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RF Power MOSFET Semiconductores

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N.° de pieza

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,Mosfet,8W,12V,30-90MHz

FH2164
MACOM
1: S/668.34
17En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FH2164

N.º de artículo de Mouser
937-FH2164

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,Mosfet,8W,12V,30-90MHz

Hoja de datos

17En existencias

S/668.34

S/559.66

S/549.08

Min.: 1
Mult.: 1

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch Radio Freq 3A 20W 12V VDSS

2SK4037(TE12L,Q)
Toshiba
1: S/24.95
426En existencias

N.º de artículo del Fabricante
2SK4037(TE12L,Q)

N.º de artículo de Mouser
757-2SK4037TE12LQ

Toshiba

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch Radio Freq 3A 20W 12V VDSS

Hoja de datos

426En existencias

Cinta cortada

S/24.95

S/16.35

S/12.07

S/10.70

Envase tipo carrete

S/9.58

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz

PXAE263708NB-V1-R2
MACOM
1: S/459.24
90En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PXAE263708NB-V1-R2

N.º de artículo de Mouser
941-PXAE263708NBV1R2

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz

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90En existencias

Cinta cortada

S/459.24

S/383.92

S/372.59

Envase tipo carrete

S/372.59

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 250

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications

MWT-PH8F
CML Micro
10: S/353.87
100En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MWT-PH8F

N.º de artículo de Mouser
938-MWT-PH8F

CML Micro

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications

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100En existencias

S/353.87

S/353.63

S/327.13

Ver

Min.: 10
Mult.: 10

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER transistor LDMOST family N-Chan

PD54003-E
STMicroelectronics
1: S/50.80
110En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD54003-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD54003-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER transistor LDMOST family N-Chan

Hoja de datos

110En existencias

S/50.80

S/30.67

S/27.40

S/27.21

S/26.59

Min.: 1
Mult.: 1

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

MWT-PH27F71
CML Micro
1: S/218.14
1En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MWT-PH27F71

N.º de artículo de Mouser
938-MWT-PH27F71

CML Micro

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

Hoja de datos

1En existencias

Cinta cortada

S/218.14

Envase tipo carrete

S/218.14

S/188.83

Min.: 1
Mult.: 1

: 10

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 400 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor

RF5L08350CB4
STMicroelectronics
1: S/684.92
110En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
RF5L08350CB4

N.º de artículo de Mouser
511-RF5L08350CB4

NRND

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 400 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor

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110En existencias

Cinta cortada

S/684.92

S/546.04

Envase tipo carrete

S/546.04

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 120

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF981S/SOT467/TRAY

BLF981SU
Ampleon
1: S/537.40
55En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
BLF981SU

N.º de artículo de Mouser
94-BLF981SU

Nuevo producto

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF981S/SOT467/TRAY

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55En existencias

S/537.40

S/451.72

S/419.42

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF981/SOT467/TRAY

BLF981U
Ampleon
1: S/524.79
31En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
BLF981U

N.º de artículo de Mouser
94-BLF981U

Nuevo producto

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF981/SOT467/TRAY

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31En existencias

S/524.79

S/442.81

S/410.74

Min.: 1
Mult.: 1

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP981/TO270/REEL

BLP981XY
Ampleon
1: S/250.02
45En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
BLP981XY

N.º de artículo de Mouser
94-BLP981XY

Nuevo producto

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP981/TO270/REEL

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45En existencias

Cinta cortada

S/250.02

S/206.65

S/195.83

Envase tipo carrete

S/185.09

Min.: 1
Mult.: 1

: 100

GaN FETs CLP24H4S30P/DFN-6.5X7/REEL

CLP24H4S30PXY
Ampleon
1: S/302.95
82En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
CLP24H4S30PXY

N.º de artículo de Mouser
94-CLP24H4S30PXY

Nuevo producto

Ampleon

GaN FETs CLP24H4S30P/DFN-6.5X7/REEL

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82En existencias

Cinta cortada

S/302.95

S/251.81

S/238.88

Envase tipo carrete

S/224.95

S/222.38

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 100

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 180 W, 28 V, 1.3 to 1.6 GHz RF power LDMOS transistor

RF2L16180CB4
STMicroelectronics
1: S/684.92
20En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
RF2L16180CB4

N.º de artículo de Mouser
511-RF2L16180CB4

NRND

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 180 W, 28 V, 1.3 to 1.6 GHz RF power LDMOS transistor

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20En existencias

Cinta cortada

S/684.92

S/546.04

Envase tipo carrete

S/546.04

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 120

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 120 W 50 V RF power LDMOS transistor from HF to 1.5 GHz

RF5L15120CB4
STMicroelectronics
1: S/764.84
18En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
RF5L15120CB4

N.º de artículo de Mouser
511-RF5L15120CB4

NRND

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 120 W 50 V RF power LDMOS transistor from HF to 1.5 GHz

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Hoja de datos

18En existencias

Cinta cortada

S/764.84

S/614.31

Envase tipo carrete

S/614.31

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 100

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 150 MHz M174

VRF150
Microchip Technology
1: S/266.56
296En existencias
157Se espera el 24/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
VRF150

N.º de artículo de Mouser
494-VRF150

Microchip Technology

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 150 MHz M174

Hoja de datos

296En existencias

157Se espera el 24/07/2026

S/266.56

Min.: 1
Mult.: 1

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch

PD57030-E
STMicroelectronics
1: S/194.12
523En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD57030-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD57030-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch

Hoja de datos

523En existencias

S/194.12

S/145.31

S/140.79

Min.: 1
Mult.: 1

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz

SD2931-10W
STMicroelectronics
1: S/364.49
195Se espera el 23/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
SD2931-10W

N.º de artículo de Mouser
511-SD2931-10W

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz

Hoja de datos

195Se espera el 23/06/2026

S/364.49

S/289.56

S/273.88

Min.: 1
Mult.: 1

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch MOS HF/VHF/ RF 300W 15dB 175MHz

SD2932W
STMicroelectronics
1: S/788.85
89En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SD2932W

N.º de artículo de Mouser
511-SD2932W

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch MOS HF/VHF/ RF 300W 15dB 175MHz

Hoja de datos

89En existencias

S/788.85

S/640.08

Min.: 1
Mult.: 1

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 300W 20dB 30MHz

SD2933W
STMicroelectronics
1: S/516.81
260En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SD2933W

N.º de artículo de Mouser
511-SD2933W

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 300W 20dB 30MHz

Hoja de datos

260En existencias

S/516.81

S/417.63

Min.: 1
Mult.: 1

GaN FETs DC-3.5GHz 100W 28V GaN

TGF2929-FL
Qorvo
1: S/2,693.03
65En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TGF2929-FL

N.º de artículo de Mouser
772-TGF2929-FL

Qorvo

GaN FETs DC-3.5GHz 100W 28V GaN

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Hoja de datos

65En existencias

S/2,693.03

Min.: 1
Mult.: 1

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-400MHz 100Watts 28Volt Gain 12dB

MRF177
MACOM
1: S/1,220.26
352En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MRF177

N.º de artículo de Mouser
937-MRF177

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-400MHz 100Watts 28Volt Gain 12dB

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Hoja de datos

352En existencias

S/1,220.26

S/1,030.42

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source

ARF460AG
Microchip Technology
1: S/220.55
86En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ARF460AG

N.º de artículo de Mouser
494-ARF460AG

Microchip Technology

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source

Hoja de datos

86En existencias

S/220.55

Min.: 1
Mult.: 1

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source

ARF463AP1G
Microchip Technology
1: S/175.28
400En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ARF463AP1G

N.º de artículo de Mouser
494-ARF463AP1G

Microchip Technology

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source

Hoja de datos

400En existencias

S/175.28

Min.: 1
Mult.: 1

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 300 W 150 MHz T3A

ARF475FL
Microchip Technology
1: S/585.47
19En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ARF475FL

N.º de artículo de Mouser
494-ARF475FL

Microchip Technology

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 300 W 150 MHz T3A

Hoja de datos

19En existencias

S/585.47

Min.: 1
Mult.: 1

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 300 W 150 MHz M177

VRF2933
Microchip Technology
1: S/642.07
23En existencias

N.º de artículo del Fabricante
VRF2933

N.º de artículo de Mouser
494-VRF2933

Microchip Technology

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 300 W 150 MHz M177

Hoja de datos

23En existencias

S/642.07

Min.: 1
Mult.: 1

GaN FETs Airfast RF Power GaN Amplifier, 100-2690 MHz, 8 W Avg., 48 V

A3G26D055NT4
NXP Semiconductors
1: S/218.29
1,183En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
A3G26D055NT4

N.º de artículo de Mouser
771-A3G26D055NT4

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

GaN FETs Airfast RF Power GaN Amplifier, 100-2690 MHz, 8 W Avg., 48 V

Hoja de datos

1,183En existencias

Cinta cortada

S/218.29

S/179.33

S/169.28

S/166.48

Ver

Envase tipo carrete

S/139.35

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

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