V

MRF300AN
NXP Semiconductors
1: S/340.67
480Se espera el 9/07/2026
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
MRF300AN

N.º de artículo de Mouser
771-MRF300AN

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V

Hoja de datos

480Se espera el 9/07/2026

S/340.67

S/285.79

S/254.18

Min.: 1
Mult.: 1

RF Power MOSFET Semiconductores

Tipos de Semiconductores

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte