Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
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CML Micro MWT-PH7F70
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CML Micro MWT-PH7F73
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S/280.80
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CML Micro MWT-PH9F70
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CML Micro MWT-PH9F71
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
CML Micro MWT-PH9F73
MWT-PH9F73
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S/367.92
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
N.º de artículo de Mouser 938-MWT-PH9F73
CML Micro
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 200W, Si LDMOS, 28V, 700-22000MHz, Plastic SMT DFN
MACOM PTFA220041M-V4-R1K
PTFA220041M-V4-R1K
MACOM
1,000:
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MACOM
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 200W, Si LDMOS, 28V, 700-22000MHz, Plastic SMT DFN
No en existencias
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 140W, Si LDMOS, 28V, 2300-2400MHz, 248 PP
MACOM PTFB241402FC-V1-R250
PTFB241402FC-V1-R250
MACOM
250:
S/356.59
No en existencias
N.º de artículo de Mouser 941-PTFB241402FCR250
MACOM
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 140W, Si LDMOS, 28V, 2300-2400MHz, 248 PP
No en existencias
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Carrete :250
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 140W, Si LDMOS, 28V, 2300-2400MHz, 248 PP
MACOM PTFB241402FC-V1-R0
PTFB241402FC-V1-R0
MACOM
50:
S/391.47
No en existencias
N.º de artículo de Mouser 941-PTFB241402FCV1R0
MACOM
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 140W, Si LDMOS, 28V, 2300-2400MHz, 248 PP
No en existencias
Embalaje alternativo
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Carrete :50
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 200 W 28/32 V RF power LDMOS transistor from HF to 1 GHz
STMicroelectronics RF3L05200CB4
RF3L05200CB4
STMicroelectronics
100:
S/606.41
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NRND
N.º de artículo de Mouser 511-RF3L05200CB4
NRND
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 200 W 28/32 V RF power LDMOS transistor from HF to 1 GHz
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Comprar
Min.: 100 Mult.: 100
Carrete :100
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 400 W 28/32 V RF power LDMOS transistor from HF to 1 GHz
STMicroelectronics RF3L05400CB4
RF3L05400CB4
STMicroelectronics
100:
S/501.16
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
NRND
N.º de artículo de Mouser 511-RF3L05400CB4
NRND
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 400 W 28/32 V RF power LDMOS transistor from HF to 1 GHz
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Comprar
Min.: 100 Mult.: 100
Carrete :100
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 1.3 kW, 50 V, HF to 250 MHz RF Power LDMOS transistor
STMicroelectronics RF5L051K4CB4
RF5L051K4CB4
STMicroelectronics
100:
S/668.23
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
NRND
N.º de artículo de Mouser 511-RF5L051K4CB4
NRND
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 1.3 kW, 50 V, HF to 250 MHz RF Power LDMOS transistor
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
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Min.: 100 Mult.: 100
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 650 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor
STMicroelectronics RF5L08600CB4
RF5L08600CB4
STMicroelectronics
100:
S/696.06
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
NRND
N.º de artículo de Mouser 511-RF5L08600CB4
NRND
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 650 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
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Min.: 100 Mult.: 100
Detalles
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