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RF Power MOSFET Semiconductores

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Tipos de Semiconductores

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Tipo = RF Power MOSFET

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N.° de pieza

GaN FETs Airfast RF Power GaN Amplifier, 100-2690 MHz, 8 W Avg., 48 V

A3G26D055NT4
NXP Semiconductors
1: S/218.29
1,163En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
A3G26D055NT4

N.º de artículo de Mouser
771-A3G26D055NT4

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

GaN FETs Airfast RF Power GaN Amplifier, 100-2690 MHz, 8 W Avg., 48 V

Hoja de datos

1,163En existencias

Cinta cortada

S/218.29

S/179.33

S/169.28

S/166.48

Ver

Envase tipo carrete

S/139.35

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS Transistor

MRFX1K80HR5
NXP Semiconductors
1: S/1,634.38
111En existencias
250Se espera el 22/06/2026
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
MRFX1K80HR5

N.º de artículo de Mouser
771-MRFX1K80HR5

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS Transistor

Hoja de datos

111En existencias

250Se espera el 22/06/2026

Cinta cortada

S/1,634.38

S/1,416.52

S/1,362.10

Envase tipo carrete

S/1,329.29

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

: 50

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power

AFM907NT1
NXP Semiconductors
1: S/18.49
6,000En existencias
4,000Se espera el 25/06/2026
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
AFM907NT1

N.º de artículo de Mouser
841-AFM907NT1

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power

Hoja de datos

6,000En existencias

4,000Se espera el 25/06/2026

Cinta cortada

S/18.49

S/14.05

S/12.92

S/11.68

Envase tipo carrete

S/10.43

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1500 W CW, 1.8-500 MHz, 50 V

MRF1K50HR5
NXP Semiconductors
1: S/1,594.64
72En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
MRF1K50HR5

N.º de artículo de Mouser
841-MRF1K50HR5

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1500 W CW, 1.8-500 MHz, 50 V

Hoja de datos

72En existencias

Cinta cortada

S/1,594.64

S/1,381.21

S/1,327.97

Envase tipo carrete

S/1,295.81

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 50

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 300W50VISM NI780H-4

MRFE6VP6300HR5
NXP Semiconductors
1: S/1,310.76
282En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
MRFE6VP6300HR5

N.º de artículo de Mouser
841-MRFE6VP6300HR5

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 300W50VISM NI780H-4

Hoja de datos

282En existencias

Cinta cortada

S/1,310.76

S/1,124.19

S/1,075.23

Envase tipo carrete

S/1,049.22

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 50

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 400 W 150 MHz M177

VRF2944
Microchip Technology
1: S/770.25
10En existencias

N.º de artículo del Fabricante
VRF2944

N.º de artículo de Mouser
494-VRF2944

Microchip Technology

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 400 W 150 MHz M177

Hoja de datos

10En existencias

S/770.25

Min.: 1
Mult.: 1

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER transistor LDMOST family N-Chan

PD55003L-E
STMicroelectronics
1: S/30.52
2,669En existencias
3,000Se espera el 6/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
PD55003L-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD55003L-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER transistor LDMOST family N-Chan

Hoja de datos

2,669En existencias

3,000Se espera el 6/07/2026

Cinta cortada

S/30.52

S/21.91

S/19.66

S/18.37

Envase tipo carrete

S/18.37

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.

PD55003TR-E
STMicroelectronics
1: S/35.07
394En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD55003TR-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD55003TR-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.

Hoja de datos

394En existencias

Cinta cortada

S/35.07

S/25.30

S/22.93

Envase tipo carrete

S/21.41

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 600

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.

PD55008TR-E
STMicroelectronics
1: S/60.57
605En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD55008TR-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD55008TR-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.

Hoja de datos

605En existencias

Cinta cortada

S/60.57

S/44.76

S/41.81

Envase tipo carrete

S/41.81

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 600

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch

PD55025-E
STMicroelectronics
1: S/123.28
70En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD55025-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD55025-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch

Hoja de datos

70En existencias

S/123.28

S/90.34

S/84.90

Min.: 1
Mult.: 1

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor

PD55025S-E
STMicroelectronics
1: S/124.13
112En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD55025S-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD55025S-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor

Hoja de datos

112En existencias

S/124.13

S/91.01

S/86.69

S/82.91

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F. N-Ch Trans

PD85035-E
STMicroelectronics
1: S/128.61
501En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD85035-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD85035-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F. N-Ch Trans

Hoja de datos

501En existencias

S/128.61

S/94.47

S/90.07

Min.: 1
Mult.: 1

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz

SD2931-10W
STMicroelectronics
1: S/364.49
195En existencias
550Se espera el 13/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
SD2931-10W

N.º de artículo de Mouser
511-SD2931-10W

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz

Hoja de datos

195En existencias

550Se espera el 13/07/2026

S/364.49

S/289.56

S/273.88

Min.: 1
Mult.: 1

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 350W 15dB 175MHz

SD2942W
STMicroelectronics
1: S/716.57
48En existencias
90Se espera el 30/04/2027

N.º de artículo del Fabricante
SD2942W

N.º de artículo de Mouser
511-SD2942W

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 350W 15dB 175MHz

Hoja de datos

48En existencias

90Se espera el 30/04/2027

S/716.57

S/638.41

Min.: 1
Mult.: 1

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 300W 50V RF MOS 21dB 175MHz N-Ch

STAC2942BW
STMicroelectronics
1: S/564.02
110En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STAC2942BW

N.º de artículo de Mouser
511-STAC2942BW

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 300W 50V RF MOS 21dB 175MHz N-Ch

Obtenga más información

Hoja de datos

110En existencias

S/564.02

S/437.95

Min.: 1
Mult.: 1

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-500MHz 20Watts 28Volt Gain 13.5dB

MRF166C
MACOM
1: S/440.01
53En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MRF166C

N.º de artículo de Mouser
937-MRF166C

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-500MHz 20Watts 28Volt Gain 13.5dB

Obtenga más información

Hoja de datos

53En existencias

S/440.01

S/366.01

S/333.39

Min.: 1
Mult.: 1

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 100-500MHz 150Watts 28Volt 10dB

MRF275G
MACOM
1: S/1,378.92
34En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MRF275G

N.º de artículo de Mouser
937-MRF275G

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 100-500MHz 150Watts 28Volt 10dB

Obtenga más información

Hoja de datos

34En existencias

S/1,378.92

S/1,164.40

Min.: 1
Mult.: 1

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

MWT-11F
CML Micro
1: S/382.67
234En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
MWT-11F

N.º de artículo de Mouser
938-MWT-11F

NRND

CML Micro

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

Hoja de datos

234En existencias

S/382.67

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 300 W 150 MHz M177 MATCHED PAIR

VRF2933MP
Microchip Technology
1: S/1,296.24
9En existencias

N.º de artículo del Fabricante
VRF2933MP

N.º de artículo de Mouser
494-VRF2933MP

Microchip Technology

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 300 W 150 MHz M177 MATCHED PAIR

Hoja de datos

9En existencias

S/1,296.24

Min.: 1
Mult.: 1

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 400 W 65 MHz T3C

ARF476FL
Microchip Technology
1: S/616.53
8En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ARF476FL

N.º de artículo de Mouser
494-ARF476FL

Microchip Technology

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 400 W 65 MHz T3C

Hoja de datos

8En existencias

S/616.53

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V

MRF101BN
NXP Semiconductors
1: S/152.08
146En existencias
250Se espera el 24/06/2026
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
MRF101BN

N.º de artículo de Mouser
771-MRF101BN

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V

Hoja de datos

146En existencias

250Se espera el 24/06/2026

S/152.08

S/123.74

S/121.02

S/112.38

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS 1800W CW 1.8-400MHz

MRFX1K80NR5
NXP Semiconductors
1: S/1,374.60
10En existencias
50Se espera el 26/06/2026
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
MRFX1K80NR5

N.º de artículo de Mouser
771-MRFX1K80NR5

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS 1800W CW 1.8-400MHz

Hoja de datos

10En existencias

50Se espera el 26/06/2026

Cinta cortada

S/1,374.60

S/1,186.40

S/1,134.47

Envase tipo carrete

S/1,097.61

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 50

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 4 W, 7.5 V

AFT05MS004NT1
NXP Semiconductors
1: S/18.26
2,659En existencias
23,000Se espera el 26/06/2026
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
AFT05MS004NT1

N.º de artículo de Mouser
841-AFT05MS004NT1

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 4 W, 7.5 V

Hoja de datos

2,659En existencias

23,000Se espera el 26/06/2026

Cinta cortada

S/18.26

S/12.73

S/11.56

S/11.13

Ver

Envase tipo carrete

S/8.49

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 UHF 13.6V

AFT05MS031GNR1
NXP Semiconductors
1: S/150.06
418En existencias
2,500En pedido
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
AFT05MS031GNR1

N.º de artículo de Mouser
841-AFT05MS031GNR1

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 UHF 13.6V

Hoja de datos

418En existencias

2,500En pedido

Cinta cortada

S/150.06

S/121.91

S/114.87

S/107.12

S/103.66

Envase tipo carrete

S/101.21

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 500

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 800MHZ 13.6V

AFT09MS031NR1
NXP Semiconductors
1: S/76.10
219En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
AFT09MS031NR1

N.º de artículo de Mouser
841-AFT09MS031NR1

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 800MHZ 13.6V

Hoja de datos

219En existencias

Cinta cortada

S/76.10

S/60.68

S/56.83

S/55.20

Envase tipo carrete

S/51.54

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 500

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